STMicroelectronics 单 FET,MOSFET

结果 : 2,453
系列
-*Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7DeepGATE™, STripFET™DeepGATE™, STripFET™ H6DeepGATE™, STripFET™ VIDeepGATE™, STripFET™ VIIECOPACK®FDmesh™FDmesh™ IIFDmesh™ II Plus
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)带盒(TB)托盘散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
12 V20 V24 V25 V30 V33 V40 V45 V50 V55 V60 V68 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA(Tc)250mA(Tc)300mA(Tc)350mA(Tc)400mA(Tc)430mA(Tc)500mA(Tc)600mA(Tc)650mA(Ta),2.2A(Tc)1A(Tc)1.2A(Tc)1.4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V,10V1.5V,4.5V1.8V,4.5V1.95V,4.5V2.5V,4.5V2.7V,4.5V4.5V,10V5V5V,10V5.5V,10V6V6.5V,10V10V10V,5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.75 毫欧 @ 60A,10V1 毫欧 @ 80A,10V1.1 毫欧 @ 24A,10V1.1 毫欧 @ 25A,10V1.1 毫欧 @ 60A,10V1.1 毫欧 @ 90A,10V1.15 毫欧 @ 60A,10V1.2 毫欧 @ 80A,10V1.25 毫欧 @ 60A,10V1.3 毫欧 @ 17.5A,10V1.3 毫欧 @ 22.5A,10V1.3 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
450mV @ 250µA(最小)500mV @ 250µA(最小)600mV @ 250µA(最小)700mV @ 250µA(最小)1V @ 250µA1V @ 250µA(最小)1.2V @ 1mA1.2V @ 1mA(最小)1.2V @ 250µA1.5V @ 100µA1.7V @ 250µA1.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.9 nC @ 10 V2 nC @ 10 V2 nC @ 5 V2.63 nC @ 10 V3 nC @ 10 V3 nC @ 6 V3.4 nC @ 10 V3.6 nC @ 4.5 V3.7 nC @ 10 V3.7 nC @ 4.5 V4 nC @ 10 V4.1 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
4.2V @ 1mA+6V,-10V±8V±10V±12V±15V±16V±17V+18V,-5V±18V+20V,-16V+20V,-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
43 pF @ 25 V90 pF @ 25 V94 pF @ 25 V95 pF @ 100 V102 pF @ 100 V105 pF @ 100 V105 pF @ 25 V110 pF @ 100 V115 pF @ 100 V120 pF @ 25 V122 pF @ 100 V124 pF @ 100 V
FET 功能
-肖特基二极管(体)肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
125mW(Ta),3W(Tc)160mW350mW(Tc)620mW(Ta),77W(Tc)1W(Tc)1.6W(Ta)1.6W(Tc)2W(Ta)2W(Ta),22W(Tc)2W(Ta),50W(Tc)2W(Tc)2.4W(Ta)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-65°C ~ 175°C(TJ)-60°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 200°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-50°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)175°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
-底座安装表面贴装型表面贴装,可润湿侧翼通孔
供应商器件封装
8-SO8-SOIC8-SOIC-EP10-PowerSO14-PowerFLAT™(5x5)-D2PAKDPAKH2PAKH2PAK-2H2PAK-6H2PAK-7
封装/外壳
6-PowerWDFN8-PowerDFN8-PowerSFN8-PowerVDFN8-PowerWDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘14-PowerVQFN-ISOTOPISOWATT-218-3PolarPak®
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2,453结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 2,453
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT223-3L
STN1NK60Z
MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
STMicroelectronics
14,317
现货
1 : ¥6.24000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.35715
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
300mA(Tc)
10V
15 欧姆 @ 400mA,10V
4.5V @ 50µA
6.9 nC @ 10 V
±30V
94 pF @ 25 V
-
3.3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
SOT223-3L
STN3N40K3
MOSFET N-CH 400V 1.8A SOT223
STMicroelectronics
64,132
现货
1 : ¥6.32000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.41694
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
1.8A(Tc)
10V
3.4 欧姆 @ 600mA,10V
4.5V @ 50µA
11 nC @ 10 V
±30V
165 pF @ 50 V
-
3.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
SOT223-3L
STN4NF03L
MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223
STMicroelectronics
2,145
现货
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.19955
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6.5A(Tc)
5V,10V
50 毫欧 @ 2A,10V
1V @ 250µA
9 nC @ 10 V
±16V
330 pF @ 25 V
-
3.3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
MFG_DPAK(TO252-3)
STD10P6F6
MOSFET P CH 60V 10A DPAK
STMicroelectronics
4,998
现货
1 : ¥7.88000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.26860
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
10A(Tc)
10V
160 毫欧 @ 5A,10V
4V @ 250µA
6.4 nC @ 10 V
±20V
340 pF @ 48 V
