Vishay / Siliconix

TrenchFET® 功率 MOSFET 针对标准栅极驱动器进行了优化

Vishay 的 60 V MOSFET 提高了 PowerPAK® 1212-8S 封装的效率和功率密度

Vishay/Siliconix 用于标准栅极驱动器的 60V 功率 MOSFET 图片Vishay 的 60 V TrenchFET 第四代 n 沟道功率 MOSFET 是业界首款针对标准栅极驱动器进行优化的 MOSFET，采用耐热增强型 3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK 1212-8S 封装，在 10 V 时提供低至 4mΩ 的最大导通电阻。Vishay Siliconix SiSS22DN 旨在提高开关拓扑的效率和功率密度，具有低 QOSS 值和 22.5 nC 的栅极电荷。

特性
  • 10 V 时最大导通电阻低至 4mΩ，可最大限度地降低传导损耗
  • 低至 34.2 nC 的 QOSS 和 22.5nC 的栅极电荷，减少了开关功率损耗
  • 采用紧凑的 3.3 mm x 3.3mm PowerPAK® 1212-8S 封装
  • 通过 100% RG 和 UIS 测试、符合 RoHS 规范且不含卤素
应用
  • 采用 AC/DC 和 DC/DC 拓扑进行同步整流
  • DC/DC 转换器中的初级侧开关、降压升压转换器中的半桥 MOSFET 功率级以及电信和服务器电源中的 OR-ing 功能
  • 电动工具和工业设备中的电机驱动控制和电路保护
  • 电池管理模块中的电池保护和充电

TrenchFET® 60 V Power MOSFET

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MOSFET N-CH 60V 25A/90.6A PPAKSISS22DN-T1-GE3MOSFET N-CH 60V 25A/90.6A PPAK8647 - 立即发货See Page for Pricing查看详情
发布日期： 2019-08-14