单 FET，MOSFET

结果 : 6
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
漏源电压（Vdss）
50 V60 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）650mA（Ta）2A（Ta）5.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4V3V，5V3.3V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
300 毫欧 @ 1A，10V450 毫欧 @ 2.7A，10V1.8 欧姆 @ 150mA，5V20 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 1µA2V @ 1mA4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.5 nC @ 5 V6 nC @ 10 V10 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±7V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
7 pF @ 3 V60 pF @ 12 V150 pF @ 10 V600 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）800mW（Ta）1W（Ta）1.6W（Ta），45W（Tc）
工作温度
150°C150°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOP Advance（5x5）SOT-23FUFMUSM
封装/外壳
3-SMD，扁平引线8-PowerVDFNSC-70，SOT-323SOT-23-3 扁平引线
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
应用的筛选条件 删除全部
显示
/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
86,414
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.18666
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2A（Ta）
3.3V，10V
300 毫欧 @ 1A，10V
2V @ 1mA
-
±20V
150 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
31,923
现货
1 : ¥2.54000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.42672
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
100mA（Ta）
2.5V，4V
20 欧姆 @ 10mA，4V
1.5V @ 1µA
-
±7V
7 pF @ 3 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
USM
SC-70，SOT-323
44,680
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.81839
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
650mA（Ta）
3V，5V
1.8 欧姆 @ 150mA，5V
2V @ 1mA
1.5 nC @ 5 V
±12V
60 pF @ 12 V
-
1W（Ta）
150°C
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
14,419
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.07020
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2A（Ta）
3.3V，10V
300 毫欧 @ 1A，10V
2V @ 1mA
6 nC @ 10 V
±20V
150 pF @ 10 V
-
800mW（Ta）
150°C
表面贴装型
UFM
3-SMD，扁平引线
0
现货
停产
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
5.5A（Ta）
10V
450 毫欧 @ 2.7A，10V
4V @ 1mA
10 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 10 V
-
1.6W（Ta），45W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
0
现货
停产
卷带（TR）
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
5.5A（Ta）
10V
450 毫欧 @ 2.7A，10V
4V @ 1mA
10 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 10 V
-
1.6W（Ta），45W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
显示
/ 6

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。