800mA(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 24
制造商
Diodes IncorporatedGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiPanjit International Inc.Renesas Electronics CorporationTorex Semiconductor LtdToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-CoolMOS™PowerTrench®TrenchMOS™U-MOSVIU-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
16 V20 V30 V60 V100 V150 V200 V600 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.2V,4.5V1.5V,4.5V1.8V,4.5V4.5V,10V5V,10V6V,10V10V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
57 毫欧 @ 800mA,4.5V235 毫欧 @ 800mA,4.5V290毫欧 @ 400mA,10V300 毫欧 @ 500mA,4.5V380 毫欧 @ 900mA,10V390毫欧 @ 800mA,4.5V400 毫欧 @ 500mA,4.5V620 毫欧 @ 600mA,4.5V640毫欧 @ 600mA,4,5V800 毫欧 @ 480mA,10V950 毫欧 @ 2.8A,10V1.2 欧姆 @ 800mA,10V1.5 欧姆 @ 1.5A,10V15 欧姆 @ 400mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
750mV @ 1mA950mV @ 250µA1V @ 1mA1V @ 250µA1.2V @ 250µA2.4V @ 1mA2.6V @ 250µA2.7V @ 250µA4V @ 250µA4.5V @ 50µA5.5V @ 200µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.31 nC @ 4.5 V0.9 nC @ 4.5 V0.92 nC @ 4.5 V1 nC @ 4.5 V1.32 nC @ 10 V1.6 nC @ 4.5 V2 nC @ 4.5 V3.6 nC @ 10 V4.1 nC @ 10 V4.9 nC @ 10 V14 nC @ 10 V17 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±5V+6V,-8V±8V±12V±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
21.3 pF @ 10 V22 pF @ 0 V50 pF @ 10 V54.8 pF @ 10 V55 pF @ 10 V64 pF @ 10 V75 pF @ 10 V92 pF @ 25 V100 pF @ 10 V100 pF @ 25 V101 pF @ 30 V177 pF @ 10 V210 pF @ 75 V260 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
150mW(Ta)323mW(Ta),554mW(Tc)350mW(Ta)360mW(Ta),2,23W(Tc)370mW(Ta),2.2W(Tc)400mW(Ta)450mW500mW(Ta)1W(Ta)1.5W(Ta)1.8W(Ta)2W(Ta)9W(Tc)26W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)150°C150°C(TA)150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
4-HVMDIPCST3DFN0606-3DPAKIPAKPG-SOT223-4SOT-223-3SOT-23SOT-23-3SOT-323-3ASOT-523 扁平引线SOT-723SSMTO-236AB
封装/外壳
3-SMD,扁平引线3-XFDFN4-DIP(0.300",7.62mm)SC-101,SOT-883SC-70,SOT-323SC-75,SOT-416SC-89,SOT-490SOT-723TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-243AATO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-261-4,TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
24结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 24
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
4,904,915
现货
1 : ¥2.05000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.37218
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
800mA(Ta)
1.5V,4.5V
235 毫欧 @ 800mA,4.5V
1V @ 1mA
1 nC @ 4.5 V
±8V
55 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SSM
SC-75,SOT-416
2,171
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.59534
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
800mA(Ta)
1.5V,4.5V
235 毫欧 @ 800mA,4.5V
1V @ 1mA
1 nC @ 4.5 V
±8V
55 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VESM
SOT-723
DFN0606-3
PMH600UNEH
MOSFET N-CH 20V 800MA DFN0606-3
Nexperia USA Inc.
6,348
现货
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.35520
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
800mA(Ta)
1.2V,4.5V
620 毫欧 @ 600mA,4.5V
950mV @ 250µA
0.31 nC @ 4.5 V
±8V
21.3 pF @ 10 V
-
370mW(Ta),2.2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN0606-3
3-XFDFN
TO-236AB
PMV450ENEAR
MOSFET N-CH 60V 800MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
44,448
现货
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.47458
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
800mA(Ta)
4.5V,10V
380 毫欧 @ 900mA,10V
2.7V @ 250µA
3.6 nC @ 10 V
±20V
101 pF @ 30 V
-
323mW(Ta),554mW(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
6,228
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.50605
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
800mA(Ta)
1.2V,4.5V
390毫欧 @ 800mA,4.5V
1V @ 1mA
1.6 nC @ 4.5 V
+6V,-8V
100 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
VESM
SOT-723
UFM
SSM3K62TU,LXHF
SMOS LOW RON NCH VDSS:20V ID:0.8
Toshiba Semiconductor and Storage
8,675
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.81839
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
800mA(Ta)
1.2V,4.5V
57 毫欧 @ 800mA,4.5V
1V @ 1mA
2 nC @ 4.5 V
±8V
177 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
150°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
UFM
3-SMD,扁平引线
12,370
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.84357
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
800mA(Ta)
1.2V,4.5V
57 毫欧 @ 800mA,4.5V
1V @ 1mA
2 nC @ 4.5 V
±8V
177 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
UFM
3-SMD,扁平引线
297,725
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.59534
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
800mA(Ta)
1.2V,4.5V
390毫欧 @ 800mA,4.5V
-
-
±8V
100 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VESM
SOT-723
43,899
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.52776
