TO-251-3 短引线,IPAK 单 FET,MOSFET

结果 : 181
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedGoford SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSMicro Commercial CoonsemiSTMicroelectronicsTaiwan Semiconductor CorporationToshiba Semiconductor and Storage
系列
-*AlphaMOSAlphaSGT™aMOS5™aMOS™CoolMOS™CoolMOS™ CECoolMOS™ E6CoolMOS™ P7DTMOSIVMDmesh™ M6
包装
卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
16 V25 V30 V40 V60 V100 V120 V200 V250 V300 V400 V500 V550 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
800mA(Tc)1.3A(Tc)1.8A(Tc)2A(Ta)2A(Tc)3A(Ta),18A(Tc)3A(Tc)3.1A(Tc)3.2A(Tc)3.5A(Tc)3.8A(Tc)4A
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V4.5V,10V4.5V,11.5V5V,10V6V,10V7V,10V8V,10V10V10V,20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.6 毫欧 @ 20A,10V2.7 毫欧 @ 20A,10V3 毫欧 @ 20A,10V3.1 毫欧 @ 20A,10V3.1 毫欧 @ 30A,10V3.6 毫欧 @ 30A,10V3.7 毫欧 @ 30A,10V4 毫欧 @ 30A,10V4 毫欧 @ 50A,10V4.7 毫欧 @ 30A,10V5 毫欧 @ 20A,10V5 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA2V @ 20µA2V @ 250µA2V @ 40µA2V @ 80µA2.2V @ 250µA2.3V @ 250µA2.4V @ 250µA2.4V @ 83µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA2.6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
3.8 nC @ 400 V5 nC @ 10 V5.1 nC @ 10 V6 nC @ 10 V6.8 nC @ 4.5 V7 nC @ 10 V7.2 nC @ 10 V7.5 nC @ 10 V7.8 nC @ 10 V8 nC @ 10 V8.2 nC @ 4.5 V8.3 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
±16V±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
100 pF @ 25 V130 pF @ 400 V160 pF @ 25 V163 pF @ 100 V170 pF @ 100 V175 pF @ 500 V200 pF @ 25 V225 pF @ 100 V250 pF @ 25 V263 pF @ 100 V280 pF @ 25 V295 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
1.07W(Ta),35.71W(Tc)1.1W(Ta),35.7W(Tc)1.2W(Ta),25.9W(Tc)1.2W(Ta),34.9W(Tc)1.25W(Ta),58W(Tc)1.26W(Ta),32.6W(Tc)1.27W(Ta),35.3W(Tc)1.27W(Ta),36.6W(Tc)1.3W(Ta),52W(Tc)1.3W(Ta),54.5W(Tc)1.33W(Ta),60W(Tc)1.37W(Ta),27.3W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-50°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)-
供应商器件封装
IPAKPG-TO251-3-11PG-TO251-3-342PG-TO251-3-347PW-MOLD2TO-251TO-251-3TO-251ATO-251BTO-251STO-251S(IPAK SL)TO-251(IPAK)TO-251(型 TH3)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
181结果
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/ 181
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
48,592
现货
1 : ¥4.88000
管件
-
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V11A(Tc)4.5V,10V90 毫欧 @ 6A,10V2.5V @ 250µA9.3 nC @ 10 V±20V500 pF @ 15 V-25W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)通孔TO-251(IPAK)TO-251-3 短引线,IPAK
TO-251A
AOI4286
MOSFET N-CH 100V 4A/14A TO251A
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
3,684
现货
1 : ¥4.96000
管件
-
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V4A(Ta),14A(Tc)4.5V,10V68 毫欧 @ 5A,10V2.9V @ 250µA10 nC @ 10 V±20V390 pF @ 50 V-2.5W(Ta),30W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)通孔TO-251ATO-251-3 短引线,IPAK
10,387
现货
1 : ¥5.85000
管件
-
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V30A(Tc)4.5V,10V34 毫欧 @ 15A,10V2.5V @ 250µA16.6 nC @ 10 V±20V1180 pF @ 30 V-66W(Tc)150°C(TJ)通孔TO-251(IPAK)TO-251-3 短引线,IPAK
TO-251A
AOI21357
MOSFET P-CH 30V 23A/70A TO251A
