Transphorm 单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

TP90H050WS GANFET N-CH 900V 34A TO247-3 Transphorm	0 现货	450 : ¥97.99033 管件	-	管件	停产	N 通道	GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）	900 V	34A（Tc）	10V	63 毫欧 @ 22A，10V	4.4V @ 700µA	17.5 nC @ 10 V	±20V	980 pF @ 600 V	-	119W（Tc）	-55°C ~ 150°C	通孔	TO-247-3	TO-247-3
TP90H180PS GANFET N-CH 900V 15A TO220AB Transphorm	0 现货	停产	-	管件	停产	N 通道	GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）	900 V	15A（Tc）	10V	205 毫欧 @ 10A，10V	2.6V @ 500µA	10 nC @ 8 V	±18V	780 pF @ 600 V	-	78W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-220AB	TO-220-3