单 FET，MOSFET

结果 : 6
包装
卷带（TR）散装管件
产品状态
停产在售
漏源电压（Vdss）
1200 V1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.3A（Tc）36A（Tc）40A（Tc）72A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
59 毫欧 @ 50A，20V70 毫欧 @ 50A，20V98 毫欧 @ 20A，20V125 毫欧 @ 28A，20V1.4 欧姆 @ 2A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 10mA4V @ 18mA4V @ 500µA4V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
13 nC @ 20 V62 nC @ 5 V120 nC @ 20 V188 nC @ 20 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
200 pF @ 1000 V950 pF @ 1000 V2250 pF @ 1000 V3672 pF @ 1000 V
功率耗散（最大值）
78W（Tc）192W（Tc）277W（Tc）520W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
D2PAK（7-Lead）TO-247-3TO-247-4LTO-263-7
封装/外壳
TO-247-3TO-247-4TO-263-7（直引线）TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
库存选项
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媒体
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
C3M0065090J
C2M1000170J
SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK
Wolfspeed, Inc.
413
现货
1 : ¥87.60000
散装
散装
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1700 V
5.3A（Tc）
20V
1.4 欧姆 @ 2A，20V
4V @ 500µA
13 nC @ 20 V
+25V，-10V
200 pF @ 1000 V
-
78W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK（7-Lead）
TO-263-7（直引线）
C2D10120D
C2M0080120D
SICFET N-CH 1200V 36A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
1,555
现货
1 : ¥240.06000
散装
散装
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
36A（Tc）
20V
98 毫欧 @ 20A，20V
4V @ 5mA
62 nC @ 5 V
+25V，-10V
950 pF @ 1000 V
-
192W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
C2D10120D
C2M0045170D
SICFET N-CH 1700V 72A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
450
现货
1 : ¥963.10000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1700 V
72A（Tc）
20V
70 毫欧 @ 50A，20V
4V @ 18mA
188 nC @ 20 V
+25V，-10V
3672 pF @ 1000 V
-
520W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
C3M0065090J-TR
C2M1000170J-TR
SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK-7
Wolfspeed, Inc.
4,800
现货
800 : ¥60.47754
卷带（TR）
卷带（TR）
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1700 V
5.3A（Tc）
20V
1.4 欧姆 @ 2A，20V
4V @ 500µA
13 nC @ 20 V
+25V，-10V
200 pF @ 1000 V
-
78W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
C2M0045170P
C2M0045170P
SICFET N-CH 1700V 72A TO247-4
Wolfspeed, Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥925.42000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1700 V
72A（Tc）
20V
59 毫欧 @ 50A，20V
4V @ 18mA
188 nC @ 20 V
+25V，-10V
3672 pF @ 1000 V
-
520W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
SICFET N-CH 1700V 40A TO247-4
C2M0080170P
SICFET N-CH 1700V 40A TO247-4
Wolfspeed, Inc.
0
现货
450 : ¥267.33324
管件
管件
停产
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1700 V
40A（Tc）
20V
125 毫欧 @ 28A，20V
4V @ 10mA
120 nC @ 20 V
+25V，-10V
2250 pF @ 1000 V
-
277W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
显示
/ 6

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。