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
3,546
现货
1 : ¥5.91000
管件
-
管件
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V23A(Ta),70A(Tc)4.5V,10V8 毫欧 @ 20A,10V2.3V @ 250µA70 nC @ 10 V±25V2830 pF @ 15 V-6.2W(Ta),78W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)通孔TO-251ATO-251-3 短引线,IPAK
8,377
现货
1 : ¥6.34000
管件
-
管件
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)60 V18A(Tc)4.5V,10V68 毫欧 @ 6A,10V2.2V @ 250µA16.4 nC @ 10 V±20V870 pF @ 30 V-20W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)通孔TO-251(IPAK)TO-251-3 短引线,IPAK
8,793
现货
1 : ¥6.75000
管件
-
管件
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)60 V20A(Tc)4.5V,10V48 毫欧 @ 8A,10V2.2V @ 250µA22.4 nC @ 10 V±20V1250 pF @ 30 V-66W(Tc)-50°C ~ 150°C(TJ)通孔TO-251(IPAK)TO-251-3 短引线,IPAK
TO-251
AOY66923
MOSFET N-CH 100V 16.5/58A TO251B
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
5,840
现货
1 : ¥7.01000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V16.5A(Ta),58A(Tc)4.5V,10V11 毫欧 @ 20A,10V2.6V @ 250µA35 nC @ 10 V±20V1725 pF @ 50 V-6.2W(Ta),73W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)通孔TO-251BTO-251-3 短引线,IPAK
186
现货
1 : ¥15.61000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V6.2A(Ta)10V820 毫欧 @ 3.1A,10V3.7V @ 310µA12 nC @ 10 V±30V390 pF @ 300 V-60W(Tc)150°C(TJ)通孔IPAKTO-251-3 短引线,IPAK
I-Pak
NTD50N03R-35G
MOSFET N-CH 25V 7.8A/45A IPAK
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)25 V7.8A(Ta),45A(Tc)4.5V,11.5V12 毫欧 @ 30A,11.5V2V @ 250µA15 nC @ 11.5 V±20V750 pF @ 12 V-1.5W(Ta),50W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)通孔IPAKTO-251-3 短引线,IPAK
I-Pak
NTD4808N-35G
MOSFET N-CH 30V 10A/63A IPAK
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V10A(Ta),63A(Tc)4.5V,11.5V8 毫欧 @ 30A,10V2.5V @ 250µA13 nC @ 4.5 V±20V1538 pF @ 12 V-1.4W(Ta),54.6W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)通孔IPAKTO-251-3 短引线,IPAK
I-Pak
NTD60N02R-35G
MOSFET N-CH 25V 8.5A/32A IPAK
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)25 V8.5A(Ta),32A(Tc)4.5V,10V10.5 毫欧 @ 20A,10V2V @ 250µA14 nC @ 4.5 V±20V1330 pF @ 20 V-1.25W(Ta),58W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)通孔IPAKTO-251-3 短引线,IPAK
I-PAK
NTD4906NA-35G
MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A IPAK
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V10.3A(Ta),54A(Tc)-5.5 毫欧 @ 30A,10V2.2V @ 250µA24 nC @ 10 V-1932 pF @ 15 V---通孔IPAKTO-251-3 短引线,IPAK
I-Pak
NTD4813NH-35G
MOSFET N-CH 30V 7.6A/40A IPAK
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V7.6A(Ta),40A(Tc)4.5V,11.5V13 毫欧 @ 30A,10V2.5V @ 250µA10 nC @ 4.5 V±20V940 pF @ 12 V-1.27W(Ta),35.3W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)通孔IPAKTO-251-3 短引线,IPAK
I-PAK
NTD4809NH-35G
MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V9.6A(Ta),58A(Tc)4.5V,11.5V9 毫欧 @ 30A,10V2.5V @ 250µA15 nC @ 4.5 V±20V2155 pF @ 12 V-1.3W(Ta),52W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)通孔IPAKTO-251-3 短引线,IPAK
TO-251-3 Stub
IPS105N03LGAKMA1
MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3
Infineon Technologies
0
现货
停产
管件
