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市场产品
SCTWA60N120G2-4 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 497-SCTWA60N120G2-4-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | SCTWA60N120G2-4 |
描述 | SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120 |
原厂标准交货期 | 32 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 1200 V 60A（Tc） 388W（Tc） TO-247-4 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | SCTWA60N120G2-4 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | - | |
包装 | 管件 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 1200 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 18V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 52 毫欧 @ 30A，18V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 1mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 94 nC @ 18 V | |
Vgs（最大值） | +22V，-10V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1969 pF @ 800 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 388W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 200°C（TJ） | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | TO-247-4 | |
封装/外壳 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
管件
| 数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
|---|---|---|
| 1 | ¥259.42000 | ¥259.42 |
| 10 | ¥239.23700 | ¥2,392.37 |
| 30 | ¥228.48800 | ¥6,854.64 |
| 120 | ¥204.29442 | ¥24,515.33 |
| 270 | ¥194.88626 | ¥52,619.29 |
制造商标准包装
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