单 FET,MOSFET

结果 : 24
产品状态
停产在售
FET 类型
-N 通道
漏源电压(Vdss)
750 V1200 V1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9A(Tc)11A(Tc)19A(Tc)21A(Tc)22A(Tc)41A(Tc)42A(Tc)61A(Tc)71A(Tc)75A(Tc)90A(Tc)96A(Tc)100A(Tc)105A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
15V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
24 毫欧 @ 60A,15V26 毫欧 @ 75A,15V36 毫欧 @ 50A,15V48 毫欧 @ 35A,15V58 毫欧 @ 40A,15V90 毫欧 @ 20A,15V192 毫欧 @ 10A,15V208 毫欧 @ 10A,15V208 毫欧 @ 12A,15V420 毫欧 @ 4A,15V585 毫欧 @ 4A,15V-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.69V @ 10mA2.69V @ 12mA2.69V @ 15mA2.69V @ 2mA2.69V @ 5mA2.69V @ 7.5mA2.7V @ 15mA2.7V @ 18mA(典型值)2.7V @ 2mA2.7V @ 5mA2.7V @ 5mA(典型值)2.7V @ 8mA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
12 nC @ 15 V18 nC @ 15 V23 nC @ 15 V28 nC @ 15 V51 nC @ 15 V54 nC @ 15 V106 nC @ 15 V155 nC @ 15 V182 nC @ 15 V219 nC @ 15 V400 nC @ 15 V
Vgs(最大值)
±15V+20V,-10V+22V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
334 pF @ 800 V454 pF @ 1000 V724 pF @ 800 V730 pF @ 800 V1272 pF @ 1000 V1560 pF @ 800 V2929 pF @ 800 V3901 pF @ 800 V4523 pF @ 1000 V5873 pF @ 800 V10187 pF @ 1000 V
功率耗散(最大值)
74W(Tc)75W(Tc)88W(Tc)91W(Tc)123W(Tc)128W(Tc)175W(Tc)207W(Tc)224W(Tc)333W(Tc)365W(Tc)374W(Tc)400W(Tc)438W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)-
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
SOT-227TO-247-3TO-247-4TO-263-7
封装/外壳
SOT-227-4,miniBLOCTO-247-3TO-247-4TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
24结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 24
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-3
G3R160MT12D
SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
3,401
现货
1 : ¥53.52000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
22A(Tc)
15V
192 毫欧 @ 10A,15V
2.69V @ 5mA
28 nC @ 15 V
±15V
730 pF @ 800 V
-
123W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
G3R450MT17D
SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
2,765
现货
1 : ¥59.19000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
9A(Tc)
15V
585 毫欧 @ 4A,15V
2.7V @ 2mA
18 nC @ 15 V
±15V
454 pF @ 1000 V
-
88W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
G3R75MT12D
SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
3,464
现货
1 : ¥86.20000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
41A(Tc)
15V
90 毫欧 @ 20A,15V
2.69V @ 7.5mA
54 nC @ 15 V
+22V,-10V
1560 pF @ 800 V
-
207W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-4 Top
G3R75MT12K
SIC MOSFET N-CH 41A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
706
现货
1 : ¥88.41000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
41A(Tc)
15V
90 毫欧 @ 20A,15V
2.69V @ 7.5mA
54 nC @ 15 V
+22V,-10V
1560 pF @ 800 V
-
207W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-3
G3R160MT17D
SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
1,049
现货
1 : ¥100.48000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
21A(Tc)
15V
208 毫欧 @ 12A,15V
2.7V @ 5mA
51 nC @ 15 V
±15V
1272 pF @ 1000 V
-
175W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
G3R40MT12D
SIC MOSFET N-CH 71A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
1,717
现货
1 : ¥143.01000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
71A(Tc)
15V
48 毫欧 @ 35A,15V
2.69V @ 10mA
106 nC @ 15 V
±15V
2929 pF @ 800 V
-
333W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-4 Top
G3R30MT12K
SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
3,406
现货
1 : ¥184.96000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
90A(Tc)
15V
36 毫欧 @ 50A,15V
2.69V @ 12mA
155 nC @ 15 V
±15V
3901 pF @ 800 V
-
400W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-3
G3R45MT17D
SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
1,009
现货
1 : ¥268.69000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
61A(Tc)
15V
58 毫欧 @ 40A,15V
2.7V @ 8mA
182 nC @ 15 V
±15V
4523 pF @ 1000 V
-
438W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-4 Top
G3R45MT17K
SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
897
现货
1 : ¥271.48000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
61A(Tc)
15V
58 毫欧 @ 40A,15V
2.7V @ 8mA
182 nC @ 15 V
±15V
4523 pF @ 1000 V
-
438W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4 Top
G3R20MT12K
SIC MOSFET N-CH 128A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
1,085
现货
