TO-247-4 单 FET,MOSFET

结果 : 319
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorGeneSiC SemiconductorInfineon TechnologiesInventchipIXYSLittelfuse Inc.Micro Commercial CoMicrochip TechnologyNexperia USA Inc.
系列
-C2M™C3M™CoolMOS™ C7CoolMOS™ CFD7CoolMOS™ P6CoolMOS™ P7CoolSiC™CoolSiC™ Gen 2DTMOSVIEE-Series
包装
卷带(TR)托盘散装管件
产品状态
不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道
技术
GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)SiCFET(共源共栅 SiCJFET)SiCFET(碳化硅)SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
600 V650 V700 V750 V900 V1000 V1200 V1700 V2000 V3300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.7A(Tc)7A(Tc)11A(Tc)13A(Tc)16A(Tj)17A(Tc)17.3A(Tc)18A(Tc)18.4A(Tc)19A(Tc)20A(Tc)21A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V12V15V15V,18V15V,20V16V,20V18V18V,20V20V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
6.1mOhm @ 146.3A, 20V7.4 毫欧 @ 80A,12V9 毫欧 @ 50A,12V9.9 毫欧 @ 108A,18V11毫欧 @ 100A,12V11.3 毫欧 @ 93A,20V11.5 毫欧 @ 70A,12V13 毫欧 @ 100A, 18V13.2 毫欧 @ 64.2A,20V14.2 毫欧 @ 60A,12V15 毫欧 @ 41.5A,20V16.5 毫欧 @ 60A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 1mA2.4V @ 4mA2.6V @ 2mA2.69V @ 10mA2.69V @ 12mA2.69V @ 15mA2.69V @ 7.5mA2.7V @ 15mA2.7V @ 2mA(典型值)2.7V @ 4.5mA(典型值)2.7V @ 50mA2.7V @ 7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
5.3 nC @ 18 V8.5 nC @ 18 V11 nC @ 20 V13 nC @ 18 V14 nC @ 20 V15 nC @ 18 V18 nC @ 20 V19 nC @ 18 V21 nC @ 18 V21.5 nC @ 15 V22 nC @ 18 V23 nC @ 18 V
Vgs(最大值)
-8V,+19V+15V,-4V+15V,-5V±15V+18V,-3V+18V,-5V+18V,-8V+19V,-8V+20V,-10V+20V,-2V+20V,-5V+20V,-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
170 pF @ 800 V182 pF @ 800 V184 pF @ 1360 V289 pF @ 800 V317 pF @ 800 V350 pF @ 600 V350 pF @ 800 V351 pF @ 500 V454 pF @ 800 V458 pF @ 800 V495 pF @ 800 V513 pF @ 1000 V
FET 功能
-电流检测
功率耗散(最大值)
60W(Tc)68W(Tc)72W(Tc)75W(Tc)76W(Tc)83W(Tc)86W(Tc)94W(Tc)95W(Tc)96W(Tc)98W(Tc)103W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 200°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)150°C150°C(TJ)175°C175°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
PG-TO247PG-TO247-4PG-TO247-4-1PG-TO247-4-11PG-TO247-4-14PG-TO247-4-3PG-TO247-4-8PG-TO247-4-U02PG-TO247-4-U04TO-247TO-247-4TO-247-4LTO-247-4L(T)TO-247-4L(X)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
319结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 319
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-4L
UJ4C075060K4S
SICFET N-CH 750V 28A TO247-4
Qorvo
1,118
现货
1 : ¥82.09000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
750 V
28A(Tc)
-
74 毫欧 @ 20A,12V
6V @ 10mA
37.8 nC @ 15 V
±20V
1422 pF @ 100 V
-
155W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4 Top
G3R75MT12K
SIC MOSFET N-CH 41A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
708
现货
1 : ¥88.41000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
41A(Tc)
15V
90 毫欧 @ 20A,15V
2.69V @ 7.5mA
54 nC @ 15 V
+22V,-10V
1560 pF @ 800 V
-
207W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4L
UJ4C075033K4S
750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Qorvo
2,295
现货
1 : ¥91.78000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
750 V
47A(Tc)
12V
41 毫欧 @ 30A,12V
6V @ 10mA
37.8 nC @ 15 V
±20V
1400 pF @ 400 V
-
242W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
CoolSiC Series
IMZ120R060M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4
Infineon Technologies
261
现货
1 : ¥95.06000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
36A(Tc)
15V,18V
78 毫欧 @ 13A,18V
5.7V @ 5.6mA
31 nC @ 18 V
+23V,-7V
1060 pF @ 800 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-4-1
TO-247-4
TO-247-4L
UF3C065040K4S
MOSFET N-CH 650V 54A TO247-4
Qorvo
600
现货
1 : ¥110.25000
管件
-
管件
在售
N 通道
-
650 V
54A(Tc)
12V
52 毫欧 @ 40A,12V
6V @ 10mA
43 nC @ 12 V
±25V
1500 pF @ 100 V
-
326W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4L
UJ4C075023K4S
750V/23MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Qorvo
762
现货
1 : ¥123.96000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
750 V
66A(Tc)
12V
29 毫欧 @ 40A,12V
6V @ 10mA
37.8 nC @ 15 V
±20V
1400 pF @ 400 V
-
306W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4L
UF3C065030K4S
MOSFET N-CH 650V 85A TO247-4
Qorvo
1,955
现货
1 : ¥156.22000
管件
-
管件
在售
N 通道
-
650 V
85A(Tc)
12V
35 毫欧 @ 50A,12V
6V @ 10mA
43 nC @ 12 V
±25V
1500 pF @ 100 V
-
441W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4
NTH4L040N120SC1
SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
onsemi
875
现货
1 : ¥164.76000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
58A(Tc)
20V
56毫欧 @ 35A,20V
4,3V @ 10mA
106 nC @ 20 V
+25V,-15V
1762 pF @ 800 V
-
319W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
C3M0065100K
C3M0075120K
SICFET N-CH 1200V 30A TO247-4L
Wolfspeed, Inc.
