SOT-723 单 FET,MOSFET

结果 : 59
制造商
Comchip TechnologyGood-Ark SemiconductorMicro Commercial CoNuvoton Technology CorporationonsemiPanasonic Electronic ComponentsRohm SemiconductorToshiba Semiconductor and StorageYAGEO XSEMI
系列
-U-MOSIIIU-MOSVIU-MOSVIIU-MOSVII-HXP2N1K2Eπ-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
产品状态
不适用于新设计停产在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20 V30 V50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA100mA(Ta)180mA(Ta)200mA(Ta)210mA(Ta)215mA(Ta)250mA(Ta)300mA300mA(Ta)340mA400mA(Tc)500mA
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0.9V,4.5V1.2V,2.5V1.2V,4.5V1.2V,4V1.5V,4.5V1.5V,4V1.5V,5V1.65V,4.5V1.8V,4.5V1.8V,4V2.5V,10V2.5V,4.5V2.5V,4V4V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
235 毫欧 @ 800mA,4.5V300 毫欧 @ 500mA,4.5V350 毫欧 @ 890mA,4.5V380 毫欧 @ 650mA,4.5V390毫欧 @ 800mA,4.5V450 毫欧 @ 300mA,4.5V480 毫欧 @ 780mA,4.5V600 毫欧 @ 300mA,4.5V630 毫欧 @ 200mA,5V750毫欧 @ 300mA,10V800 毫欧 @ 450mA,1.8V850毫欧 @ 500mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
800mV @ 1mA800mV @ 250µA1V @ 100µA1V @ 1mA1V @ 250µA1.1V @ 100µA1.1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.3V @ 250µA1.45V @ 250µA1.5V @ 100µA1.5V @ 1µA1.5V @ 250µA1.7V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.34 nC @ 4.5 V0.7 nC @ 2.5 V0.8 nC @ 4.5 V0.86 nC @ 4.5 V1 nC @ 4.5 V1.2 nC @ 10 V1.23 nC @ 4 V1.28 nC @ 10 V1.4 nC @ 4.5 V1.6 nC @ 4.5 V5.2 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
+6V,-8V±6V±7V±8V±10V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
7.1 pF @ 10 V8.5 pF @ 3 V9.1 pF @ 3 V9.3 pF @ 3 V9.5 pF @ 3 V11 pF @ 10 V12 pF @ 10 V12 pF @ 3 V12.2 pF @ 3 V13 pF @ 5 V13.5 pF @ 3 V15 pF @ 10 V
功率耗散(最大值)
100mW(Ta)150mW150mW(Ta)200mW250mW(Ta)270mW275mW280mW(Ta)310mW(Ta)446mW(Ta)450mW500mW(Ta)150W(Tj)-
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)125°C(TJ)150°C150°C(TJ)
供应商器件封装
SOT-723SSSMini3-F2-BSSS迷你型3-F1SSS迷你型3-F2VESMVMT3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
59结果
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/ 59
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
VMT3 Pkg
RUM001L02T2CL
MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3
Rohm Semiconductor
728,518
现货
此产品有最大采购数量限制
1 : ¥2.22000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.34652
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
100mA(Ta)
1.2V,4.5V
3.5 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 100µA
-
±8V
7.1 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VMT3
SOT-723
VMT3 Pkg
RYM002N05T2CL
MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Rohm Semiconductor
386,288
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.65295
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
200mA(Ta)
0.9V,4.5V
2.2 欧姆 @ 200mA,4.5V
800mV @ 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VMT3
SOT-723
VMT3 Pkg
RUM002N05T2L
MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Rohm Semiconductor
657,740
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.56755
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
200mA(Ta)
1.2V,4.5V
2.2 欧姆 @ 200mA,4.5V
1V @ 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VMT3
SOT-723
6,371
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.59534
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
800mA(Ta)
1.5V,4.5V
235 毫欧 @ 800mA,4.5V
1V @ 1mA
1 nC @ 4.5 V
±8V
55 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VESM
SOT-723
SOT-723_631AA
NTK3134NT1G
MOSFET N-CH 20V 750MA SOT723
onsemi
58,129
现货
1 : ¥4.19000
剪切带(CT)
4,000 : ¥1.13542
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
750mA(Ta)
1.5V,4.5V
350 毫欧 @ 890mA,4.5V
1.2V @ 250µA
-
±6V
120 pF @ 16 V
-
310mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-723
SOT-723
PB-F VESM S-MOS (LF) TRANSISTOR
SSM3K16FV,L3F
PB-F VESM S-MOS (LF) TRANSISTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
7,304
现货
1 : ¥1.72000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.26388
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
100mA(Ta)
1.5V,4V
3 欧姆 @ 10mA,4V
1.1V @ 100µA
-
±10V
9.3 pF @ 3 V
-
150mW(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
VESM
SOT-723
187,817
现货
1 : ¥1.81000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.28037
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
250mA(Ta)
1.2V,4.5V
1.1 欧姆 @ 150mA,4.5V
1V @ 100µA
0.34 nC @ 4.5 V
±10V
36 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VESM
SOT-723
50,705
现货
1 : ¥1.81000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.28037
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
100mA(Ta)
-
8 欧姆 @ 50mA,4V
-
-
-
12.2 pF @ 3 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VESM
SOT-723
22,285
现货
1 : ¥1.81000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.28037
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
100mA(Ta)
2.5V,4V
12 欧姆 @ 10mA,4V
1.7V @ 100µA
-
±20V
9.1 pF @ 3 V
-
150mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VESM
SOT-723
36,254
现货
1 : ¥1.89000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.29687
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