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V35A(Tc)4.5V,10V10.5 毫欧 @ 30A,10V2.2V @ 250µA14 nC @ 10 V±20V1500 pF @ 15 V-38W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)通孔PG-TO251-3-11TO-251-3 短引线,IPAK
I-PAK
NTD4909N-35G
MOSFET N-CH 30V 8.8A/41A IPAK
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V8.8A(Ta),41A(Tc)4.5V,10V8 毫欧 @ 30A,10V2.2V @ 250µA17.5 nC @ 10 V±20V1314 pF @ 15 V-1.37W(Ta),29.4W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)通孔IPAKTO-251-3 短引线,IPAK
I-Pak
NTD3817N-35G
MOSFET N-CH 16V 7.6A/34.5A IPAK
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)16 V7.6A(Ta),34.5A(Tc)4.5V,10V13.9 毫欧 @ 15A,10V2.5V @ 250µA10.5 nC @ 4.5 V±16V702 pF @ 12 V-1.2W(Ta),25.9W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)通孔IPAKTO-251-3 短引线,IPAK
I-Pak
NTD4910N-35G
MOSFET N-CH 30V 8.2A/37A IPAK
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V8.2A(Ta),37A(Tc)4.5V,10V9 毫欧 @ 30A,10V2.2V @ 250µA15.4 nC @ 10 V±20V1203 pF @ 15 V-1.37W(Ta),27.3W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)通孔IPAKTO-251-3 短引线,IPAK
I-PAK
NTD4804NA-35G
MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A IPAK
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V14.5A(Ta),124A(Tc)4.5V,11.5V4 毫欧 @ 30A,10V2.5V @ 250µA40 nC @ 4.5 V±20V4490 pF @ 12 V-1.43W(Ta),93.75W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)通孔IPAKTO-251-3 短引线,IPAK
I-Pak
NTD4969N-35G
MOSFET N-CH 30V 9.4A/41A IPAK
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V9.4A(Ta),41A(Tc)4.5V,10V9 毫欧 @ 30A,10V2.5V @ 250µA9 nC @ 4.5 V±20V837 pF @ 15 V-1.38W(Ta),26.3W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)通孔IPAKTO-251-3 短引线,IPAK
TO-251-3 Stub
IPS075N03LGAKMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Infineon Technologies
0
现货
停产
管件
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V50A(Tc)4.5V,10V7.5 毫欧 @ 30A,10V2.2V @ 250µA18 nC @ 10 V±20V1900 pF @ 15 V-47W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)通孔PG-TO251-3-11TO-251-3 短引线,IPAK
I-PAK
NTD4809NA-35G
MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V9.6A(Ta),58A(Tc)4.5V,11.5V9 毫欧 @ 30A,10V2.5V @ 250µA13 nC @ 4.5 V±20V1456 pF @ 12 V-1.3W(Ta),52W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)通孔IPAKTO-251-3 短引线,IPAK
TO-251-3 Stub
IPS060N03LGAKMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Infineon Technologies
0
现货
停产
管件
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V50A(Tc)4.5V,10V6 毫欧 @ 30A,10V2.2V @ 250µA23 nC @ 10 V±20V2400 pF @ 15 V-56W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)通孔PG-TO251-3-11TO-251-3 短引线,IPAK
I-PAK
NTD4906N-35G
MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A IPAK
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V10.3A(Ta),54A(Tc)4.5V,10V5.5 毫欧 @ 30A,10V2.2V @ 250µA24 nC @ 10 V±20V1932 pF @ 15 V-1.38W(Ta),37.5W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)通孔IPAKTO-251-3 短引线,IPAK
I-PAK
NTD4809N-35G
MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V9.6A(Ta),58A(Tc)4.5V,11.5V9 毫欧 @ 30A,10V2.5V @ 250µA13 nC @ 4.5 V±20V1456 pF @ 12 V-1.4W(Ta),52W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)通孔IPAKTO-251-3 短引线,IPAK
显示
/ 181

TO-251-3 短引线,IPAK 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。