45A（Tc）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

TPN2R203NC,L1Q MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON Toshiba Semiconductor and Storage	9,420 现货	1 : ¥9.28000 剪切带（CT） 5,000 : ¥3.65032 卷带（TR）	U-MOSVIII	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	45A（Tc）	10V	2.2 毫欧 @ 22.5A，10V	2.3V @ 500µA	34 nC @ 10 V	±20V	2230 pF @ 15 V	-	700mW（Ta），42W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-TSON Advance（3.1x3.1）	8-PowerVDFN
IRFS4229TRLPBF MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK Infineon Technologies	4,119 现货	1 : ¥38.09000 剪切带（CT） 800 : ¥22.97873 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	45A（Tc）	10V	48 毫欧 @ 26A，10V	5V @ 250µA	110 nC @ 10 V	±30V	4560 pF @ 25 V	-	330W（Tc）	-40°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TO263-3	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
FDH45N50F-F133 MOSFET N-CH 500V 45A TO247-3 onsemi	378 现货	1 : ¥49.83000 管件	UniFET™	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	45A（Tc）	10V	120 毫欧 @ 22.5A，10V	5V @ 250µA	137 nC @ 10 V	±30V	6630 pF @ 25 V	-	625W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247-3	TO-247-3
IPBE65R050CFD7AATMA1 MOSFET N-CH 650V 45A TO263-7 Infineon Technologies	2,851 现货	1 : ¥95.48000 剪切带（CT） 1,000 : ¥54.16408 卷带（TR）	CoolMOS™ CFD7A	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	45A（Tc）	10V	50 毫欧 @ 24.8A，10V	4.5V @ 1.24mA	102 nC @ 10 V	±20V	4975 pF @ 400 V	-	227W（Tc）	-40°C ~ 150°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	PG-TO263-7-3-10	TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片），TO-263CB
MCU45P03A-TP P-CHANNEL MOSFET, DPAK Micro Commercial Co	10,248 现货	1 : ¥7.14000 剪切带（CT） 2,500 : ¥2.71888 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	45A（Tc）	-	7 毫欧 @ 20A，20V	2.8V @ 250µA	40 nC @ 10 V	±25V	2152 pF @ 15 V	-	75W	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
BUK6Y19-30PX MOSFET P-CH 30V 45A LFPAK56 Nexperia USA Inc.	13,180 现货	1 : ¥7.39000 剪切带（CT） 1,500 : ¥3.25713 卷带（TR）	TrenchMOS™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	45A（Tc）	4.5V，10V	19毫欧 @ 9，5A，10V	3V @ 250µA	35 nC @ 10 V	±20V	1260 pF @ 15 V	-	66W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	LFPAK56，Power-SO8	SC-100，SOT-669
PSMN018-80YS,115 MOSFET N-CH 80V 45A LFPAK56 Nexperia USA Inc.	7,391 现货	1 : ¥7.39000 剪切带（CT） 1,500 : ¥3.24629 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	80 V	45A（Tc）	10V	18 毫欧 @ 5A，10V	4V @ 1mA	26 nC @ 10 V	±20V	1640 pF @ 40 V	-	89W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	LFPAK56，Power-SO8	SC-100，SOT-669
TPH6R30ANL,L1Q MOSFET N-CH 100V 66A/45A 8SOP Toshiba Semiconductor and Storage	11,047 现货	1 : ¥8.87000 剪切带（CT） 5,000 : ¥3.48297 卷带（TR）	U-MOSVIII-H	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	45A（Tc）	4.5V，10V	6.3 毫欧 @ 22.5A，10V	2.5V @ 500µA	55 nC @ 10 V	±20V	4300 pF @ 50 V	-	2.5W（Ta），54W（Tc）	150°C	-	-	表面贴装型	8-SOP Advance（5x5）	8-PowerVDFN
IPD135N08N3GATMA1 MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3 Infineon Technologies	6,961 现货	1 : ¥9.20000 剪切带（CT） 2,500 : ¥3.80981 卷带（TR）	OptiMOS™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	80 V	45A（Tc）	6V，10V	13.5 毫欧 @ 45A，10V	3.5V @ 33µA	25 nC @ 10 V	±20V	1730 pF @ 40 V	-	79W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TO252-3	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IPA086N10N3GXKSA1 MOSFET N-CH 100V 45A TO220-FP Infineon Technologies	2,943 现货	1 : ¥15.11000 管件	OptiMOS™	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	45A（Tc）	6V，10V	8.6 毫欧 @ 45A，10V	3.5V @ 75µA	55 nC @ 10 V	±20V	3980 pF @ 50 V	-	37.5W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO220-FP	TO-220-3 整包
IPA060N06NXKSA1 MOSFET N-CH 60V 45A TO220-FP Infineon Technologies	393 现货	1 : ¥15.93000 管件	OptiMOS™	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	45A（Tc）	6V，10V	6 毫欧 @ 45A，10V	3.3V @ 36µA	32 nC @ 10 V	±20V	2500 pF @ 30 V	-	33W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO220-FP	TO-220-3 整包
FQP45N15V2 MOSFET N-CH 150V 45A TO220-3 onsemi	329 现货	1 : ¥20.11000 管件	QFET®	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	150 V	45A（Tc）	10V	40 毫欧 @ 22.5A，10V	4V @ 250µA	94 nC @ 10 V	±30V	3030 pF @ 25 V	-	220W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220-3	TO-220-3