1 : ¥296.28000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
128A(Tc)
15V
24 毫欧 @ 60A,15V
2.69V @ 15mA
219 nC @ 15 V
±15V
5873 pF @ 800 V
-
542W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4 Top
G3R20MT17K
SIC MOSFET N-CH 124A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
1,192
现货
1 : ¥880.04000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
124A(Tc)
15V
26 毫欧 @ 75A,15V
2.7V @ 15mA
400 nC @ 15 V
±15V
10187 pF @ 1000 V
-
809W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-4
TO-247-4
GA100JT12-227
G3R20MT17N
SIC MOSFET N-CH 100A SOT227
GeneSiC Semiconductor
158
现货
1 : ¥1,112.04000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
100A(Tc)
15V
26 毫欧 @ 75A,15V
2.7V @ 15mA
400 nC @ 15 V
±15V
10187 pF @ 1000 V
-
523W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
底座安装
SOT-227
SOT-227-4,miniBLOC
TO-247-3
G3R350MT12D
SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
8,523
现货
1 : ¥38.91000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
11A(Tc)
15V
420 毫欧 @ 4A,15V
2.69V @ 2mA
12 nC @ 15 V
±15V
334 pF @ 800 V
-
74W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-4 Top
G3R60MT07K
750V 60M TO-247-4 G3R SIC MOSFET
GeneSiC Semiconductor
1,715
现货
1 : ¥85.38000
管件
管件
在售
-
SiCFET(碳化硅)
750 V
-
-
-
-
-
+20V,-10V
-
-
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4 Top
G3R40MT12K
SIC MOSFET N-CH 71A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
3,925
现货
1 : ¥145.06000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
71A(Tc)
15V
48 毫欧 @ 35A,15V
2.69V @ 10mA
106 nC @ 15 V
±15V
2929 pF @ 800 V
-
333W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-4
TO-247-4
GA100JT12-227
G3R20MT12N
SIC MOSFET N-CH 105A SOT227
GeneSiC Semiconductor
223
现货
1 : ¥461.37000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
105A(Tc)
15V
24 毫欧 @ 60A,15V
2.69V @ 15mA
219 nC @ 15 V
+20V,-10V
5873 pF @ 800 V
-
365W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
底座安装
SOT-227
SOT-227-4,miniBLOC
TO-247-3
G3R60MT07D
750V 60M TO-247-3 G3R SIC MOSFET
GeneSiC Semiconductor
2,868
现货
1 : ¥83.24000
管件
管件
在售
-
SiCFET(碳化硅)
750 V
-
-
-
-
-
+20V,-10V
-
-
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
GA20JT12-263
G3R350MT12J
SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7
GeneSiC Semiconductor
3,641
现货
1 : ¥45.23000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
11A(Tc)
15V
420 毫欧 @ 4A,15V
2.69V @ 2mA
12 nC @ 15 V
±15V
334 pF @ 800 V
-
75W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
GA20JT12-263
G3R160MT12J
SIC MOSFET N-CH 19A TO263-7
GeneSiC Semiconductor
1,060
现货
1 : ¥59.60000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
19A(Tc)
15V
208 毫欧 @ 10A,15V
2.7V @ 5mA(典型值)
23 nC @ 15 V
+20V,-10V
724 pF @ 800 V
-
128W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
GA20JT12-263
G3R450MT17J
SIC MOSFET N-CH 9A TO263-7
GeneSiC Semiconductor
6,250
现货
1 : ¥66.00000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
9A(Tc)
15V
585 毫欧 @ 4A,15V
2.7V @ 2mA
18 nC @ 15 V
±15V
454 pF @ 1000 V
-
91W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
750V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
G3R60MT07J
750V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
GeneSiC Semiconductor
1,294
现货
1 : ¥87.84000
管件
管件
在售
-
SiCFET(碳化硅)
750 V
-
-
-
-
-
+20V,-10V
-
-
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
GA20JT12-263
G3R40MT12J
SIC MOSFET N-CH 75A TO263-7
GeneSiC Semiconductor
1,457
现货
1 : ¥147.60000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
75A(Tc)
15V
48 毫欧 @ 35A,15V
2.7V @ 18mA(典型值)
106 nC @ 15 V
±15V
2929 pF @ 800 V
-
374W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
GA20JT12-263
G3R30MT12J
SIC MOSFET N-CH 96A TO263-7
GeneSiC Semiconductor
18
现货
1 : ¥187.42000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
96A(Tc)
15V
36 毫欧 @ 50A,15V
2.69V @ 12mA
155 nC @ 15 V
±15V
3901 pF @ 800 V
-
459W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
GA20JT12-263
G3R75MT12J
SIC MOSFET N-CH 42A TO263-7
GeneSiC Semiconductor
2
现货
1 : ¥90.55000
管件
管件
停产
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
42A(Tc)
15V
90 毫欧 @ 20A,15V
2.69V @ 7.5mA
54 nC @ 15 V
±15V
1560 pF @ 800 V
-
224W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
显示
/ 24

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。