TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB 单 FET,MOSFET

结果 : 3,436
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Comchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSLittelfuse Inc.Micro Commercial CoNexperia USA Inc.NXP USA Inc.
系列
-AlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™Cool MOS™CoolMOS™CoolMOS™ C3CoolMOS™ C6CoolMOS™ C7CoolMOS™ CFD2CoolMOS™ CFD7
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
20 V24 V25 V28 V30 V33 V36 V40 V50 V55 V60 V65 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA(Tc)600mA(Tc)750mA(Tc)800mA(Tc)800mA(Tj)1A(Tc)1.4A(Tc)1.5A(Tc)1.6A(Tc)1.6A(Tj)1.7A(Tc)1.8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V1.8V,4.5V2.5V,4.5V2.5V,5V2.8V,10V4V,10V4V,5V4.3V,10V4.5V4.5V,10V4.5V,5V4.5V,7V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.74 毫欧 @ 125A,10V0.9 毫欧 @ 100A,10V1 毫欧@ 25A,10V1.1 毫欧 @ 90A,10V1.15 毫欧 @ 100A,10V1.15 毫欧 @ 60A,10V1.2 毫欧 @ 100A,10V1.2 毫欧 @ 80A,10V1.25 毫欧 @ 100A,10V1.25 毫欧 @ 60A,10V1.3 毫欧 @ 100A,10V1.3 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 250µA(最小)1V @ 250µA1V @ 250µA(最小)1.5V @ 100µA1.5V @ 250µA1.8V @ 250µA2V @ 100µA2V @ 110µA2V @ 125µA2V @ 130µA2V @ 150µA2V @ 16µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
3.76 nC @ 4.5 V5 nC @ 10 V5.2 nC @ 10 V5.2 nC @ 5 V5.3 nC @ 10 V6 nC @ 10 V6.1 nC @ 5 V6.4 nC @ 5 V6.9 nC @ 10 V7 nC @ 10 V7.2 nC @ 4.5 V7.4 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+5V,-16V±8V+10V,-20V±10V12V±12V±15V±16V±18V+20V,-10V+20V,-16V±20V+25V,-10V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
116 pF @ 25 V124 pF @ 100 V140 pF @ 25 V170 pF @ 25 V177 pF @ 100 V180 pF @ 25 V200 pF @ 25 V210 pF @ 75 V220 pF @ 25 V225 pF @ 20 V226 pF @ 100 V230 pF @ 25 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散(最大值)
1.04W(Ta),62.5W(Tc)1.2W(Ta),75W(Tc)1.25W(Ta),74.4W(Tc)1.35W(Ta),50W(Tc)1.5W(Ta),104W(Tc)1.5W(Ta),119W(Tc)1.5W(Ta),125W(Tc)1.5W(Ta),156W(Tc)1.5W(Ta),213W(Tc)1.56W(Ta),106W(Tc)1.56W(Ta),107W(Tc)1.56W(Ta),211W(Tc)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-65°C ~ 175°C(TJ)-60°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TA)-55°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 200°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-50°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)150°C150°C(TA)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
D2PAKD2PAK+D2PAK-3(TO-263)D2PAK(TO-263)H2PAK-2H2Pak-2LPTLLPTSPG-TO220-3-5PG-TO263-2PG-TO263-3PG-TO263-3-2
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3,436结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 3,436
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF530NSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Infineon Technologies
5,406
现货
1 : ¥10.34000
剪切带(CT)
800 : ¥5.57148
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
17A(Tc)
10V
90 毫欧 @ 9A,10V
4V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
920 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),70W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF9Z34NSTRLPBF
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Infineon Technologies
5,336
现货
1 : ¥10.51000
剪切带(CT)
800 : ¥5.65265
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
19A(Tc)
10V
100 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
620 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRL530NSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Infineon Technologies
104
现货
1 : ¥11.74000
剪切带(CT)
800 : ¥6.32418
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
17A(Tc)
4V,10V
100 毫欧 @ 9A,10V
2V @ 250µA
34 nC @ 5 V
±20V
800 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),79W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF540NSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Infineon Technologies
16,845
现货
1 : ¥12.31000
剪切带(CT)
800 : ¥6.64290
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
33A(Tc)
10V
44 毫欧 @ 16A,10V
4V @ 250µA
71 nC @ 10 V
±20V
1960 pF @ 25 V
-
130W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS3607TRLPBF
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Infineon Technologies
23,841
现货
1 : ¥12.48000
剪切带(CT)
800 : ¥6.72110
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
80A(Tc)
10V
9 毫欧 @ 46A,10V
4V @ 100µA
84 nC @ 10 V
±20V
3070 pF @ 50 V
-
140W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF5305STRLPBF
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Infineon Technologies
10,811
现货
1 : ¥12.48000
剪切带(CT)
800 : ¥6.98821
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
31A(Tc)
10V
60 毫欧 @ 16A,10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFZ34NSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
Infineon Technologies
2,433
现货
1 : ¥12.48000
剪切带(CT)
800 : ¥6.71966
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
29A(Tc)
10V
40 毫欧 @ 16A,10V
4V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±20V
700 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
D2PAK SOT404
PSMN4R3-30BL,118
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Nexperia USA Inc.
