单 FET，MOSFET

结果 : 5
漏源电压（Vdss）
1700 V3300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A（Tc）4A（Tc）5A（Tc）35A63A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
50 毫欧 @ 40A，20V156 毫欧 @ 20A，20V1.2 欧姆 @ 2A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 10mA（典型值）3.5V @ 2mA4V @ 2mA5.5V @ 500µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11 nC @ 20 V21 nC @ 20 V145 nC @ 20 V340 nC @ 20 V
Vgs（最大值）
+20V，-10V+20V，-5V+25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
111 pF @ 1000 V139 pF @ 1000 V238 pF @ 1000 V3706 pF @ 1000 V7301 pF @ 1000 V
功率耗散（最大值）
44W（Tc）54W（Tc）74W（Tc）536W（Tc）-
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
TO-247-3TO-247-4TO-263-7
封装/外壳
TO-247-3TO-247-4TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-3
G2R1000MT17D
SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
9,923
现货
1 : ¥44.66000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1700 V
5A（Tc）
20V
1.2 欧姆 @ 2A，20V
5.5V @ 500µA
11 nC @ 20 V
+25V，-10V
111 pF @ 1000 V
-
44W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
GA20JT12-263
G2R1000MT17J
SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7
GeneSiC Semiconductor
12,544
现货
1 : ¥52.87000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1700 V
3A（Tc）
20V
1.2 欧姆 @ 2A，20V
4V @ 2mA
-
+20V，-10V
139 pF @ 1000 V
-
54W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
GA20JT12-263
G2R1000MT33J
SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
GeneSiC Semiconductor
3,493
现货
1 : ¥153.43000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
3300 V
4A（Tc）
20V
1.2 欧姆 @ 2A，20V
3.5V @ 2mA
21 nC @ 20 V
+20V，-5V
238 pF @ 1000 V
-
74W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
GA20JT12-263
G2R120MT33J
SIC MOSFET N-CH TO263-7
GeneSiC Semiconductor
535
现货
1 : ¥886.86000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
3300 V
35A
20V
156 毫欧 @ 20A，20V
-
145 nC @ 20 V
+25V，-10V
3706 pF @ 1000 V
-
-
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
G2R50MT33K
G2R50MT33K
3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET
GeneSiC Semiconductor
0
现货
查看交期
1 : ¥2,427.26000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
3300 V
63A（Tc）
20V
50 毫欧 @ 40A，20V
3.5V @ 10mA（典型值）
340 nC @ 20 V
+25V，-10V
7301 pF @ 1000 V
-
536W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-4
TO-247-4
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。