单 FET,MOSFET

结果 : 25
制造商
GeneSiC SemiconductorInfineon TechnologiesMicrochip TechnologyonsemiQorvoRohm SemiconductorTransphormWolfspeed, Inc.
系列
-C3M™CoolSiC™G3R™SuperGaN™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘散装管件
技术
GaNFET(氮化镓)SiC(碳化硅结晶体管)SiCFET(共源共栅 SiCJFET)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
650 V750 V900 V1200 V1700 V2000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
58A(Tc)60A(Tc)65A(Tc)68A(Tc)81A(Tc)90A(Tc)93A(Tc)102A(Tc)106A(Tc)107A(Tc)113A(Tc)115A(Tc)116A(Tc)118A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V12V15V15V,18V18V,20V20V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
9.9 毫欧 @ 108A,18V11.3 毫欧 @ 93A,20V11.4 毫欧 @ 70A,12V11.5 毫欧 @ 70A,12V16.5 毫欧 @ 60A,18V18 毫欧 @ 60A,10V18.4 毫欧 @ 54.3A,18V20 毫欧 @ 74A,18V21毫欧 @ 50A,12V22 毫欧 @ 40A,20V22.3 毫欧 @ 75A,15V23 毫欧 @ 20A,12V24 毫欧 @ 60A,15V28 毫欧 @ 60A,15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.69V @ 12mA2.69V @ 15mA2.7V @ 4.5mA(典型值)3.25V @ 2.5mA(典型值)3.6V @ 23mA4,3V @ 10mA4.3V @ 20mA4.63V @ 37mA4.8V @ 2mA5.1V @ 30mA5.2V @ 23.4mA5.2V @ 47mA5.5V @ 10mA5.5V @ 48mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
37.8 nC @ 15 V43 nC @ 12 V75 nC @ 15 V100 nC @ 10 V106 nC @ 20 V145 nC @ 18 V155 nC @ 15 V178 nC @ 20 V196 nC @ 15 V211 nC @ 15 V218 nC @ 15 V219 nC @ 15 V220 nC @ 20 V246 nC @ 18 V
Vgs(最大值)
+15V,-4V±15V+19V,-10V+20V,-5V+20V,-7V±20V+22V,-10V+22V,-4V+22V,-8V+23V,-10V+23V,-5V+25V,-15V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1422 pF @ 100 V1500 pF @ 100 V1762 pF @ 800 V1781 pF @ 800 V2943 pF @ 800 V3300 pF @ 1000 V3340 pF @ 400 V3901 pF @ 800 V4415 pF @ 450 V4580 pF @ 800 V5218 pF @ 400 V5280 pF @ 1000 V5703 pF @ 800 V5873 pF @ 800 V
功率耗散(最大值)
266W(Tc)319W(Tc)348W(Tc)370W(Tc)375W(Tc)385W(Tc)400W(Tc)429W(Tc)455W(Tc)484W(Tc)503W(Tc)510W(Tc)517W(Tc)542W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)175°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO247-3PG-TO247-4-11PG-TO247-4-8PG-TO247-4-U04TO-247-3TO-247-4TO-247-4LTOLL模块
封装/外壳
8-PowerSFNTO-247-3TO-247-4模块
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
25结果