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
800mA(Ta)
1.5V,4.5V
235 毫欧 @ 800mA,4.5V
1V @ 1mA
1 nC @ 4.5 V
±8V
55 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
150°C(TA)
-
-
表面贴装型
CST3
SC-101,SOT-883
SOT-23-3
FDN86265P
MOSFET P-CH 150V 800MA SUPERSOT3
onsemi
18,538
现货
1 : ¥8.29000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.42478
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
800mA(Ta)
6V,10V
1.2 欧姆 @ 800mA,10V
4V @ 250µA
4.1 nC @ 10 V
±25V
210 pF @ 75 V
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
14,407
现货
1 : ¥2.22000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.37740
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
800mA(Ta)
1.2V,4.5V
390毫欧 @ 800mA,4.5V
1V @ 1mA
1.6 nC @ 4.5 V
+6V,-8V
100 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
VESM
SOT-723
4,432
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.64177
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
800mA(Ta)
1.8V,4.5V
400 毫欧 @ 500mA,4.5V
1V @ 250µA
0.92 nC @ 4.5 V
±12V
50 pF @ 10 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-523 扁平引线
SC-89,SOT-490
SOT-223-3
ZVN4210GTA
MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223
Diodes Incorporated
2,427
现货
12,000
工厂
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
1,000 : ¥3.40844
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
800mA(Ta)
5V,10V
1.5 欧姆 @ 1.5A,10V
2.4V @ 1mA
-
±20V
100 pF @ 25 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4,TO-261AA
DFN0606-3
PMH550UPEH
MOSFET P-CH 20V 800MA DFN0606-3
Nexperia USA Inc.
15,586
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.43249
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
800mA(Ta)
1.8V,4.5V
640毫欧 @ 600mA,4,5V
950mV @ 250µA
0.9 nC @ 4.5 V
±8V
54.8 pF @ 10 V
-
360mW(Ta),2,23W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN0606-3
3-XFDFN
DPAK_369C
NDDL01N60ZT4G
MOSFET N-CH 600V 800MA DPAK
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
800mA(Ta)
10V
15 欧姆 @ 400mA,10V
4.5V @ 50µA
4.9 nC @ 10 V
±30V
92 pF @ 25 V
-
26W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
IPAK/TP
NDDL01N60Z-1G
MOSFET N-CH 600V 800MA IPAK
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
800mA(Ta)
10V
15 欧姆 @ 400mA,10V
4.5V @ 50µA
4.9 nC @ 10 V
±30V
92 pF @ 25 V
-
26W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
SSF7320
SSF7320
MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.8A, 20V,
Good-Ark Semiconductor
15,860
现货
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.41457
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
800mA(Ta)
1.5V,4.5V
300 毫欧 @ 500mA,4.5V
1.2V @ 250µA
1 nC @ 4.5 V
±12V
75 pF @ 10 V
-
450mW
-55°C ~ 150°C
-
-
表面贴装型
SOT-723
SOT-723
4-DIP
IRFD220PBF
MOSFET N-CH 200V 800MA 4DIP
Vishay Siliconix
1,322
现货
1 : ¥11.74000
散装
-
散装
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
800mA(Ta)
10V
800 毫欧 @ 480mA,10V
4V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
260 pF @ 25 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
4-HVMDIP
4-DIP(0.300",7.62mm)
SOT-323
XP234N08013R-G
MOSFET N-CH 30V 800MA SOT323-3
Torex Semiconductor Ltd
100
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.60968
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
800mA(Ta)
4.5V,10V
290毫欧 @ 400mA,10V
2.6V @ 250µA
1.32 nC @ 10 V
±20V
64 pF @ 10 V
-
350mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323-3A
SC-70,SOT-323
SOT-223-3
ZVN4210GTC
MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223
Diodes Incorporated
0
现货
4,000 : ¥2.28035
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
800mA(Ta)
5V,10V
1.5 欧姆 @ 1.5A,10V
2.4V @ 1mA
-
±20V
100 pF @ 25 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4,TO-261AA
SOT-23
XP234N0801TR-G
MOSFET N-CH 30V 800MA SOT23
Torex Semiconductor Ltd
0
现货
查看交期
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.48131
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
800mA(Ta)
4.5V,10V
290毫欧 @ 400mA,10V
2.6V @ 250µA
1.32 nC @ 10 V
±20V
64 pF @ 10 V
-
400mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-223-4
SPN04N60S5
MOSFET N-CH 600V 800MA SOT223-4
Infineon Technologies
0
现货
1,000 : ¥4.78260
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
800mA(Ta)
10V
950 毫欧 @ 2.8A,10V
5.5V @ 200µA
17 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 25 V
-
1.8W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4,TO-261AA
4-DIP
IRFD220
MOSFET N-CH 200V 800MA 4DIP
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
800mA(Ta)
10V
800 毫欧 @ 480mA,10V
4V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
260 pF @ 25 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
4-HVMDIP
4-DIP(0.300",7.62mm)
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
16 V
800mA(Ta)
-
-
750mV @ 1mA
-
±5V
22 pF @ 0 V
-
9W(Tc)
150°C
-
-
表面贴装型
UPAK
TO-243AA
显示
/ 24

800mA(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。