单 FET，MOSFET

结果 : 35
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
停产在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V30 V34 V38 V40 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）2A（Ta）2.5A（Ta）4A（Ta）4.5A（Ta）6A（Ta）8A（Ta）8.3A（Ta）10A（Ta）18A（Ta）20A（Ta）24A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4V1.8V，4.5V2V，4.5V2.5V，4.5V4V，10V4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.2 毫欧 @ 23A，10V3.1 毫欧 @ 40A，10V3.4 毫欧 @ 9A，10V4.5 毫欧 @ 32.5A，10V5.5 毫欧 @ 40A，10V6.8 毫欧 @ 12.5A，10V7 毫欧 @ 12A，10V8 毫欧 @ 30A，10V8.5 毫欧 @ 25A，10V8.5 毫欧 @ 4.2A，10V10 毫欧 @ 5A，4.5V10.3 毫欧 @ 17.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1.2V @ 1mA1.2V @ 200µA1.7V @ 1mA2.4V @ 1mA2.5V @ 1A2.5V @ 1mA2.8V @ 1mA3V @ 1mA3V @ 200µA4V @ 1mA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.5 nC @ 10 V3 nC @ 10 V7 nC @ 10 V9 nC @ 5 V9.4 nC @ 4.5 V9.8 nC @ 5 V10 nC @ 10 V10.1 nC @ 10 V12.9 nC @ 10 V14 nC @ 10 V18 nC @ 10 V22.3 nC @ 4 V
Vgs（最大值）
±8V±10V±12V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
17 pF @ 25 V86 pF @ 10 V119 pF @ 10 V120 pF @ 10 V235 pF @ 30 V400 pF @ 10 V410 pF @ 10 V450 pF @ 15 V530 pF @ 10 V630 pF @ 10 V640 pF @ 10 V680 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）500mW（Ta）700mW（Ta）700mW（Ta），30W（Tc）800mW（Ta）840mW（Ta）1W（Ta）1.6W（Ta），45W（Tc）2W（Ta）18W（Tc）25W（Tc）38W（Tc）58W（Tc）60W（Tc）
工作温度
150°C150°C（TJ）175°C（TJ）-
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-SOP Advance（5x5）8-SOP（5.5x6.0）8-TSON Advance（3.1x3.1）8-TSON Advance（3.3x3.3）DPAK+PS-8（2.9x2.4）SC-59SOT-23FTO-220-3TO-220SISTSMUF6UFMVS-6（2.9x2.8）
封装/外壳
3-SMD，扁平引线6-SMD，扁平引线8-PowerVDFN8-SMD，扁平引线8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）8-VDFN 裸露焊盘SOT-23-3 扁平引线SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-220-3 整包TO-220-3TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
35结果
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/ 35
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
14,418
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.88136
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.5A（Ta）
4.5V，10V
107 毫欧 @ 2A，10V
2.8V @ 1mA
7 nC @ 10 V
±20V
235 pF @ 30 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
14,542
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.18666
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
38 V
2A（Ta）
4V，10V
150 毫欧 @ 2A，10V
1.7V @ 1mA
3 nC @ 10 V
±20V
120 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
2,001
现货
1 : ¥9.60000
剪切带（CT）
2,000 : ¥3.98634
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
8A（Ta）
6V，10V
54 毫欧 @ 4A，10V
3V @ 1mA
10 nC @ 10 V
±20V
400 pF @ 10 V
-
25W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK+
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
5,998
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.80580
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.5A（Ta）
2V，4.5V
64 毫欧 @ 1.5A，4.5V
1.2V @ 200µA
-
±10V
800 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
150°C
-
-
表面贴装型
UF6
6-SMD，扁平引线
12,450
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.79204
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
38 V
2A（Ta）
4V，10V
340 毫欧 @ 1A，10V
2.4V @ 1mA
2.5 nC @ 10 V
±20V
86 pF @ 10 V
-
2W（Ta）
150°C
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
3,000
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.15106
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
34 V
2A（Ta）
4V，10V
240 毫欧 @ 1A，10V
1.7V @ 1mA
3 nC @ 10 V
±20V
119 pF @ 10 V
-
800mW（Ta）
150°C
-
-
表面贴装型
UFM
3-SMD，扁平引线
1,890
现货
1 : ¥10.84000
剪切带（CT）
2,000 : ¥4.46954
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
35A（Ta）
6V，10V
10.3 毫欧 @ 17.5A，10V
3V @ 1mA
28 nC @ 10 V
±20V
1370 pF @ 10 V
-
58W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK+
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
1,755
现货
1 : ¥13.55000
剪切带（CT）
2,000 : ¥6.12044
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
60A（Ta）
6V，10V
8 毫欧 @ 30A，10V
3V @ 1mA
60 nC @ 10 V
±20V
2900 pF @ 10 V
-
