单 FET，MOSFET

结果 : 90
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
不适用于新设计停产在售
漏源电压（Vdss）
600 V700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.3A (Ta), 6.6A (Tc)1.5A（Ta），7.6A（Tc）1.7A（Ta），9.6A（Tc）1.8A（Ta），11A（Tc）2A (Ta), 12A (Tc)2.8A (Ta), 12A (Tc)4.1A（Ta），20A（Tc）4.3A (Ta), 24A (Tc)4.4A (Ta), 24A (Tc)4.9A（Ta），28A（Tc）5A（Tc）5.3A（Ta），35A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
40 毫欧 @ 25A，10V42 毫欧 @ 25A，10V65 毫欧 @ 25A，10V95 毫欧 @ 19A，10V110 毫欧 @ 19A，10V125 毫欧 @ 14A，10V140 毫欧 @ 14A，10V160 毫欧 @ 12A，10V170 毫欧 @ 7.6A，10V180 毫欧 @ 12A，10V190 毫欧 @ 7.6A，10V210 毫欧 @ 7.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA3.5V @ 250µA3.6V @ 250µA3.8V @ 250µA4V @ 250µA4.1V @ 250µA4.2V @ 250µA4.5V @ 250µA4.6V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9.4 nC @ 10 V10 nC @ 10 V11.5 nC @ 10 V14.5 nC @ 10 V15.5 nC @ 10 V16.5 nC @ 10 V18 nC @ 10 V20 nC @ 10 V21.5 nC @ 10 V22.5 nC @ 10 V23.5 nC @ 10 V34 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
461 pF @ 100 V608 pF @ 100 V675 pF @ 100 V870 pF @ 100 V900 pF @ 100 V950 pF @ 100 V955 pF @ 100 V1115 pF @ 100 V1350 pF @ 100 V1360 pF @ 100 V1935 pF @ 100 V2340 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
4.1W（Ta），113W（Tc）4.1W（Ta），138W（Tc）4.2W (Ta), 104W (Tc)4.2W (Ta), 183W (Tc)4.2W（Ta），166W（Tc）8.3W (Ta), 227W (Tc)8.3W (Ta), 250W (Tc)8.3W（Ta），156W（Tc）8.3W（Ta），208W（Tc）8.3W（Ta），312W（Tc）8.3W（Ta），357W（Tc）23W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
4-DFN（8x8）8-DFN-EP（5x6）TO-220TO-220FTO-247TO-251ATO-252（DPAK）TO-262TO-262FTO-263（D2PAK）TOLL
封装/外壳
4-PowerTSFN8-PowerSFN8-PowerVDFNTO-220-3TO-220-3 整包TO-247-3TO-251-3 短引线，IPAKTO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AATO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
90结果
应用的筛选条件 删除全部
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/ 90
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
3,197
现货
1 : ¥11.16000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.64957
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
14A（Tc）
10V
280 毫欧 @ 7A，10V
3V @ 250µA
23.5 nC @ 10 V
±20V
1350 pF @ 100 V
-
138W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
2,920
现货
1 : ¥42.69000
剪切带（CT）
800 : ¥25.78966
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
38A（Tc）
10V
95 毫欧 @ 19A，10V
3V @ 250µA
78 nC @ 10 V
±20V
4010 pF @ 100 V
-
378W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
2,471
现货
1 : ¥10.02000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.13101
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
8A（Tc）
10V
600 毫欧 @ 2.1A，10V
3.5V @ 250µA
11.5 nC @ 10 V
±20V
608 pF @ 100 V
-
96W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
4,677
现货
1 : ¥10.67000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.40264
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
700 V
8.5A（Tc）
10V
600 毫欧 @ 2.5A，10V
4V @ 250µA
15.5 nC @ 10 V
±20V
950 pF @ 100 V
-
104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
11,502
现货
1 : ¥11.16000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
700 V
12A（Tj）
10V
360 毫欧 @ 6A，10V
4V @ 250µA
22.5 nC @ 10 V
±20V
1360 pF @ 100 V
-
29.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220F
TO-220-3 整包
7,644
现货
1 : ¥14.69000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.61657
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
11A（Tc）
10V
380 毫欧 @ 5.5A，10V
3.8V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±30V
955 pF @ 100 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
1,309
现货
1 : ¥16.42000
剪切带（CT）
800 : ¥6.89585
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
11A（Tc）
10V
380 毫欧 @ 5.5A，10V
3.8V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
955 pF @ 100 V
-
131W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
230
现货
1 : ¥19.62000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
20A（Tj）
10V
190 毫欧 @ 7.6A，10V
4.6V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±20V
1935 pF @ 100 V
-
32W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220F
TO-220-3 整包
1,727
现货
1 : ¥22.41000
剪切带（CT）
800 : ¥12.53168
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
20A（Tc）
10V
190 毫欧 @ 7.6A，10V
