Vishay 的优势：适用于极端工业环境的强大解决方案

从快速充电器到能源管理系统和电机驱动器，工业环境中的应用可能会将组件暴露在极端温度、潮湿、灰尘和腐蚀性物质中。因此，工程师必须设计出耐用且能够承受这些条件且不影响性能的解决方案。Vishay 是分立半导体和无源电子元件领域的全球领导者，提供先进技术和可靠元件，以生产坚固、耐用和高效的工业终端产品。Vishay 广泛的产品组合简化了设计流程，使用户能够获取大量必要的元器件。这不仅可以保证质量的一致性，还可以缩短生产时间。对于那些寻求将其工业设计提升到新水平的人来说，探索 Vishay 的设计解决方案和特色组件。

  • 储能
  • 电机驱动
  • 直流快充
　

PowerPAK® SC-70 封装 TrenchFET® 功率 MOSFET

业界最低的 RDS(ON)，可通过利用先进的封装选项来提高功率密度

 

模拟开关和多路复用器

该系列包括 <1pC 电荷注入、皮安级泄漏和超低寄生电容的部件

 

PLZ 系列齐纳二极管

Vishay 的 PLZ 系列齐纳二极管是对称、绿色、MicroSMF 器件，兼容 SOD-323 扁平引线封装

TNPW e3 薄膜电阻器

一流的长期稳定性，符合 AEC-Q200 标准

NTCS 热敏电阻

NTC 表面贴装温度传感器具有坚固的结构和灵活的聚合物端接，具有无与伦比的热性能。

CRCW-HP 耐脉冲电阻器

具有出色的脉冲能力和小尺寸高功率密度，符合 AEC-Q200 标准。

NTCALUG 热敏电阻

可定制的 NTC LUG 传感器可实现准确、稳定的表面温度测量，并具有卓越的绝缘耐压能力，性能无与伦比。

 

TrenchFET® 功率 MOSFET 针对标准栅极驱动器进行了优化

Vishay 的 60 V MOSFET 提高了 PowerPAK® 1212-8S 封装的效率和功率密度

功率电阻器

LTO 厚膜功率电阻器是非电感性的，采用标准 TO-220 和 TO-247 封装，可处理 30 至 150W 的功率。这些电阻器还设计用于处理高能量放电脉冲。

VOD3120A 2.5A 输出电流 IGBT 和 MOSFET 驱动器

高工作电压范围输出级提供栅极控制器件所需的驱动电压。

VOM1271 光伏 MOSFET 驱动器

与传统 MOSFET 驱动器不同，VOM1271 无需通过外部电源为其提供 VCC 和/或 VDD 轨实现自身驱动，而是从隔离栅的低压初级侧 LED 电流中获得内部电路所需的全部驱动电流。

 

SiC46x 和 SiC47x microBUCK 电源 IC

坚固可靠，峰值效率可达 98%

IHLP® 功率电感器

金属复合材料和磁屏蔽结构，具有软饱和和低 EMI 性能

IHLP® 功率电感器

通过消除单独屏蔽的需要，降低汽车应用的成本并节省电路板空间

PowerPair® MOSFET

针对同步降压应用优化的 MOSFET 对

 

IL300 线性光耦合器

Vishay 的线性光耦合器提供具有稳定传输因子的模拟输入信号电流隔离传输

 

SIP32433A/B 和 SIP32434A/B

具有可编程电流限制和 OVP 的电子保险丝

TRANZORB 采用 eSMP® 系列封装 TVS 二极管

高可靠性条件下的高温稳定性高达 +185C

 

DFN 系列封装 ESD 保护二极管

Vishay 的二极管提供低至 0.37 pF 的超低电容，通常用于商业和汽车应用中的接口保护

 

TrenchFET® 功率 MOSFET 针对标准栅极驱动器进行了优化

Vishay 的 60 V MOSFET 提高了 PowerPAK® 1212-8S 封装的效率和功率密度

microSMP (DO-219AD) 封装 TMBS 肖特基

Vishay 的 TMBS 整流器节省空间，提升功率密度并提高效率

WSL Power Metal Strip® 电流检测电阻器

尺寸范围广泛，从 0603 到 5931，具有出色的脉冲能力，可实现可靠电流测量（符合汽车级标准）。

 

ACAS-AT 精密薄膜芯片电阻器

卓越的长期稳定性，提供公差匹配和 TCR 跟踪，符合 AEC-Q200 标准

 

