单 FET,MOSFET

结果 : 116
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
停产在售
漏源电压(Vdss)
500 V600 V650 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.5A(Ta)5.2A(Ta)5.4A(Ta)5.8A(Ta)6.2A(Ta)6.5A(Ta)6.8A(Ta)7A(Ta)7.8A(Ta)8A(Ta)9.3A(Ta)9.5A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
18 毫欧 @ 50A,10V38 毫欧 @ 30.9A,10V40 毫欧 @ 30.9A,10V45 毫欧 @ 30.9A,10V65 毫欧 @ 19.4A,10V74 毫欧 @ 19.4A,10V80 毫欧 @ 17.5A,10V88 毫欧 @ 15.4A,10V95 毫欧 @ 17.5A,10V98 毫欧 @ 15.4A,10V99 毫欧 @ 15.4A,10V109 毫欧 @ 15.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 1.6mA3.5V @ 170µA3.5V @ 180µA3.5V @ 2.1mA3.5V @ 250µA3.5V @ 300µA3.5V @ 350µA3.5V @ 450µA3.5V @ 690µA3.5V @ 900µA3.7V @ 1.5mA3.7V @ 1.9mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
10.5 nC @ 10 V11 nC @ 10 V11.5 nC @ 10 V12 nC @ 10 V13 nC @ 10 V15 nC @ 10 V16 nC @ 10 V18.5 nC @ 10 V19 nC @ 10 V20 nC @ 10 V22 nC @ 10 V23 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
370 pF @ 300 V380 pF @ 300 V390 pF @ 300 V490 pF @ 300 V570 pF @ 300 V590 pF @ 300 V700 pF @ 300 V720 pF @ 300 V890 pF @ 300 V1150 pF @ 300 V1300 pF @ 300 V1350 pF @ 300 V
功率耗散(最大值)
30W(Tc)35W(Tc)40W(Tc)45W(Tc)50W(Tc)60W(Tc)80W(Tc)88.3W(Tc)100W(Tc)104W(Tc)110W(Tc)130W(Tc)
工作温度
150°C150°C(TA)150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
4-DFN-EP(8x8)D2PAKDPAKI2PAKIPAKTO-220TO-220SISTO-247TO-3P(L)TO-3P(N)
封装/外壳
4-VSFN 裸露焊盘TO-220-3 整包TO-220-3TO-247-3TO-251-3 短引线,IPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-3P-3,SC-65-3TO-3PL
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
116结果
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/ 116
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
1,803
现货
1 : ¥32.96000
剪切带(CT)
2,500 : ¥16.04478
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
30.8A(Ta)
10V
109 毫欧 @ 15.4A,10V
4.5V @ 1.5mA
105 nC @ 10 V
±30V
3000 pF @ 300 V
-
240W(Tc)
150°C(TA)
-
-
表面贴装型
4-DFN-EP(8x8)
4-VSFN 裸露焊盘
2,788
现货
1 : ¥18.80000
剪切带(CT)
1,000 : ¥8.92047
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
13.7A(Ta)
10V
250 毫欧 @ 6.9A,10V
3.5V @ 690µA
35 nC @ 10 V
±30V
1300 pF @ 300 V
-
130W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
3,061
现货
1 : ¥51.51000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
38.8A(Ta)
10V
74 毫欧 @ 19.4A,10V
4.5V @ 1.9mA
135 nC @ 10 V
±30V
4100 pF @ 300 V
-
270W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247
TO-247-3
15,437
现货
1 : ¥8.78000
剪切带(CT)
2,000 : ¥5.25398
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
8A(Ta)
10V
560 毫欧 @ 4A,10V
4.5V @ 400µA
22 nC @ 10 V
±30V
590 pF @ 300 V
-
80W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
1,203
现货
1 : ¥12.22000
剪切带(CT)
2,000 : ¥5.51054
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
7A(Ta)
10V
670 毫欧 @ 3.5A,10V
4.5V @ 350µA
16 nC @ 10 V
±30V
490 pF @ 300 V
-
60W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8,975
现货
1 : ¥14.26000
剪切带(CT)
2,000 : ¥6.16727
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
5.4A(Ta)
10V
900 毫欧 @ 2.7A,10V
3.7V @ 270µA
10.5 nC @ 10 V
±30V
380 pF @ 300 V
-
60W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
5,040
现货
1 : ¥23.26000
剪切带(CT)
2,000 : ¥10.48606
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
9.7A(Ta)
10V
430 毫欧 @ 4.9A,10V
3.7V @ 500µA
20 nC @ 10 V
±30V
700 pF @ 300 V
-
80W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
4,812
现货
1 : ¥23.64000
剪切带(CT)
2,500 : ¥11.50949
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
20A(Ta)
10V
190 毫欧 @ 10A,10V
4.5V @ 1mA
55 nC @ 10 V
±30V
1800 pF @ 300 V
-
156W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
4-DFN-EP(8x8)
4-VSFN 裸露焊盘
432
现货
1 : ¥266.45000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
100A(Tc)
10V
18 毫欧 @ 50A,10V
3.7V @ 5mA
360 nC @ 10 V
±30V
15000 pF @ 30 V
-
797W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3P(L)
TO-3PL
2,008
现货
1 : ¥10.73000
剪切带(CT)
2,000 : ¥4.43659
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
5.8A(Ta)
10V
1.05 欧姆 @ 2.9A,10V
3.5V @ 180µA
11 nC @ 10 V
±30V
390 pF @ 300 V
-
60W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
1,408
现货
1 : ¥12.46000
剪切带(CT)
2,000 : ¥5.61754
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
6.8A(Ta)
10V
800 毫欧 @ 3.4A,10V
3.5V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±30V
490 pF @ 300 V
-
60W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
TK5P60W5,RVQ
