SCTWA30N120 | |
---|---|
DigiKey 零件编号 | SCTWA30N120-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | SCTWA30N120 |
描述 | IC POWER MOSFET 1200V HIP247 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 1200 V 45A(Tc) 270W(Tc) HiP247™ 长引线 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | SCTWA30N120 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | - | |
包装 | 管件 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压(Vdss) | 1200 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 20V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 100 毫欧 @ 20A,20V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 1mA (典型值) | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 105 nC @ 20 V | |
Vgs(最大值) | +25V,-10V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1700 pF @ 400 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 270W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 200°C(TJ) | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | HiP247™ 长引线 | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
管件
数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
---|---|---|
1 | ¥247.84000 | ¥247.84 |
10 | ¥228.58100 | ¥2,285.81 |
30 | ¥218.31133 | ¥6,549.34 |
120 | ¥195.19500 | ¥23,423.40 |
270 | ¥186.20593 | ¥50,275.60 |
制造商标准包装
您可能还对以下元器件感兴趣查看所有 20 个结果
15 种货品