第三代碳化硅 (SiC) 肖特基二极管

Vishay 的 SiC 肖特基二极管采用 MPS 设计,提供更低的正向压降、电容电荷和反向漏电流

Vishay Semi Diodes 的第 3 代碳化硅 (SiC) 肖特基二极管图片Vishay 第 3 代 650 V 碳化硅肖特基二极管采用合并 PIN 肖特基 (MPS) 设计。它们将高浪涌电流稳健性与低正向压降、电容电荷和反向漏电流相结合,以提高开关电源设计的效率和可靠性。这些器件的 MPS 结构具有通过激光退火技术减薄的背面,与上一代解决方案相比,它们的正向压降降低了 0.3 V。此外,它们的正向压降与电容电荷的乘积降低了 17%。二极管的反向漏电流在室温下通常比最接近的竞争解决方案低 30%,在高温下低 70%。这减少了传导损耗,以确保轻负载和空转期间的高系统效率。第三代器件几乎没有反向恢复时间,进一步提高了效率。与击穿电压相当的硅二极管相比,SiC 器件具有更高的热导率、更低的反向电流和更短的反向恢复时间。它们采用 TO-22OAC 2L 和 TO-247AD 3L 通孔和 D2PAK 2L (TO-263AB 2L) 表面贴装封装。

特性
  • 可提供 4 A 至 40 A 的正向电流
  • 通过薄晶圆技术提高 VF 和效率
  • 提升了能效:
    • 低正向电压降:低至 1.46 V
    • 低电容电荷:低至 12 nC
    • 低反向漏电流:低至 1.3 µA
  • 最高工作温度:高达 +175°C
  • 提升了可靠性:
    • 通过 2,000 小时的高温反向偏压 (HTRB) 测试
  • 具有正温度系数,易于并联
  • MPS 结构具有高稳健性以应对正向电流浪涌事件
  • 提供 TO-22OAC 2L 和 TO-247AD 3L 通孔和 D2PAK 2L (TO-263AB 2L) 表面贴装封装
应用
  • AC/DC PFC和 DC/DC 超高频输出整流
    • FBPS 和 LLC 转换器
  • 所有受硅超快恢复行为影响的应用

Gen 3 Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes

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发布日期: 2023-05-26