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Toshiba Semiconductor and Storage
2,000
现货
1 : ¥10.22000
剪切带(CT)
2,000 : ¥4.22794
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
4.5A(Ta)
10V
990 毫欧 @ 2.3A,10V
4.5V @ 230µA
11.5 nC @ 10 V
±30V
370 pF @ 300 V
-
60W(Tc)
150°C
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
TK5P65W,RQ
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Toshiba Semiconductor and Storage
1,987
现货
1 : ¥10.38000
剪切带(CT)
2,000 : ¥4.29383
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
5.2A(Ta)
10V
1.22 欧姆 @ 2.6A,10V
3.5V @ 170µA
10.5 nC @ 10 V
±30V
380 pF @ 300 V
-
60W(Tc)
150°C
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
TK10P50W,RQ
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Toshiba Semiconductor and Storage
1,613
现货
1 : ¥13.50000
剪切带(CT)
2,000 : ¥6.08834
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
9.7A(Ta)
10V
430 毫欧 @ 4.9A,10V
3.7V @ 500µA
20 nC @ 10 V
±30V
700 pF @ 300 V
-
80W(Tc)
150°C
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
126
现货
1 : ¥14.26000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
5.4A(Ta)
10V
900 毫欧 @ 2.7A,10V
3.7V @ 270µA
10.5 nC @ 10 V
±30V
380 pF @ 300 V
-
60W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线,IPAK
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
TK8P65W,RQ
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Toshiba Semiconductor and Storage
1,974
现货
1 : ¥14.64000
剪切带(CT)
2,000 : ¥6.60194
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
7.8A(Ta)
10V
670 毫欧 @ 3.9A,10V
3.5V @ 300µA
16 nC @ 10 V
±30V
570 pF @ 300 V
-
80W(Tc)
150°C
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
TK12P50W,RQ
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Toshiba Semiconductor and Storage
1,925
现货
1 : ¥15.31000
剪切带(CT)
2,000 : ¥6.90154
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
11.5A(Ta)
10V
340 毫欧 @ 5.8A,10V
3.7V @ 600µA
25 nC @ 10 V
±30V
890 pF @ 300 V
-
100W(Tc)
150°C
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
186
现货
1 : ¥15.28000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
6.2A(Ta)
10V
820 毫欧 @ 3.1A,10V
3.7V @ 310µA
12 nC @ 10 V
±30V
390 pF @ 300 V
-
60W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线,IPAK
473
现货
1 : ¥15.36000
剪切带(CT)
2,000 : ¥6.92294
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
11.1A(Ta)
10V
440 毫欧 @ 5.5A,10V
3.5V @ 450µA
25 nC @ 10 V
±30V
890 pF @ 300 V
-
100W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
1,999
现货
1 : ¥15.40000
剪切带(CT)
2,000 : ¥6.94434
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
6.2A(Ta)
10V
820 毫欧 @ 3.1A,10V
3.7V @ 310µA
12 nC @ 10 V
±30V
390 pF @ 300 V
-
60W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
1,994
现货
1 : ¥16.28000
剪切带(CT)
2,000 : ¥7.34025
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
7A(Ta)
10V
600 毫欧 @ 3.5A,10V
3.7V @ 350µA
15 nC @ 10 V
±30V
490 pF @ 300 V
-
60W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
1,949
现货
1 : ¥17.56000
剪切带(CT)
2,000 : ¥7.91805
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
11.5A(Ta)
10V
340 毫欧 @ 5.8A,10V
3.7V @ 600µA
25 nC @ 10 V
±30V
890 pF @ 300 V
-
100W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
TK16G60W5,RVQ
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Toshiba Semiconductor and Storage
1,000
现货
1 : ¥24.60000
剪切带(CT)
1,000 : ¥12.71924
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
15.8A(Ta)
10V
230 毫欧 @ 7.9A,10V
4.5V @ 790µA
43 nC @ 10 V
±30V
1350 pF @ 300 V
-
130W(Tc)
150°C
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
TK16V60W5,LVQ
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
Toshiba Semiconductor and Storage
2,500
现货
1 : ¥26.65000
剪切带(CT)
2,500 : ¥12.97282
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
15.8A(Ta)
10V
245 毫欧 @ 7.9A,10V
4.5V @ 790µA
43 nC @ 10 V
±30V
1350 pF @ 300 V
-
139W(Tc)
150°C
-
-
表面贴装型
4-DFN-EP(8x8)
4-VSFN 裸露焊盘
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
TK14V65W,LQ
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
Toshiba Semiconductor and Storage
2,394
现货
1 : ¥26.69000
剪切带(CT)
2,500 : ¥12.99358
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
13.7A(Ta)
10V
280 毫欧 @ 6.9A,10V
3.5V @ 690µA
35 nC @ 10 V
±30V
1300 pF @ 300 V
-
139W(Tc)
150°C
-
-
表面贴装型
4-DFN-EP(8x8)
4-VSFN 裸露焊盘
显示
/ 116

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。