显示
/ 25
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-3L
UJ4C075018K3S
SICFET N-CH 750V 81A TO247-3
Qorvo
5,766
现货
1 : ¥148.18000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
750 V
81A(Tc)
-
23 毫欧 @ 20A,12V
6V @ 10mA
37.8 nC @ 15 V
±20V
1422 pF @ 100 V
-
385W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
NTHL040N120SC1
SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
onsemi
433
现货
1 : ¥162.46000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
60A(Tc)
20V
56毫欧 @ 35A,20V
4,3V @ 10mA
106 nC @ 20 V
+25V,-15V
1781 pF @ 800 V
-
348W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-4 Top
G3R30MT12K
SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
3,402
现货
1 : ¥184.96000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
90A(Tc)
15V
36 毫欧 @ 50A,15V
2.69V @ 12mA
155 nC @ 15 V
±15V
3901 pF @ 800 V
-
400W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4
NTH4L020N090SC1
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
onsemi
431
现货
1 : ¥223.95000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
900 V
116A(Tc)
15V,18V
28 毫欧 @ 60A,15V
4.3V @ 20mA
196 nC @ 15 V
+22V,-8V
4415 pF @ 450 V
-
484W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247-3
NTHL020N090SC1
SICFET N-CH 900V 118A TO247-3
onsemi
249
现货
450
工厂
1 : ¥225.18000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
900 V
118A(Tc)
15V
28 毫欧 @ 60A,15V
4.3V @ 20mA
196 nC @ 15 V
+19V,-10V
4415 pF @ 450 V
-
503W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TP65H015G5WS
TP65H015G5WS
650 V 95 A GAN FET
Transphorm
673
现货
1 : ¥264.83000
管件
管件
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
650 V
93A(Tc)
10V
18 毫欧 @ 60A,10V
4.8V @ 2mA
100 nC @ 10 V
±20V
5218 pF @ 400 V
-
266W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-4 Top
G3R20MT12K
SIC MOSFET N-CH 128A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
1,085
现货
1 : ¥296.28000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
128A(Tc)
15V
24 毫欧 @ 60A,15V
2.69V @ 15mA
219 nC @ 15 V
±15V
5873 pF @ 800 V
-
542W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
224
现货
1 : ¥298.25000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
127A(Tc)
15V,18V
18.4 毫欧 @ 54.3A,18V
5.2V @ 23.4mA
145 nC @ 18 V
+20V,-5V
4580 pF @ 800 V
-
455W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
TO-247-4L
UJ4SC075009K4S
750V/9MOHM, SIC, STACKED CASCODE
Qorvo
558
现货
1 : ¥304.73000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
750 V
106A(Tc)
12V
11.5 毫欧 @ 70A,12V
5.5V @ 10mA
75 nC @ 15 V
±20V
3340 pF @ 400 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4L
UF3SC120016K4S
SICFET N-CH 1200V 107A TO247-4
Qorvo
1,209
现货
1 : ¥318.03000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
1200 V
107A(Tc)
12V
21毫欧 @ 50A,12V
6V @ 10mA
218 nC @ 15 V
±20V
7824 pF @ 800 V
-
517W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4
MSC035SMA170B4
MOSFET SIC 1700V 35 MOHM TO-247-
Microchip Technology
241
现货
1 : ¥343.15000
散装
-
散装
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
68A(Tc)
20V
45 毫欧 @ 30A,20V
3.25V @ 2.5mA(典型值)
178 nC @ 20 V
+23V,-10V
3300 pF @ 1000 V
-
370W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4
NVH4L020N120SC1
SICFET N-CH 1200V 102A TO247
onsemi
1,408
现货
1 : ¥420.15000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
102A(Tc)
20V
28毫欧 @ 60A,20V
4.3V @ 20mA
220 nC @ 20 V
+25V,-15V
2943 pF @ 800 V
-
510W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
228
现货
1 : ¥538.62000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
225A(Tc)
15V,18V
9.9 毫欧 @ 108A,18V
5.2V @ 47mA
289 nC @ 18 V
+20V,-5V
9170 pF @ 800 V
-
750W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-4-8
TO-247-4
C3M0065100K
C3M0016120K
SICFET N-CH 1.2KV 115A TO247-4
Wolfspeed, Inc.
309
现货
1 : ¥748.36000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
115A(Tc)
15V
22.3 毫欧 @ 75A,15V
3.6V @ 23mA
211 nC @ 15 V
+15V,-4V
6085 pF @ 1000 V
-
556W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
182
现货
1 : ¥996.45000
管件
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
2000 V
123A(Tc)
15V,18V
16.5 毫欧 @ 60A,18V
5.5V @ 48mA
246 nC @ 18 V
+20V,-7V
-
-
552W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-4-U04
TO-247-4
TO-247-4L
UJ4C075018K4S
SICFET N-CH 750V 81A TO247-4
Qorvo
500
现货
1 : ¥151.87000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
750 V
81A(Tc)
-
23 毫欧 @ 20A,12V
6V @ 10mA
37.8 nC @ 15 V
±20V
1422 pF @ 100 V
-
385W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4L
UF3C120040K4S
SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4
Qorvo
806
现货
1 : ¥220.83000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
1200 V
65A(Tc)
12V
45毫欧 @ 40A,12V
6V @ 10mA
43 nC @ 12 V
±25V
1500 pF @ 100 V
-
429W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
SICFET N-CH 750V 106A TOLL
UJ4SC075008L8S
SICFET N-CH 750V 106A TOLL
Qorvo
99
现货
1 : ¥414.08000
剪切带(CT)
2,000 : ¥195.79294
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
750 V
106A(Tc)
12V
11.4 毫欧 @ 70A,12V
5.5V @ 10mA
75 nC @ 15 V
±20V
3340 pF @ 400 V
-
600W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TOLL
8-PowerSFN
TO-247-4
NVH4L040N120SC1
SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
onsemi
364
现货
1 : ¥145.63000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
58A(Tc)
20V
56毫欧 @ 35A,20V
4,3V @ 10mA
106 nC @ 20 V
+25V,-15V
1762 pF @ 800 V
-
319W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247-4
NVH4L020N090SC1
SIC MOSFET 900V TO247-4L
onsemi
871
现货
1 : ¥297.92000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
900 V
116A(Tc)
15V,18V
28 毫欧 @ 60A,15V
4.3V @ 20mA
196 nC @ 15 V
+22V,-8V
4415 pF @ 450 V
-
484W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247-4
NTH4L014N120M3P
SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE
onsemi
85
现货
1 : ¥237.58000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
127A(Tc)
15V,18V
20 毫欧 @ 74A,18V
4.63V @ 37mA
329 nC @ 18 V
+22V,-10V
6230 pF @ 800 V
-
686W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
BSM400C12P3G202
BSM400C12P3G202
SICFET N-CH 1200V 400A MODULE
Rohm Semiconductor
4
现货
1 : ¥7,829.42000
托盘
-
托盘
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
400A(Tc)
-
-
5.6V @ 106.8mA
-
+22V,-4V
17000 pF @ 10 V
-
1570W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
底座安装
模块
模块
TO-247-4
MSC017SMA120B4
MOSFET SIC 1200V 17 MOHM TO-247
Microchip Technology
35
现货
1 : ¥393.64000
散装
-
散装
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
113A(Tc)
20V
22 毫欧 @ 40A,20V
2.7V @ 4.5mA(典型值)
249 nC @ 20 V
+22V,-10V
5280 pF @ 1000 V
-
455W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-3
MSC017SMA120B
MOSFET SIC 1200V 17 MOHM TO-247
Microchip Technology
2
现货
1 : ¥382.23000
散装
-
散装
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
113A(Tc)
20V
22 毫欧 @ 40A,20V
2.7V @ 4.5mA(典型值)
249 nC @ 20 V
+22V,-10V
5280 pF @ 1000 V
-
455W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
0
现货
查看交期
1 : ¥415.39000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
202A(Tc)
18V,20V
11.3 毫欧 @ 93A,20V
5.1V @ 30mA
178 nC @ 20 V
+23V,-5V
5703 pF @ 800 V
-
750W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
PG-TO247-4-11
TO-247-4
显示
/ 25

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。