22A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 178
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diotec SemiconductorGeneSiC SemiconductorGoford SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSLittelfuse Inc.Microchip TechnologyNexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemiPanasonic Electronic ComponentsRenesas Electronics CorporationRohm Semiconductor
系列
-C3M™CoolMOS™ C7CoolMOS™ CFD7EE-SeriesFRFET®, UniFET™G3R™HEXFET®HiPerFET™HiPerFET™, PolarHiPerFET™, Polar3™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
不适用于新设计停产在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
30 V40 V55 V60 V75 V80 V100 V150 V200 V250 V500 V550 V600 V650 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V4.5V4.5V,10V5V5V,10V6V,10V7V,10V10V10V,12V12V15V18V18V,20V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5.3 毫欧 @ 22A,10V6 毫欧 @ 11A,10V8.5 毫欧 @ 10A,10V13.8 毫欧 @ 11A,10V14.6 毫欧 @ 22A,10V14.9 毫欧 @ 22A,10V15 毫欧 @ 9A,10V24 毫欧 @ 20A,10V26 毫欧 @ 22A,10V30 毫欧 @ 11A,10V30.5 毫欧 @ 10A,10V35 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA2V @ 250µA2.1V @ 1mA2.2V @ 10µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA2.69V @ 5mA2.7V @ 250µA2.8V @ 1mA2.8V @ 250µA3V @ 1mA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
8.2 nC @ 5 V8.3 nC @ 5 V9 nC @ 5 V10.4 nC @ 10 V11 nC @ 10 V14 nC @ 10 V15 nC @ 10 V16 nC @ 10 V17.3 nC @ 15 V18 nC @ 15 V18 nC @ 20 V19.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±10V+15V,-4V±15V±16V+18V,-8V+19V,-8V±20V+22V,-6V+23V,-5V±25V±30V±45V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
330 pF @ 25 V350 pF @ 600 V414 pF @ 600 V458 pF @ 800 V580 pF @ 50 V617 pF @ 25 V633 pF @ 12 V640 pF @ 400 V675 pF @ 25 V730 pF @ 800 V790 pF @ 25 V800 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
850mW(Ta),20W(Tc)1.5W(Ta),16W(Tc)1.56W(Ta),40W(Tc)2W(Ta),40W(Tc)2.1W(Ta),27W(Tc)2.23W(Ta),40W(Tc)2.3W(Ta),30W(Tc)3.3W(Ta),43W(Tc)3.75W(Ta),125W(Tc)3.8W(Ta),60W(Tc)4.1W(Ta),29.7W(Tc)5.2W(Tc)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)175°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-HWSON(3.3x3.3)8-PDFN(3.15x3.1)8-SOIC8-SOPCPT3D2PAKD2PAK-7D3PAKDPAKDPAK-3I2PAKISOPLUS220™
封装/外壳
3-SMD,无引线4-PowerTSFN8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)ISOPLUS220™PLUS-220SMDPolarPak®PowerPAK® SO-8SC-100,SOT-669SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
178结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 178
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y43-60E,115
MOSFET N-CH 60V 22A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
1,072
现货
1 : ¥6.16000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.46489
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
22A(Tc)
5V
41 毫欧 @ 5A,10V
2.1V @ 1mA
8.2 nC @ 5 V
±10V
880 pF @ 25 V
-
45W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
TO-220-3
FDP22N50N
MOSFET N-CH 500V 22A TO220-3
onsemi
223
现货
1 : ¥30.21000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
22A(Tc)
10V
220 毫欧 @ 11A,10V
5V @ 250µA
65 nC @ 10 V
±30V
3200 pF @ 25 V
-
312.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-247-3
G3R160MT12D
SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
3,401
现货
1 : ¥53.52000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
22A(Tc)
15V
192 毫欧 @ 10A,15V
2.69V @ 5mA
28 nC @ 15 V
±15V
730 pF @ 800 V
-
123W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
LFPAK33
BUK9M42-60EX
MOSFET N-CH 60V 22A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
3,122
现货
1 : ¥5.25000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.22873
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
22A(Tc)
5V
37 毫欧 @ 5A,10V
2.1V @ 1mA
8.3 nC @ 5 V
±10V
867 pF @ 25 V
-
44W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
17,746
现货
1 : ¥7.22000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.75532
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
22A(Tc)
4.5V,10V
15 毫欧 @ 9A,10V
2.5V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±20V
2783 pF @ 20 V
-
12.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
SQ4483BEEY-T1_GE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 22A 8SOIC
Vishay Siliconix
23,738
现货
1 : ¥9.69000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.79068
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
22A(Tc)
4.5V,10V
8.5 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
113 nC @ 10 V
±20V
-
-
7W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TO-220F
AOTF2910L
MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3F
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
24,237
现货
1 : ¥9.85000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
22A(Tc)
4.5V,10V
24 毫欧 @ 20A,10V
2.7V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
1190 pF @ 50 V
-
2.1W(Ta),27W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220F
TO-220-3 整包
TO252-3
IPD650P06NMATMA1
MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3
Infineon Technologies
11,300
现货
1 : ¥13.30000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.00895
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
22A(Tc)
10V
65 毫欧 @ 22A,10V
4V @ 1.04mA
39 nC @ 10 V
±20V
1600 pF @ 30 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-313
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-247-3 AC EP
IRFP22N50APBF
MOSFET N-CH 500V 22A TO247-3
Vishay Siliconix
1,800
现货
1 : ¥43.26000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
22A(Tc)
10V
230 毫欧 @ 13A,10V
4V @ 250µA
120 nC @ 10 V
±30V
3450 pF @ 25 V
-
277W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-3P
IXTQ22N50P
MOSFET N-CH 500V 22A TO3P
Littelfuse Inc.
281
现货
1 : ¥49.75000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
22A(Tc)
10V
270 毫欧 @ 11A,10V
5.5V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±30V
2630 pF @ 25 V
-
350W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3P
TO-3P-3,SC-65-3
C3M0065090J
C3M0120090J
SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
Wolfspeed, Inc.
6,362
现货
1 : ¥72.82000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
900 V
22A(Tc)
15V
155 毫欧 @ 15A,15V
3.5V @ 3mA
17.3 nC @ 15 V
+18V,-8V
350 pF @ 600 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
C3M0065100K
C3M0120065K
650V 120M SIC MOSFET
Wolfspeed, Inc.
607
现货
1 : ¥77.33000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
22A(Tc)
15V
157 毫欧 @ 6.76A,15V
3.6V @ 1.86mA
28 nC @ 15 V
+19V,-8V
640 pF @ 400 V
-
98W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
C2D10120D
C3M0120065D
650V 120M SIC MOSFET
Wolfspeed, Inc.
461
现货
1 : ¥77.33000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
22A(Tc)
15V
157 毫欧 @ 6.76A,15V
3.6V @ 1.86mA
28 nC @ 15 V
+19V,-8V
640 pF @ 400 V
-
98W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
C3M0065100K
C3M0120100K
SICFET N-CH 1000V 22A TO247-4L
Wolfspeed, Inc.
2,534
现货
1 : ¥96.30000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1000 V
22A(Tc)
15V
155 毫欧 @ 15A,15V
3.5V @ 3mA
21.5 nC @ 15 V
±15V
350 pF @ 600 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
C3M0065090J
C3M0120100J
SICFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7
Wolfspeed, Inc.
300
现货
1 : ¥137.01000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1000 V
22A(Tc)
15V
155 毫欧 @ 15A,15V
3.5V @ 3mA
21.5 nC @ 15 V
+15V,-4V
350 pF @ 600 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
TO-252-3
SVD5867NLT4G
MOSFET N-CH 60V 22A DPAK-3
onsemi
4,280
现货
1 : ¥6.65000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.52375
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
22A(Tc)
4.5V,10V
39 毫欧 @ 11A,10V
2.5V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
675 pF @ 25 V
-
3.3W(Ta),43W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220-3
STP31N65M5
MOSFET N-CH 650V 22A TO220
STMicroelectronics
1,076
现货
1 : ¥20.77000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
22A(Tc)
10V
148 毫欧 @ 11A,10V
5V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±25V
816 pF @ 100 V
-
150W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220-F
STF31N65M5
MOSFET N-CH 650V 22A TO220FP
STMicroelectronics
1,115
现货
1 : ¥35.22000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
22A(Tc)
10V
148 毫欧 @ 11A,10V
5V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±25V
816 pF @ 100 V
-
30W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
1,736
现货
1 : ¥38.99000
剪切带(CT)
1,000 : ¥20.14344
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
22A(Tc)
10V
110 毫欧 @ 9.7A,10V
4.5V @ 480µA
41 nC @ 10 V
±20V
1942 pF @ 400 V
-
114W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
490
现货
1 : ¥39.08000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
22A(Tc)
10V
110 毫欧 @ 9.7A,10V
4.5V @ 480µA
41 nC @ 10 V
±20V
1942 pF @ 400 V
-
114W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
TO-263AB
IXFA22N65X2
MOSFET N-CH 650V 22A TO263
Littelfuse Inc.
600
现货
1,200
工厂
1 : ¥46.46000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
22A(Tc)
10V
160 毫欧 @ 11A,10V
5.5V @ 1.5mA
38 nC @ 10 V
±30V
2310 pF @ 25 V
-
390W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263HV
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-247-3 HiP
STW30N65M5
MOSFET N-CH 650V 22A TO247-3
STMicroelectronics
503
现货
1 : ¥47.86000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
22A(Tc)
10V
139 毫欧 @ 11A,10V
5V @ 250µA
64 nC @ 10 V
±25V
2880 pF @ 100 V
-
140W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-220-3
STP30N65M5
MOSFET N-CH 650V 22A TO220AB
STMicroelectronics
4,606
现货
1 : ¥52.62000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
22A(Tc)
10V
139 毫欧 @ 11A,10V
5V @ 250µA
64 nC @ 10 V
±25V
2880 pF @ 100 V
-
140W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
D²PAK
STB30N65M5
MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
STMicroelectronics
2,000
现货
1 : ¥54.43000
剪切带(CT)
1,000 : ¥28.14944
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
22A(Tc)
10V
139 毫欧 @ 11A,10V
5V @ 250µA
64 nC @ 10 V
±25V
2880 pF @ 100 V
-
140W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
C3M0065090J-TR
C3M0120090J-TR
SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
Wolfspeed, Inc.
2,976
现货
1 : ¥72.82000
剪切带(CT)
800 : ¥61.05703
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
900 V
22A(Tc)
15V
155 毫欧 @ 15A,15V
3.5V @ 3mA
17.3 nC @ 15 V
+18V,-8V
350 pF @ 600 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
显示
/ 178

22A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。