TK18E10K3,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage | 分立半导体产品

TK18E10K3,S1X(S
DigiKey 零件编号	TK18E10K3S1X(S-ND
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号	TK18E10K3,S1X(S
描述	MOSFET N-CH 100V 18A TO220-3
客户内部零件编号
详细描述	通孔 N 通道 100 V 18A（Ta） TO-220-3
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	TK18E10K3,S1X(S 型号

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
系列	U-MOSIV
包装	管件
零件状态	停产
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	18A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	42 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	33 nC @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	-
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-220-3
封装/外壳	TO-220-3
基本产品编号	TK18E10

TK18E10K3,S1X(S