单 FET，MOSFET

结果 : 17
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
80 V100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
34A（Tc）58A（Tc）59A（Tc）62A（Tc）64A（Tc）70A（Tc）79A (Ta), 52A (Tc)84A（Tc）92A（Tc）100A（Tc）120A（Tc）160A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.92 毫欧 @ 80A，10V2.43mOhm @ 50A，10V2.44 毫欧 @ 50A，10V3 毫欧 @ 50A，10V3.2 毫欧 @ 46A，10V3.3 毫欧 @ 50A，10V5.1 毫欧 @ 35A，10V5.1 毫欧 @ 42A，10V5.3 毫欧 @ 50A，10V6mOhm @ 29.5A, 10V6.8 毫欧 @ 29A，10V6.9 毫欧 @ 31A，10V7 毫欧 @ 32A，10V8.8mOhm @ 26A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 1.3mA3.5V @ 1mA3.5V @ 2.2mA3.5V @ 200µA3.5V @ 300µA3.5V @ 400µA3.5V @ 500µA3.5V @ 700µA3.5V @ 900µA4.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
16 nC @ 10 V26 nC @ 10 V38 nC @ 10 V39 nC @ 10 V44 nC @ 10 V54 nC @ 10 V55 nC @ 10 V56 nC @ 10 V71 nC @ 10 V87 nC @ 10 V102 nC @ 10 V110 nC @ 10 V178 nC @ 10 V179 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1400 pF @ 40 V1750 pF @ 40 V2500 pF @ 40 V2700 pF @ 40 V3980 pF @ 40 V5400 pF @ 75 V7200 pF @ 40 V7670 pF @ 40 V8300 pF @ 40 V11500 pF @ 10 V13000 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
630mW（Ta），57W（Tc）3W (Ta), 109W (Tc)3W (Ta), 135W (Tc)3W (Ta), 180W (Tc)3W（Ta），210W（Tc）41W（Tc）45W（Tc）47W（Tc）87W（Tc）89W（Tc）104W（Tc）150W（Tc）210W（Tc）230W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-SOP Advance（5x5.75）8-SOP Advance（5x5）8-TSON Advance（3.1x3.1）DPAKTO-220TO-220SISTO-220SM（W）
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNTO-220-3 整包TO-220-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
17结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
7,738
现货
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.98332
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
34A（Tc）
6V，10V
19 毫欧 @ 17A，10V
3.5V @ 200µA
16 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 40 V
-
630mW（Ta），57W（Tc）
175°C
-
-
表面贴装型
8-TSON Advance（3.1x3.1）
8-PowerVDFN
30,118
现货
1 : ¥12.97000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.61230
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
120A（Tc）
6V，10V
2.43mOhm @ 50A，10V
3.5V @ 1mA
87 nC @ 10 V
±20V
8300 pF @ 40 V
-
3W（Ta），210W（Tc）
175°C
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
5,609
现货
1 : ¥8.78000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.62394
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
62A（Tc）
6V，10V
6.9 毫欧 @ 31A，10V
3.5V @ 500µA
39 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 40 V
-
89W（Tc）
175°C
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
15,468
现货
1 : ¥11.16000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.61228
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
84A（Tc）
6V，10V
5.1 毫欧 @ 42A，10V
3.5V @ 700µA
56 nC @ 10 V
±20V
3980 pF @ 40 V
-
104W（Tc）
175°C
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
120
现货
1 : ¥11.08000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
64A（Tc）
6V，10V
7 毫欧 @ 32A，10V
3.5V @ 500µA
39 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 40 V
-
87W（Tc）
175°C
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
101
现货
1 : ¥11.99000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
120A（Tc）
6V，10V
5.3 毫欧 @ 50A，10V
3.5V @ 700µA
55 nC @ 10 V
±20V
3980 pF @ 40 V
-
150W（Tc）
175°C
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
163
现货
1 : ¥17.98000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
120A（Tc）
6V，10V
3.3 毫欧 @ 50A，10V
