Name: SCTWA60N120G2-4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTWA60N120G2-4-ND
Price: 259.42 CNY
Availability: OutOfStock

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SCTWA60N120G2-4
DigiKey 零件编号	497-SCTWA60N120G2-4-ND
制造商	STMicroelectronics
制造商产品编号	SCTWA60N120G2-4
描述	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
原厂标准交货期	32 周
客户内部零件编号
详细描述	通孔 N 通道 1200 V 60A（Tc） 388W（Tc） TO-247-4
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	SCTWA60N120G2-4 型号

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	STMicroelectronics
系列	-
包装	管件
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）	1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	52 毫欧 @ 30A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	94 nC @ 18 V
Vgs（最大值）	+22V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1969 pF @ 800 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	388W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 200°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-247-4
封装/外壳	TO-247-4