88W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK+
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
1,171
现货
1 : ¥15.60000
剪切带（CT）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
45A（Ta）
4.5V，10V
2.2 毫欧 @ 23A，10V
2.5V @ 1mA
113 nC @ 10 V
±20V
4200 pF @ 10 V
-
1.6W（Ta），45W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
0
现货
停产
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
200mA（Ta）
4.5V，10V
2.1 欧姆 @ 500mA，10V
-
-
±20V
17 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SC-59
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
0
现货
在售
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4A（Ta）
1.5V，4V
38 毫欧 @ 3A，4V
1V @ 1mA
22.3 nC @ 4 V
±8V
1484 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
UFM
3-SMD，扁平引线
0
现货
在售
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
10A（Ta）
2.5V，4.5V
12 毫欧 @ 7A，4.5V
1.2V @ 1mA
9.4 nC @ 4.5 V
±12V
710 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
UF6
6-SMD，扁平引线
0
现货
停产
卷带（TR）
停产
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.5A（Ta）
2V，4.5V
55 毫欧 @ 2.2A，4.5V
1.2V @ 200µA
9.8 nC @ 5 V
±12V
680 pF @ 10 V
-
700mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
VS-6（2.9x2.8）
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
0
现货
停产
卷带（TR）
停产
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
10A（Ta）
1.8V，4.5V
10 毫欧 @ 5A，4.5V
1.2V @ 200µA
115 nC @ 5 V
±8V
9130 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOP（5.5x6.0）
8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
0
现货
停产
卷带（TR）
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
18A（Ta）
4.5V，10V
3.4 毫欧 @ 9A，10V
2.5V @ 1mA
56 nC @ 10 V
±20V
2900 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOP（5.5x6.0）
8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
0
现货
停产
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6A（Ta）
4.5V，10V
27.6 毫欧 @ 4A，10V
2.5V @ 1mA
10.1 nC @ 10 V
±20V
450 pF @ 15 V
-
700mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TSM
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
0
现货
停产
剪切带（CT）
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
25A（Ta）
4.5V，10V
6.8 毫欧 @ 12.5A，10V
2.5V @ 1A
30 nC @ 10 V
±25V
1600 pF @ 10 V
-
700mW（Ta），30W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-TSON Advance（3.3x3.3）
8-VDFN 裸露焊盘
0
现货
停产
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
8.3A（Ta）
4.5V，10V
8.5 毫欧 @ 4.2A，10V
2.5V @ 1mA
26 nC @ 10 V
±20V
1270 pF @ 10 V
-
840mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PS-8（2.9x2.4）
8-SMD，扁平引线
0
现货
停产
卷带（TR）
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
10A（Ta）
6V，10V
28 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 1mA
10 nC @ 10 V
±20V
410 pF @ 10 V
-
25W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK+
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
18A（Ta）
-
42 毫欧 @ 9A，10V
-
33 nC @ 10 V
-
-
-
-
150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
0
现货
停产
卷带（TR）
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
20A（Ta）
6V，10V
14 毫欧 @ 10A，10V
3V @ 1mA
18 nC @ 10 V
±20V
820 pF @ 10 V
-
38W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK+
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
0
现货
停产
卷带（TR）
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
20A（Ta）
6V，10V
29 毫欧 @ 10A，10V
3V @ 1mA
18 nC @ 10 V
±20V
780 pF @ 10 V
-
38W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK+
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
25A（Ta）
-
18 毫欧 @ 12.5A，10V
-
29 nC @ 10 V
-
-
-
60W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
0
现货
停产
卷带（TR）
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
30A（Tc）
6V，10V
18 欧姆 @ 15A，10V
3V @ 1mA
28 nC @ 10 V
±20V
1350 pF @ 10 V
-
58W（Tc）
175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DPAK+
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
40A（Ta）
-
15 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 1mA
84 nC @ 10 V
-
4000 pF @ 10 V
-
-
-
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
显示
/ 35

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。