单 FET，MOSFET

结果 : 9
制造商
GeneSiC SemiconductorLittelfuse Inc.Microchip TechnologyRohm SemiconductorWolfspeed, Inc.
系列
-C2M™G2R™Polar
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）散装管件
FET 类型
-N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
1200 V1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.4A（Tc）3A（Tc）3.7A（Tc）5.3A（Tc）5.9A（Tc）6A（Tc）59A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V18V20V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
45 毫欧 @ 30A，20V940 毫欧 @ 2.5A，20V975 毫欧 @ 1.7A，18V1.2 欧姆 @ 2A，20V1.4 欧姆 @ 2A，20V1.5 欧姆 @ 1.1A，18V13 欧姆 @ 700mA，10V-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.25V @ 100µA（典型值）3.25V @ 2.5mA（典型值）4V @ 2mA4V @ 500µA4V @ 630µA4V @ 900µA4.5V @ 100µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11 nC @ 20 V13 nC @ 20 V14 nC @ 18 V17 nC @ 18 V24.8 nC @ 10 V178 nC @ 20 V
Vgs（最大值）
+20V，-10V±20V+22V，-6V+23V，-10V+25V，-10V±30V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
139 pF @ 1000 V184 pF @ 1000 V184 pF @ 800 V200 pF @ 1000 V275 pF @ 800 V666 pF @ 25 V3300 pF @ 1000 V
功率耗散（最大值）
35W（Tc）54W（Tc）57W（Tc）63W（Tc）78W（Tc）86W（Tc）278W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）175°C（TJ）-
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
D2PAK-7D2PAK（7-Lead）D3PAKTO-252AATO-263-7TO-268TO-3PFM
封装/外壳
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-7（直引线）TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CATO-263-8，DPak（7 引线 + 接片）TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AATO-3PFM，SC-93-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
显示
/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-3PFM
SCT2H12NZGC11
SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM
Rohm Semiconductor
2,213
现货
1 : ¥59.19000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1700 V
3.7A（Tc）
18V
1.5 欧姆 @ 1.1A，18V
4V @ 900µA
14 nC @ 18 V
+22V，-6V
184 pF @ 800 V
-
35W（Tc）
175°C（TJ）
通孔
TO-3PFM
TO-3PFM，SC-93-3
C3M0065090J
C2M1000170J
SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK
Wolfspeed, Inc.
473
现货
1 : ¥87.59000
散装
散装
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1700 V
5.3A（Tc）
20V
1.4 欧姆 @ 2A，20V
4V @ 500µA
13 nC @ 20 V
+25V，-10V
200 pF @ 1000 V
-
78W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK（7-Lead）
TO-263-7（直引线）
513
现货
1 : ¥50.82000
管件
-
管件
在售
-
SiCFET（碳化硅）
1700 V
6A（Tc）
-
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装型
D3PAK
TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
GA20JT12-263
G2R1000MT17J
SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7
GeneSiC Semiconductor
12,524
现货
1 : ¥52.87000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1700 V
3A（Tc）
20V
1.2 欧姆 @ 2A，20V
4V @ 2mA
-
+20V，-10V
139 pF @ 1000 V
-
54W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
D3PAK
MSC035SMA170S
MOSFET SIC 1700V 35 MOHM TO-268
Microchip Technology
25
现货
1 : ¥340.69000
散装
-
散装
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1700 V
59A（Tc）
20V
45 毫欧 @ 30A，20V
3.25V @ 2.5mA（典型值）
178 nC @ 20 V
+23V，-10V
3300 pF @ 1000 V
-
278W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D3PAK
TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
SCT2xxxNYTB
SCT2750NYTB
SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268
Rohm Semiconductor
0
现货
查看交期
1 : ¥55.17000
剪切带（CT）
400 : ¥37.09250
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1700 V
5.9A（Tc）
18V
975 毫欧 @ 1.7A，18V
4V @ 630µA
17 nC @ 18 V
+22V，-6V
275 pF @ 800 V
-
57W（Tc）
175°C（TJ）
表面贴装型
TO-268
TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
TO-252-3
IXTY1R4N120P
MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252
Littelfuse Inc.
0
现货
490
工厂
查看交期
1 : ¥32.76000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1200 V
1.4A（Tc）
10V
-
4.5V @ 100µA
-
±20V
-
-
-
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252-3
IXTY1R4N120PHV
MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252
Littelfuse Inc.
0
现货
350
工厂
查看交期
350 : ¥20.98660
卷带（TR）
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1200 V
1.4A（Tc）
10V
13 欧姆 @ 700mA，10V
4.5V @ 100µA
24.8 nC @ 10 V
±30V
666 pF @ 25 V
-
86W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
D2PAK-7
MSC750SMA170SA
MOSFET SIC 1700 V 750 MOHM D2PAK
Microchip Technology
0
现货
查看交期
150 : ¥37.68093
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1700 V
6A（Tc）
20V
940 毫欧 @ 2.5A，20V
3.25V @ 100µA（典型值）
11 nC @ 20 V
+23V，-10V
184 pF @ 1000 V
-
63W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8，DPak（7 引线 + 接片）
显示
/ 9

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。