250mA(Ta)
1.2V,4.5V
1.4 欧姆 @ 150mA,4.5V
1V @ 100µA
-
±10V
42 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
VESM
SOT-723
VMT3 Pkg
RZM001P02T2L
MOSFET P-CH 20V 100MA VMT3
Rohm Semiconductor
245,282
现货
此产品有最大采购数量限制
1 : ¥2.05000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.32296
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
100mA(Ta)
1.2V,4.5V
3.8 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 100µA
-
±10V
15 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VMT3
SOT-723
22,692
现货
1 : ¥2.22000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.34634
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
250mA(Ta)
1.5V,4.5V
2.2 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 1mA
-
±10V
12 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VESM
SOT-723
SOT-723_631AA
NTK3043NT5G
MOSFET N-CH 20V 210MA SOT723
onsemi
5,959
现货
1 : ¥2.63000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.41474
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
210mA(Ta)
1.65V,4.5V
3.4 欧姆 @ 10mA,4.5V
1.3V @ 250µA
-
±10V
11 pF @ 10 V
-
310mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-723
SOT-723
SOT-723_631AA
NTK3043NT1G
MOSFET N-CH 20V 210MA SOT723
onsemi
9,843
现货
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.50379
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
210mA(Ta)
1.65V,4.5V
3.4 欧姆 @ 10mA,4.5V
1.3V @ 250µA
-
±10V
11 pF @ 10 V
-
310mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-723
SOT-723
SOT-723_631AA
NTK3134NT5G
MOSFET N-CH 20V 750MA SOT723
onsemi
1,109
现货
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.47398
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
750mA(Ta)
1.5V,4.5V
350 毫欧 @ 890mA,4.5V
1.2V @ 250µA
-
±6V
120 pF @ 16 V
-
310mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-723
SOT-723
VMT3 Pkg
RZM002P02T2L
MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3
Rohm Semiconductor
134,459
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.49086
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
200mA(Ta)
1.2V,4.5V
1.2 欧姆 @ 200mA,4.5V
1V @ 100µA
1.4 nC @ 4.5 V
±10V
115 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VMT3
SOT-723
VMT3 Pkg
RUM002N02T2L
MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
Rohm Semiconductor
628,434
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.50619
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
200mA(Ta)
1.2V,2.5V
1.2 欧姆 @ 200mA,2.5V
1V @ 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VMT3
SOT-723
6,228
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.50605
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
800mA(Ta)
1.2V,4.5V
390毫欧 @ 800mA,4.5V
1V @ 1mA
1.6 nC @ 4.5 V
+6V,-8V
100 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
VESM
SOT-723
446,571
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.52092
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
500mA(Ta)
1.5V,5V
630 毫欧 @ 200mA,5V
1V @ 1mA
1.23 nC @ 4 V
±10V
46 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VESM
SOT-723
VMT3 Pkg
RUM003N02T2L
MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3
Rohm Semiconductor
5,252
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.80842
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
300mA(Ta)
1.8V,4V
1 欧姆 @ 300mA,4V
1V @ 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VMT3
SOT-723
VMT3 Pkg
RSM002N06T2L
MOSFET N-CH 60V 250MA VMT3
Rohm Semiconductor
32,127
现货
此产品有最大采购数量限制
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.58288
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
250mA(Ta)
2.5V,10V
2.4 欧姆 @ 250mA,10V
2.3V @ 1mA
-
±20V
15 pF @ 25 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VMT3
SOT-723
299,724
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.59534
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
800mA(Ta)
1.2V,4.5V
390毫欧 @ 800mA,4.5V
-
-
±8V
100 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VESM
SOT-723
VMT3 Pkg
2SK3541T2L
MOSFET N-CH 30V 100MA VMT3
Rohm Semiconductor
154,623
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.64425
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
100mA(Ta)
2.5V,4V
8 欧姆 @ 10mA,4V
1.5V @ 100µA
-
±20V
13 pF @ 5 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VMT3
SOT-723
SOT-723_631AA
NTK3139PT1G
MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723
onsemi
61,480
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.83707
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
660mA(Ta)
1.5V,4.5V
480 毫欧 @ 780mA,4.5V
1.2V @ 250µA
-
±6V
170 pF @ 16 V
-
310mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-723
SOT-723
SOT-723_631AA
NTK3139PT5G
MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723
onsemi
32,955
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.81837
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
660mA(Ta)
1.5V,4.5V
480 毫欧 @ 780mA,4.5V
1.2V @ 250µA
-
±6V
170 pF @ 16 V
-
310mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-723
SOT-723
显示
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SOT-723 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。