WSBE8518 | WSBS8518 电流检测电阻器

测量高达 1800 安培的电流不需要温度补偿。

WSLF / WSK1216 / WSHP 电流检测电阻器

汽车级高功率密度在最小的空间内提供了最大的电流测量能力。这些系列提供广泛的电阻范围，以支持从 0.0002 欧姆到 0.2 欧姆的电流测量。

 

RCV-AT 高压厚膜片式电阻器

符合汽车 AEC-Q200 标准的 RCV-AT e3 系列厚膜片式电阻器旨在节省电路板空间，同时减少元件数量和放置成本。

 

TRANZORB 采用 eSMP® 系列封装 TVS 二极管

高可靠性条件下的高温稳定性高达 +185C

TNPW e3 薄膜电阻器

一流的长期稳定性，符合 AEC-Q200 标准

IHLP® 功率电感器

金属复合材料和磁屏蔽结构，具有软饱和和低 EMI 性能

SiC46x 和 SiC47x microBUCK 电源 IC

坚固可靠，峰值效率可达 98%

TFPT 系列 PTC - 镍薄膜线性热敏电阻

薄膜电阻温度探测器由于具有正向线性温度特性，可为测量和补偿电路提供一流的跟踪精度稳定性，并具有安全的故障模式

NTCS 热敏电阻

NTC 表面贴装温度传感器具有坚固的结构和灵活的聚合物端接，具有无与伦比的热性能

NTCLE 热敏电阻

快速反应引线 NTC 传感器具有极低的热梯度，可实现高精度温度测量和可靠的性能。

TRANZORB 采用 eSMP® 系列封装 TVS 二极管

高可靠性条件下的高温稳定性高达 +185C

DFN 系列封装 ESD 保护二极管

Vishay 的二极管提供低至 0.37 pF 的超低电容，通常用于商业和汽车应用中的接口保护

TrenchFET® 功率 MOSFET 针对标准栅极驱动器进行了优化

Vishay 的 60 V MOSFET 提高了 PowerPAK® 1212-8S 封装的效率和功率密度

microSMP (DO-219AD) 封装 TMBS 肖特基

Vishay 的 TMBS 整流器节省空间，提升功率密度并提高效率

TrenchFET® 功率 MOSFET 针对标准栅极驱动器进行了优化

Vishay 的 60 V MOSFET 提高了 PowerPAK® 1212-8S 封装的效率和功率密度

VOM1271 光伏 MOSFET 驱动器

与需要外部电源为驱动器本身提供 VCC 和/或 VDD 电源轨的传统 MOSFET 驱动器不同，VOM1271 可从 LED 电流获取驱动其内部电路所需的所有电流。

WSL Power Metal Strip® 电流检测电阻器

尺寸范围广泛，从 0603 到 5931，具有出色的脉冲能力，可实现可靠电流测量（符合汽车级标准）。

电流检测电阻器

2512 (4 W) 或 2010 (3 W) 尺寸的高功率能力，卓越的寿命稳定性（汽车级）。

CRCW-HP 耐脉冲电阻器

相同尺寸下具有卓越的脉冲能力和高功率密度，符合 AEC-Q200 标准

WSHM 电流检测电阻器

高达 7W 的功率能力，以及 0.001 欧姆至 0.2 欧姆（汽车级）的宽电阻范围。

RAMK060 磁性编码器

RAMK 磁性编码器提供高分辨率、高精度、高精度和可选的多圈功能，封装直径范围从 27 毫米到 90 毫米。磁性编码器非常适合工业应用，因为它们不受操作环境中的湿气和灰尘的影响。