3,438
现货
1 : ¥12.56000
剪切带(CT)
800 : ¥6.76543
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
100A(Tc)
4.5V,10V
4.1 毫欧 @ 15A,10V
2.15V @ 1mA
41.5 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 15 V
-
103W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRLZ44NSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK
Infineon Technologies
2,474
现货
1 : ¥12.56000
剪切带(CT)
800 : ¥6.78903
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
47A(Tc)
4V,10V
22 毫欧 @ 25A,10V
2V @ 250µA
48 nC @ 5 V
±16V
1700 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF640NSTRLPBF
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Infineon Technologies
35,368
现货
1 : ¥12.89000
剪切带(CT)
800 : ¥7.19611
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
18A(Tc)
10V
150 毫欧 @ 11A,10V
4V @ 250µA
67 nC @ 10 V
±20V
1160 pF @ 25 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF3710STRLPBF
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Infineon Technologies
16,299
现货
1 : ¥15.27000
剪切带(CT)
800 : ¥8.54234
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
57A(Tc)
10V
23 毫欧 @ 28A,10V
4V @ 250µA
130 nC @ 10 V
±20V
3130 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF3710ZSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Infineon Technologies
16,363
现货
1 : ¥15.43000
剪切带(CT)
800 : ¥8.65450
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
59A(Tc)
10V
18 毫欧 @ 35A,10V
4V @ 250µA
120 nC @ 10 V
±20V
2900 pF @ 25 V
-
160W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF9540NSTRLPBF
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
Infineon Technologies
3,146
现货
1 : ¥15.68000
剪切带(CT)
800 : ¥8.76123
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
23A(Tc)
10V
117 毫欧 @ 14A,10V
4V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
1450 pF @ 25 V
-
3.1W(Ta),110W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRL540NSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
Infineon Technologies
42,861
现货
1 : ¥15.76000
剪切带(CT)
800 : ¥8.79950
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
36A(Tc)
4V,10V
44 毫欧 @ 18A,10V
2V @ 250µA
74 nC @ 5 V
±16V
1800 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),140W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB144N12N3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 56A D2PAK
Infineon Technologies
8,280
现货
1 : ¥16.17000
剪切带(CT)
1,000 : ¥7.67755
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
120 V
56A(Ta)
10V
14.4 毫欧 @ 56A,10V
4V @ 61µA
49 nC @ 10 V
±20V
3220 pF @ 60 V
-
107W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263
FQB27P06TM
MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK
onsemi
290
现货
1 : ¥16.17000
剪切带(CT)
800 : ¥9.03213
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
27A(Tc)
10V
70 毫欧 @ 13.5A,10V
4V @ 250µA
43 nC @ 10 V
±25V
1400 pF @ 25 V
-
3.75W(Ta),120W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS7437TRLPBF
MOSFET N CH 40V 195A D2PAK
Infineon Technologies
1,608
现货
1 : ¥16.75000
剪切带(CT)
800 : ¥9.34541
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
195A(Tc)
6V,10V
1.8 毫欧 @ 100A,10V
3.9V @ 150µA
225 nC @ 10 V
±20V
7330 pF @ 25 V
-
230W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263AB
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263
FDB13AN06A0
MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
onsemi
917
现货
1 : ¥17.24000
剪切带(CT)
800 : ¥9.64095
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
10.9A(Ta),62A(Tc)
6V,10V
13.5 毫欧 @ 62A,10V
4V @ 250µA
29 nC @ 10 V
±20V
1350 pF @ 25 V
-
115W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263
FDB28N30TM
MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
onsemi
751
现货
1 : ¥17.24000
剪切带(CT)
800 : ¥9.66004
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
300 V
28A(Tc)
10V
129 毫欧 @ 14A,10V
5V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±30V
2250 pF @ 25 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB60R280P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Infineon Technologies
3,862
现货
1 : ¥17.49000
剪切带(CT)
1,000 : ¥8.28003
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
12A(Tc)
10V
280 毫欧 @ 3.8A,10V
4V @ 190µA
18 nC @ 10 V
±20V
761 pF @ 400 V
-
53W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263AB
IRL640STRLPBF
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
Vishay Siliconix
5,476
现货
1 : ¥18.14000
剪切带(CT)
800 : ¥10.14029
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
17A(Tc)
4V,5V
180 毫欧 @ 10A,5V
2V @ 250µA
66 nC @ 5 V
±10V
1800 pF @ 25 V
-
3.1W(Ta),125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263AB
IRL640SPBF
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
Vishay Siliconix
3,798
现货
1 : ¥18.14000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
17A(Tc)
4V,5V
180 毫欧 @ 10A,5V
2V @ 250µA
66 nC @ 5 V
±10V
1800 pF @ 25 V
-
3.1W(Ta),125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
D2PAK SOT404
BUK9611-80E,118
MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
Nexperia USA Inc.
3,870
现货
1 : ¥18.64000
剪切带(CT)
800 : ¥10.43900
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
75A(Tc)
5V
10 毫欧 @ 20A,10V
2.1V @ 1mA
48.8 nC @ 5 V
±10V
7149 pF @ 25 V
-
182W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
2,788
现货
1 : ¥18.80000
剪切带(CT)
1,000 : ¥8.92044
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
13.7A(Ta)
10V
250 毫欧 @ 6.9A,10V
3.5V @ 690µA
35 nC @ 10 V
±30V
1300 pF @ 300 V
-
130W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263AB
IRF9640STRLPBF
MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
Vishay Siliconix
4,011
现货
1 : ¥18.96000
剪切带(CT)
800 : ¥10.59991
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
11A(Tc)
10V
500 毫欧 @ 6.6A,10V
4V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
3W(Ta),125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
显示
/ 3,436

TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。