943
现货
1 : ¥172.15000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
30A(Tc)
15V
90 毫欧 @ 20A,15V
4V @ 5mA
51 nC @ 15 V
+19V,-8V
1350 pF @ 1000 V
-
113.6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
C3M0065100K
C3M0065100K
SICFET N-CH 1000V 35A TO247-4L
Wolfspeed, Inc.
608
现货
1 : ¥175.11000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1000 V
35A(Tc)
15V
78 毫欧 @ 20A,15V
3.5V @ 5mA
35 nC @ 15 V
+19V,-8V
660 pF @ 600 V
-
113.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247-4
IPZ65R019C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
Infineon Technologies
727
现货
1 : ¥182.08000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
75A(Tc)
10V
19 毫欧 @ 58.3A,10V
4V @ 2.92mA
215 nC @ 10 V
±20V
9900 pF @ 400 V
-
446W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-4
TO-247-4
TO-247-4 Top
G3R30MT12K
SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
3,407
现货
1 : ¥184.96000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
90A(Tc)
15V
36 毫欧 @ 50A,15V
2.69V @ 12mA
155 nC @ 15 V
±15V
3901 pF @ 800 V
-
400W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4
FCH023N65S3L4
MOSFET N-CH 650V 75A TO247
onsemi
442
现货
1 : ¥185.53000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
75A(Tc)
10V
23 毫欧 @ 37.5A,10V
4.5V @ 7.5mA
222 nC @ 10 V
±30V
7160 pF @ 400 V
-
595W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
C3M0065100K
C3M0040120K
1200V 40MOHM SIC MOSFET
Wolfspeed, Inc.
1,762
现货
1 : ¥221.82000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
66A(Tc)
15V
53.5 毫欧 @ 33.3A,15V
3.6V @ 9.2mA
99 nC @ 15 V
+15V,-4V
2900 pF @ 1000 V
-
326W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247-4
NTH4L015N065SC1
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
onsemi
133
现货
5,400
工厂
1 : ¥223.05000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
142A(Tc)
15V,18V
18 毫欧 @ 75A,18V
4.3V @ 25mA
283 nC @ 18 V
+22V,-8V
4790 pF @ 325 V
-
500W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247-4
NTH4L020N090SC1
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
onsemi
449
现货
1 : ¥223.95000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
900 V
116A(Tc)
15V,18V
28 毫欧 @ 60A,15V
4.3V @ 20mA
196 nC @ 15 V
+22V,-8V
4415 pF @ 450 V
-
484W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247-4L
UF4SC120023K4S
1200V/23MOHM SIC STACKED FAST CA
Qorvo
1,501
现货
1 : ¥243.74000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
1200 V
53A(Tc)
12V
29 毫欧 @ 40A,12V
6V @ 10mA
37.8 nC @ 15 V
±20V
1430 pF @ 800 V
-
385W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4 Top
G3R45MT17K
SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
1,287
现货
1 : ¥271.48000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
61A(Tc)
15V
58 毫欧 @ 40A,15V
2.7V @ 8mA
182 nC @ 15 V
±15V
4523 pF @ 1000 V
-
438W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
279
现货
1 : ¥277.89000
管件
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
2000 V
34A(Tc)
15V,18V
98 毫欧 @ 13A,18V
5.5V @ 7.7mA
64 nC @ 18 V
+20V,-7V
-
-
267W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-4-U04
TO-247-4
TO-247-4 Top
G3R20MT12K
SIC MOSFET N-CH 128A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
1,093
现货
1 : ¥296.28000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
128A(Tc)
15V
24 毫欧 @ 60A,15V
2.69V @ 15mA
219 nC @ 15 V
±15V
5873 pF @ 800 V
-
542W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4L
UJ4SC075009K4S
750V/9MOHM, SIC, STACKED CASCODE
Qorvo
720
现货
1 : ¥304.73000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
750 V
106A(Tc)
12V
11.5 毫欧 @ 70A,12V
5.5V @ 10mA
75 nC @ 15 V
±20V
3340 pF @ 400 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4L
UF3SC120016K4S
SICFET N-CH 1200V 107A TO247-4
Qorvo
1,209
现货
1 : ¥318.03000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
1200 V
107A(Tc)
12V
21毫欧 @ 50A,12V
6V @ 10mA
218 nC @ 15 V
±20V
7824 pF @ 800 V
-
517W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
C3M0065100K
C3M0021120K
SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4L
Wolfspeed, Inc.
1,363
现货
1 : ¥336.75000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
100A(Tc)
15V
28,8 毫欧 @ 50A,15V
3,6V @ 17,7mA
162 nC @ 15 V
+15V,-4V
4818 pF @ 1000 V
-
469W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247-4
MSC035SMA170B4
MOSFET SIC 1700V 35 MOHM TO-247-
Microchip Technology
246
现货
1 : ¥343.15000
散装
-
散装
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
68A(Tc)
20V
45 毫欧 @ 30A,20V
3.25V @ 2.5mA(典型值)
178 nC @ 20 V
+23V,-10V
3300 pF @ 1000 V
-
370W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
189
现货
1 : ¥364.74000
管件
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
2000 V
48A(Tc)
15V,18V
64 毫欧 @ 20A,18V
5.5V @ 12.1mA
82 nC @ 18 V
+20V,-7V
-
-
348W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-4-U04
TO-247-4
显示
/ 319

TO-247-4 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。