WSBE8518 分流电阻器

测量高达 1800 安培的电流不需要温度补偿。

TNPV 高电压薄膜片式电阻器

高达 1000V 的高电压和卓越的长期稳定性，符合 AEC-Q200 标准

E 系列高压 MOSFET

业界最低的 Rdson*Qg 品质因数

MKP 1848 DC-Link 薄膜电容器

MKP 1848 系列还具有非常丰富的外壳尺寸和安装配置组合。

HRHA 混合线绕电阻器

HRHA 系列电阻器专为电动汽车和汽车充电应用中的预充电而设计。HRHA 系列可以处理数千焦耳的脉冲能量，并且根据应用情况不需要散热器。

PTCEL PTC 热敏电阻

PTC 热敏电阻用于限制浪涌电流或吸收充电/放电和直流链路中的高能量，具有自我保护功能，过载时不会有过热的风险。

AC-CS 熔断线绕安全电阻器

浪涌电压高达 6kV，具有静音、安全的熔断功能，符合 UL 1412 认证

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管

先进的合并 PIN 肖特基 (MPS) 结构，漏电低且随温度变化稳定

1200V FRED GEN 5 超高速和极高速整流器

超快且优化的 Qrr，最高工作温度可达 +175C

299 PHL-4TSI 铝电解嵌入式大容量电容器

Vishay 系列 400 V 和 450 V 咬接式四端子铝电解电容器采用 15 种大外壳尺寸，在 +105°C 的环境温度下可提供更高的纹波电流能力。

193 PUR-SI 铝电解嵌入式大容量电容器

Vishay 电容器在类似外壳尺寸下提供比标准解决方案更高的纹波电流，同时提供更长的使用寿命

259 PHM-SI 铝电解嵌入式大容量电容器

Vishay 系列微型咬接式电源铝电解电容器非常适合电源、太阳能逆变器和工业电机控制。

SiC46x 和 SiC47x microBUCK 电源 IC

坚固可靠，峰值效率可达 98%

IHLP® 功率电感器

金属复合材料和磁屏蔽结构，具有软饱和和低 EMI 性能

WSL Power Metal Strip® 电流检测电阻器

尺寸范围广泛，从 0603 到 5931，具有出色的脉冲能力，可实现可靠电流测量（符合汽车级标准）。

NTCS 热敏电阻

NTC 表面贴装温度传感器具有坚固的结构和灵活的聚合物端接，具有无与伦比的热性能。

CNY6x 高压隔离系列 CAT IV

CNY6XST 为高隔离电压 SMD 版光电耦合器，由一个光电晶体管与一个砷化镓红外发光二极管光耦合而成，采用 4 引脚塑料封装。

SIP32433A/B 和 SIP32434A/B

具有可编程电流限制和 OVP 的电子保险丝

TRANZORB 采用 eSMP® 系列封装 TVS 二极管

高可靠性条件下的高温稳定性高达 +185C

DFN 系列封装 ESD 保护二极管

Vishay 的二极管提供低至 0.37 pF 的超低电容，通常用于商业和汽车应用中的接口保护

E 系列高压 MOSFET

业界最低的 Rdson*Qg 品质因数

VO618A / VO617A 光电耦合器，光电晶体管输出

高可靠性，5300 VRMS

采用 DO-221BC (SMPA) 封装的 45 V、50 V TMBS®

这些高电流密度整流器适用于汽车和商业应用，提供 3 A 至 8 A 额定电流和低正向电压降，采用扁平的表面贴装式 DO-221BC (SMPA) 封装。

IHDM 高电流、低 DCR 电感器

低 DCR 可最大限度地减少损耗并降低温升

WSLF / WSK1216 / WSHP 电流检测电阻器

汽车级高功率密度在最小的空间内提供了最大的电流测量能力。这些系列提供广泛的电阻范围，以支持从 0.0002 欧姆到 0.2 欧姆的电流测量。

MKP385e 聚丙烯薄膜电容器

Vishay 的电容器旨在确保在恶劣环境条件下的长使用寿命内具有高且稳定的脉冲强度和纹波电流能力

TrenchFET® 功率 MOSFET 针对标准栅极驱动器进行了优化

Vishay 的 60 V MOSFET 提高了 PowerPAK® 1212-8S 封装的效率和功率密度

VOD3120A 2.5A 输出电流 IGBT 和 MOSFET 驱动器

高工作电压范围输出级提供栅极控制器件所需的驱动电压。

VOM1271 光伏 MOSFET 驱动器

与传统 MOSFET 驱动器不同，VOM1271 无需通过外部电源为其提供 VCC 和/或 VDD 轨实现自身驱动，而是从隔离栅的低压初级侧 LED 电流中获得内部电路所需的全部驱动电流。

CRCW-HP 耐脉冲电阻器

具有出色的脉冲能力和小尺寸高功率密度，符合 AEC-Q200 标准。

MMU 0102、MMA 0204、MMB 0207 - 专业防脉冲 MELF 电阻器

一流的 SMD 脉冲能力，最坚固、最稳定，符合 AEC-Q200 标准

模拟开关和多路复用器

该系列包括 <1pC 电荷注入、皮安级泄漏和超低寄生电容的部件