SUM45N25-58-E3 MOSFET N-CH 250V 45A TO263 Vishay Siliconix	9,511 现货	1 : ¥35.47000 剪切带（CT） 800 : ¥21.39996 卷带（TR）	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	45A（Tc）	6V，10V	58 毫欧 @ 20A，10V	4V @ 250µA	140 nC @ 10 V	±30V	5000 pF @ 25 V	-	3.75W（Ta），375W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-263（D2PAK）	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IMBG65R048M1HXTMA1 SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Infineon Technologies	909 现货	1 : ¥89.65000 剪切带（CT） 1,000 : ¥50.85624 卷带（TR）	CoolSiC™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	650 V	45A（Tc）	18V	64 毫欧 @ 20.1A，18V	5.7V @ 6mA	33 nC @ 18 V	+23V，-5V	1118 pF @ 400 V	-	183W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TO263-7-12	TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
TPN2R703NL,L1Q MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON Toshiba Semiconductor and Storage	4,557 现货	1 : ¥9.28000 剪切带（CT） 5,000 : ¥3.65032 卷带（TR）	U-MOSVIII-H	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	45A（Tc）	4.5V，10V	2.7 毫欧 @ 22.5A，10V	2.3V @ 300µA	21 nC @ 10 V	±20V	2100 pF @ 15 V	-	700mW（Ta），42W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-TSON Advance（3.1x3.1）	8-PowerVDFN
NP45N06VUK-E1-AY MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3 Renesas Electronics Corporation	12,175 现货	1 : ¥12.07000 剪切带（CT） 2,500 : ¥5.00280 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	45A（Tc）	10V	9.6 毫欧 @ 23A，10V	4V @ 250µA	45 nC @ 10 V	±20V	2540 pF @ 25 V	-	1.8W（Ta），75W（Tc）	175°C	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	TO-263-3	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
NP45N06VDK-E1-AY MOSFET N-CH 60V 45A TO252 Renesas Electronics Corporation	7,430 现货	1 : ¥12.15000 剪切带（CT） 2,500 : ¥5.01410 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	45A（Tc）	4.5V，10V	11.6 毫欧 @ 23A，10V	2.5V @ 250µA	38 nC @ 10 V	±20V	2300 pF @ 25 V	-	1.2W（Ta），75W（Tc）	175°C	-	-	表面贴装型	TO-252（MP-3ZP）	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
STD45N10F7 MOSFET N-CH 100V 45A DPAK STMicroelectronics	8,511 现货	1 : ¥12.48000 剪切带（CT） 2,500 : ¥5.14992 卷带（TR）	DeepGATE™, STripFET™ VII	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	45A（Tc）	10V	18 毫欧 @ 22.5A，10V	4.5V @ 250µA	25 nC @ 10 V	±20V	1640 pF @ 50 V	-	60W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
STP50NF25 MOSFET N-CH 250V 45A TO220AB STMicroelectronics	1,329 现货	1 : ¥22.82000 管件	STripFET™	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	45A（Tc）	10V	69 毫欧 @ 22A，10V	4V @ 250µA	68.2 nC @ 10 V	±20V	2670 pF @ 25 V	-	160W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220	TO-220-3
SCTH35N65G2V-7 SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7 STMicroelectronics	1,704 现货	1 : ¥126.43000 剪切带（CT） 1,000 : ¥80.06566 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	650 V	45A（Tc）	18V，20V	67毫欧 @ 20A，20V	5V @ 1mA	73 nC @ 20 V	+22V，-10V	1370 pF @ 400 V	-	208W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	H2PAK-7	TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IPB45N06S4L08ATMA3 MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3 Infineon Technologies	2,986 现货	1 : ¥13.38000 剪切带（CT） 1,000 : ¥6.33261 卷带（TR）	OptiMOS®-T2	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	45A（Tc）	4.5V，10V	7.9 毫欧 @ 45A，10V	2.2V @ 35µA	64 nC @ 10 V	±16V	4780 pF @ 25 V	-	71W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TO263-3-2	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
NP45N06PUK-E1-AY MOSFET N-CH 60V 45A TO263 Renesas Electronics Corporation	6,401 现货	1 : ¥15.76000 剪切带（CT） 800 : ¥8.83845 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	45A（Tc）	10V	9.6 毫欧 @ 23A，10V	4V @ 250µA	45 nC @ 10 V	±20V	2540 pF @ 25 V	-	1.2W（Ta），75W（Tc）	175°C	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	TO-263-3	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
RSJ451N04FRATL MOSFET N-CH 40V 45A LPTS Rohm Semiconductor	645 现货	1 : ¥20.20000 剪切带（CT） 1,000 : ¥9.58881 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	45A（Tc）	10V	13.5 毫欧 @ 25A，10V	3V @ 1mA	43 nC @ 10 V	±20V	2400 pF @ 25 V	-	50W（Tc）	150°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	LPTS	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
RCX450N20 MOSFET N-CH 200V 45A TO220FM Rohm Semiconductor	480 现货	1 : ¥23.97000 散装	-	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	45A（Tc）	10V	55 毫欧 @ 22.5A，10V	5V @ 1mA	80 nC @ 10 V	±30V	4200 pF @ 25 V	-	2.23W（Ta），40W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220FM	TO-220-3 整包
RCJ451N20TL 200V 45A, NCH, TO-263S, POWER MO Rohm Semiconductor	990 现货	1 : ¥24.14000 剪切带（CT） 1,000 : ¥16.02978 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	45A（Tc）	10V	55 毫欧 @ 22.5A，10V	5V @ 1mA	80 nC @ 10 V	±30V	4200 pF @ 25 V	-	1.56W（Ta），211W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-263S	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB