Name: SSM3K56MFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K56MFVL3FTR-ND
Price: 3.45 CNY
Availability: InStock

SSM3K56MFV,L3F
DigiKey 零件编号	SSM3K56MFVL3FTR-ND - 卷带（TR） SSM3K56MFVL3FCT-ND - 剪切带（CT） SSM3K56MFVL3FDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号	SSM3K56MFV,L3F
描述	MOSFET N-CH 20V 800MA VESM
原厂标准交货期	12 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 20 V 800mA（Ta） 150mW（Ta） VESM
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	SSM3K56MFV,L3F 型号

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
系列	U-MOSVII-H
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	800mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	235 毫欧 @ 800mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	1 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	55 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	150mW（Ta）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	VESM
封装/外壳	SOT-723
基本产品编号	SSM3K56