3.5V @ 1.3mA
110 nC @ 10 V
±20V
7670 pF @ 40 V
-
230W（Tc）
175°C
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
176
现货
1 : ¥24.38000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
120A（Tc）
6V，10V
2.44 毫欧 @ 50A，10V
3.5V @ 2.2mA
178 nC @ 10 V
±20V
13000 pF @ 40 V
-
300W（Tc）
175°C
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
4,854
现货
1 : ¥29.88000
剪切带（CT）
1,000 : ¥15.43062
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
160A（Ta）
6V，10V
1.92 毫欧 @ 80A，10V
3.5V @ 1mA
184 nC @ 10 V
±20V
11500 pF @ 10 V
-
375W（Tc）
175°C
-
-
表面贴装型
TO-220SM（W）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
150V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 9M
TPH9R00CQ5,LQ
150V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 9M
Toshiba Semiconductor and Storage
3,755
现货
1 : ¥19.29000
剪切带（CT）
5,000 : ¥8.38242
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
64A（Tc）
8V，10V
9 毫欧 @ 32A，10V
4.5V @ 1mA
44 nC @ 10 V
±20V
5400 pF @ 75 V
-
210W（Tc）
175°C
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
35
现货
1 : ¥9.60000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
58A（Tc）
6V，10V
6.8 毫欧 @ 29A，10V
3.5V @ 500µA
39 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 40 V
-
41W（Tc）
175°C
-
-
通孔
TO-220SIS
TO-220-3 整包
53
现货
1 : ¥12.23000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
70A（Tc）
6V，10V
5.1 毫欧 @ 35A，10V
3.5V @ 700µA
54 nC @ 10 V
±20V
3980 pF @ 40 V
-
45W（Tc）
175°C
-
-
通孔
TO-220SIS
TO-220-3 整包
80
现货
1 : ¥21.92000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
100A（Tc）
6V，10V
2.44 毫欧 @ 50A，10V
3.5V @ 2.2mA
179 nC @ 10 V
±20V
13000 pF @ 40 V
-
47W（Tc）
175°C
-
-
通孔
TO-220SIS
TO-220-3 整包
0
现货
查看交期
1 : ¥16.58000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
92A（Tc）
6V，10V
3.2 毫欧 @ 46A，10V
3.5V @ 1.3mA
102 nC @ 10 V
±20V
7670 pF @ 40 V
-
45W（Tc）
175°C
-
-
通孔
TO-220SIS
TO-220-3 整包
80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 8.8MO
TPH8R808QM,LQ
80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 8.8MO
Toshiba Semiconductor and Storage
0
现货
查看交期
1 : ¥7.06000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.54980
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
79A (Ta), 52A (Tc)
6V，10V
8.8mOhm @ 26A, 10V
3.5V @ 300µA
26 nC @ 10 V
±20V
1750 pF @ 40 V
-
3W (Ta), 109W (Tc)
175°C
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5.75）
8-PowerTDFN
80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 6MOHM
TPH6R008QM,LQ
80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 6MOHM
Toshiba Semiconductor and Storage
0
现货
查看交期
1 : ¥7.91000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.19712
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
59A（Tc）
6V，10V
6mOhm @ 29.5A, 10V
3.5V @ 400µA
38 nC @ 10 V
±20V
2500 pF @ 40 V
-
3W (Ta), 135W (Tc)
175°C
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5.75）
8-PowerTDFN
80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 3MOHM
TPH3R008QM,LQ
80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 3MOHM
Toshiba Semiconductor and Storage
0
现货
查看交期
1 : ¥13.01000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.25241
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
100A（Tc）
6V，10V
3 毫欧 @ 50A，10V
3.5V @ 900µA
71 nC @ 10 V
±20V
7200 pF @ 40 V
-
3W (Ta), 180W (Tc)
175°C
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5.75）
8-PowerTDFN
显示
/ 17

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。