4.6V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±30V
1935 pF @ 100 V
-
208W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
924
现货
1 : ¥39.16000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
38A（Tj）
10V
95 毫欧 @ 19A，10V
3V @ 250µA
78 nC @ 10 V
±20V
4010 pF @ 100 V
-
41W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220F
TO-220-3 整包
862
现货
1 : ¥49.50000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
38A（Tc）
10V
95 毫欧 @ 19A，10V
3V @ 250µA
78 nC @ 10 V
±20V
4010 pF @ 100 V
-
378W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247
TO-247-3
3,499
现货
1 : ¥10.67000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.40264
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
700 V
8.5A（Tc）
10V
600 毫欧 @ 2.5A，10V
3.5V @ 250µA
15.5 nC @ 10 V
±20V
870 pF @ 100 V
-
104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
840
现货
1 : ¥11.99000
剪切带（CT）
800 : ¥7.15240
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
700 V
12A（Tc）
10V
360 毫欧 @ 6A，10V
4V @ 250µA
22.5 nC @ 10 V
±20V
1360 pF @ 100 V
-
156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
2,987
现货
1 : ¥13.71000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
11A（Tj）
10V
380 毫欧 @ 5.5A，10V
3.8V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
955 pF @ 100 V
-
27W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220F
TO-220-3 整包
750
现货
1 : ¥13.71000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
700 V
8.5A（Tj）
10V
600 毫欧 @ 2.5A，10V
3.5V @ 250µA
15.5 nC @ 10 V
±20V
870 pF @ 100 V
-
27W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220F
TO-220-3 整包
5,111
现货
1 : ¥14.45000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.52834
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
700 V
12A（Tc）
10V
360 毫欧 @ 6A，10V
4V @ 250µA
22.5 nC @ 10 V
±20V
1360 pF @ 100 V
-
138W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
985
现货
1 : ¥14.45000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
11A（Tc）
10V
380 毫欧 @ 5.5A，10V
3.8V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
955 pF @ 100 V
-
131W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
2,000
现货
1 : ¥17.98000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
11A（Tc）
10V
380 毫欧 @ 5.5A，10V
3.8V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
955 pF @ 100 V
-
27W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220F
TO-220-3 整包
603
现货
1 : ¥17.98000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
24A（Tj）
10V
160 毫欧 @ 12A，10V
3.6V @ 250µA
46 nC @ 10 V
±20V
2340 pF @ 100 V
-
34.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220F
TO-220-3 整包
496
现货
1 : ¥22.49000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
20A（Tc）
10V
190 毫欧 @ 7.6A，10V
4.6V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±20V
1935 pF @ 100 V
-
32W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220F
TO-220-3 整包
725
现货
1 : ¥24.22000
剪切带（CT）
800 : ¥14.61951
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
24A（Tc）
10V
160 毫欧 @ 12A，10V
3.6V @ 250µA
46 nC @ 10 V
±20V
2340 pF @ 100 V
-
250W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
7,987
现货
1 : ¥24.38000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
28A（Tc）
10V
125 毫欧 @ 14A，10V
4.5V @ 250µA
39 nC @ 10 V
±20V
2993 pF @ 100 V
-
312.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-262
TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
1,258
现货
1 : ¥24.38000
剪切带（CT）
800 : ¥16.20320
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
28A（Tc）
10V
125 毫欧 @ 14A，10V
4.5V @ 250µA
39 nC @ 10 V
±20V
2993 pF @ 100 V
-
357W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
0
现货
1,000 : ¥8.00953
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
14A（Tj）
10V
280 毫欧 @ 7A，10V
3.6V @ 250µA
23.5 nC @ 10 V
±20V
1350 pF @ 100 V
-
30W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220F
TO-220-3 整包
3,461
现货
1 : ¥10.92000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
700 V
5A（Tc）
10V
950 毫欧 @ 1A，10V
4.1V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
461 pF @ 100 V
-
56.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-251A
TO-251-3 短引线，IPAK
显示
/ 90

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。