-
35W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
SOT223-3L
STN3NF06L
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
STMicroelectronics
85,311
现货
1 : ¥8.13000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.36140
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
4A(Tc)
5V,10V
100 毫欧 @ 1.5A,10V
2.8V @ 250µA
9 nC @ 5 V
±16V
340 pF @ 25 V
-
3.3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
SOT223-3L
STN2NF10
MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223
STMicroelectronics
7,179
现货
1 : ¥8.37000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.46664
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
2.4A(Tc)
10V
260 毫欧 @ 1.2A,10V
4V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
280 pF @ 25 V
-
3.3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
8PowerVDFN
STL7N10F7
MOSFET N-CH 100V POWERFLAT
STMicroelectronics
9,451
现货
1 : ¥8.62000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.56510
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
7A(Tj)
10V
35 毫欧 @ 3.5A,10V
4.5V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
920 pF @ 50 V
-
2.9W(Ta),50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerFlat™(3.3x3.3)
8-PowerVDFN
SOT223-3L
STN1HNK60
MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
STMicroelectronics
30,542
现货
1 : ¥8.78000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.62170
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
400mA(Tc)
10V
8.5 欧姆 @ 500mA,10V
3.7V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±30V
156 pF @ 25 V
-
3.3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
MFG_DPAK(TO252-3)
STD6NF10T4
MOSFET N-CH 100V 6A DPAK
STMicroelectronics
4,974
现货
1 : ¥8.78000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.63303
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
6A(Tc)
10V
250 毫欧 @ 3A,10V
4V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
280 pF @ 25 V
-
30W(Tc)
-65°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8PowerVDFN
STL6P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 6A POWERFLAT
STMicroelectronics
5,865
现货
1 : ¥9.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.84014
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6A(Tc)
4.5V,10V
30 毫欧 @ 3A,10V
1V @ 250µA(最小)
12 nC @ 4.5 V
±20V
1450 pF @ 25 V
-
2.9W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerFlat™(3.3x3.3)
8-PowerVDFN
MFG_DPAK(TO252-3)
STD20NF06LT4
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
STMicroelectronics
12,533
现货
1 : ¥11.99000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.95720
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
24A(Tc)
5V,10V
40 毫欧 @ 12A,10V
2.5V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±18V
660 pF @ 25 V
-
60W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PowerFlat™
STL42P4LLF6
MOSFET P-CH 40V 42A POWERFLAT
STMicroelectronics
24,482
现货
1 : ¥12.31000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.54358
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
42A(Tc)
4.5V,10V
18 毫欧 @ 5A,10V
2.5V @ 250µA
22 nC @ 4.5 V
±20V
2850 pF @ 25 V
-
75W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerFlat™(5x6)
8-PowerVDFN
PowerFlat™
STL60P4LLF6
MOSFET P-CH 40V 60A POWERFLAT
STMicroelectronics
8,497
现货
1 : ¥12.31000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.55130
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
60A(Tc)
4.5V,10V
14 毫欧 @ 6.5A,10V
1V @ 250µA(最小)
34 nC @ 4.5 V
±20V
3525 pF @ 25 V
-
100W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerFlat™(5x6)
8-PowerVDFN
MFG_DPAK(TO252-3)
STD30NF06LT4
MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
STMicroelectronics
8,364
现货
1 : ¥12.31000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.56124
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
35A(Tc)
5V,10V
28 毫欧 @ 18A,10V
2.5V @ 250µA
31 nC @ 5 V
±20V
1600 pF @ 25 V
-
70W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220-3
STP3NK60Z
