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SISF20DN-T1-GE3 共漏极双路 N 沟道 60 V MOSFET

Vishay Siliconix 的 SISF20DN-T1-GE3 旨在提高电池管理系统的功率密度和效率

Vishay Siliconix 的 SISF20DN-T1-GE3 共漏极双 N 沟道 60 V MOSFET 图片Vishay Siliconix 的 SISF20DN-T1-GE3 是一个共漏极双路 n 沟道 60 V MOSFET，采用紧凑的耐热增强型 PowerPAK® 1212-8SCD 封装。Vishay Siliconix SiSF20DN 旨在提高电池管理系统、插入式和无线充电器、DC/DC 转换器和电源的功率密度和效率，以 60 V 共漏极器件提供业界最低的 RS-S(ON)。

双路 MOSFET 在 10 V 时 RS-S(ON) 典型值低至 10 mΩ，目前是 3 mm x 3 mm 基底面中最低的 60 V 器件。与该尺寸的同级解决方案相比，该值具有 42.5% 以上的优势，还比 Vishay 的上一代设备低 89%。结果是减少了电源路径上的压降，并最大程度地降低了功耗，从而提高了效率。由于具备更高的功率密度，SiSF20DN 的单位面积 RS1S2(ON) 比竞品 MOSFET 低 46.6% 以上，包括更大型的 6 mm x 5 mm 解决方案。

为了节省 PCB 空间，减少元件数量并简化设计，该器件采用了优化的封装结构，并在共漏极配置中集成了两个单片集成 TrenchFET® Gen IV n 沟道 MOSFET。与传统的双封装类型相比，SiSF20DN 的源触点与扩大的连接并排放置，从而增加了与 PCB 的接触面积并降低了电阻率。这种设计使 MOSFET 非常适合 24 V 系统和工业应用中的双向开关，包括工厂自动化、电动工具、无人机、电机驱动器、白色家电、机器人、安全/监视和烟雾报警器。SiSF20DN 100% 经 Rg 和 UIS 测试，符合 RoHS 且无卤素。

特性
  • TrenchFET 第四代功率 MOSFET
  • 源到源接通电阻极低
  • 集成的共漏极 n 沟道 MOSFET 采用紧凑的耐热增强型封装
  • 100% 通过 Rg 和 UIS 测试
  • 优化电路布局以实现双向电流
应用
  • 电池保护开关
  • 双向开关
  • 负载开关
  • 24 V 系统

SISF20DN-T1-GE3 Common-Drain Dual N-Channel 60 V MOSFET

图片制造商零件编号描述FET 功能25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）可供货数量价格查看详情
MOSFET 2N-CH 60V 14A/52A PPAK 12SISF20DN-T1-GE3MOSFET 2N-CH 60V 14A/52A PPAK 12-14A（Ta），52A（Tc）13 毫欧 @ 7A，10V0 - 立即发货$12.56查看详情
发布日期： 2020-01-23