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220AB
STMicroelectronics
5,876
现货
1 : ¥12.40000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
2.4A(Tc)
10V
3.6 欧姆 @ 1.2A,10V
4.5V @ 50µA
11.8 nC @ 10 V
±30V
311 pF @ 25 V
-
45W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
MFG_DPAK(TO252-3)
STD35NF06LT4
MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
STMicroelectronics
5,852
现货
1 : ¥12.64000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.24469
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
35A(Tc)
4.5V,10V
17 毫欧 @ 17.5A,10V
2.5V @ 250µA
33 nC @ 4.5 V
±16V
1700 pF @ 25 V
-
80W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD17NF25
MOSFET N-CH 250V 17A DPAK
STMicroelectronics
15,939
现货
1 : ¥12.89000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.31824
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
17A(Tc)
10V
165 毫欧 @ 8.5A,10V
4V @ 250µA
29.5 nC @ 10 V
±20V
1000 pF @ 25 V
-
90W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD3NK80ZT4
MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK
STMicroelectronics
7,248
现货
1 : ¥13.05000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.88876
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
2.5A(Tc)
10V
4.5 欧姆 @ 1.25A,10V
4.5V @ 50µA
19 nC @ 10 V
±30V
485 pF @ 25 V
-
70W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD40NF10
MOSFET N-CH 100V 50A DPAK
STMicroelectronics
20,074
现货
1 : ¥13.63000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.63512
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
50A(Tc)
10V
28 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 250µA
62 nC @ 10 V
±20V
2180 pF @ 25 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD5N95K5
MOSFET N-CH 950V 3.5A DPAK
STMicroelectronics
7,515
现货
1 : ¥13.71000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.18650
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
950 V
3.5A(Tc)
10V
2.5 欧姆 @ 1.5A,10V
5V @ 100µA
12.5 nC @ 10 V
±30V
220 pF @ 100 V
-
70W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD140N6F7
MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
STMicroelectronics
6,468
现货
1 : ¥13.71000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.17766
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
80A(Tc)
10V
3.8 毫欧 @ 40A,10V
4V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
3100 pF @ 30 V
-
134W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
DPAK
STD60NF55LAT4
MOSFET N-CH 55V 60A DPAK
STMicroelectronics
4,708
现货
1 : ¥13.71000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.19047
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
60A(Tc)
5V,10V
15 毫欧 @ 30A,10V
2V @ 250µA
40 nC @ 5 V
±15V
1950 pF @ 25 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD25NF10T4
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
STMicroelectronics
3,550
现货
1 : ¥14.53000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.55040
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
25A(Tc)
10V
38 毫欧 @ 12.5A,10V
4V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
1550 pF @ 25 V
-
100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD3N95K5AG
MOSFET N-CH 950V 2A DPAK
STMicroelectronics
5,530
现货
1 : ¥15.02000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.75994
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
950 V
2A(Tc)
10V
5 欧姆 @ 1A,10V
5V @ 100µA
3.4 nC @ 10 V
±30V
105 pF @ 100 V
-
45W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
DPAK
STD15N50M2AG
MOSFET N-CHANNEL 500V 10A DPAK
STMicroelectronics
8,962
现货
1 : ¥15.11000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.79192
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
10A(Tc)
10V
380 毫欧 @ 5A,10V
4V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±30V
530 pF @ 100 V
-
85W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
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STMicroelectronics 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。