SiC(碳化硅结晶体管) 单 FET,MOSFET

结果 : 239
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedGeneSiC SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSMicro Commercial CoMicrochip TechnologyNexperia USA Inc.onsemiQorvoRohm SemiconductorSemiQSMC Diode SolutionsSTMicroelectronics
系列
-C3M™CoolSiC™CoolSiC™ Gen 2EG2R™, LoRing™G3R™, LoRing™LoRing™mSiC™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘散装管件
产品状态
停产在售
FET 类型
-N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
100 V300 V600 V650 V700 V750 V900 V1000 V1200 V1700 V2000 V3300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A3A(Tc)(95°C)4A(Tc)(165°C)4A(Tc)(95°C)4.2A(Tc)4.3A(Tc)5A(Tc)5.4A(Tj)6A(Tc)6A(Tc)(90°C)6.3A(Tc)7A(Tc)(165°C)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
12V12V,15V15V15V,18V15V,20V16V,20V18V18V,20V20V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
6.1 毫欧 @ 146.3A,20V10 毫欧 @ 100A11.3 毫欧 @ 93A,20V13.2 毫欧 @ 64.2A,20V15 毫欧 @ 41.5A,20V15毫欧 @ 41.5A,20A15.8 毫欧 @ 60A,18V16.5 毫欧 @ 60A,18V17 毫欧 @ 84.29A,15V17.5 毫欧 @ 60A,18V18 毫欧 @ 32.5A,20V18 毫欧 @ 46.9A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.7V @ 10mA2.7V @ 18mA2.7V @ 24mA2.7V @ 2mA2.7V @ 5mA2.8V @ 17.5mA2.8V @ 27mA2.9V @ 2mA2.9V @ 4mA3V @ 15mA3V @ 1mA3V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
5.5 nC @ 12 V7.9 nC @ 18 V8.1 nC @ 12 V10 nC @ 15 V11 nC @ 20 V11.7 nC @ 12 V12 nC @ 15 V12 nC @ 18 V13 nC @ 18 V13 nC @ 15 V14 nC @ 20 V15 nC @ 18 V
Vgs(最大值)
4.2V @ 1mA+15V,-4V+15V,-5V15V,12V+18V,-3V+18V,-5V+18V,-8V+19V,-8V+20V,-5V+20V,-7V±20V+21V,-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
124 pF @ 1000 V139 pF @ 1000 V150 pF @ 1000 V206 pF @ 800 V233 pF @ 1000 V238 pF @ 1000 V258 pF @ 1.2 kV290 pF @ 800 V324 pF @ 35 V331 pF @ 800 V333 pF @ 1000 V337 pF @ 1000 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散(最大值)
15W(Tc)20W(Tc)40.8W(Tc)44W(Tc)47W(Tc)48W48W(Tc)51W(Tc)64W(Tc)69W70W(Tc)74W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 200°C(TJ)-55°C ~ 225°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)175°C175°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-HPSOF-D2PAK-7D2PAK-7LH2PAK-7HiP247™HU3PAKPG-HDSOP-22PG-HDSOP-22-1PG-TO247-3-40PG-TO247-3-U04PG-TO247-3-U06
封装/外壳
8-PowerSFN22-PowerBSOP 模块-SOT-227-4,miniBLOCTO-247-3TO-247-4TO-257-3TO-258-3,TO-258AATO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片),TO-263CBTO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CATO-276AATO-46-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
239结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 239
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
G3R160MT12J-TR
G3R75MT12J-TR
1200V 75M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
GeneSiC Semiconductor
5,843
现货
1 : ¥90.55000
剪切带(CT)
800 : ¥68.46606
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
38A(Tc)
15V,18V
85 毫欧 @ 20A,18V
2.7V @ 10mA
47 nC @ 15 V
+22V,-10V
1545 pF @ 800 V
-
196W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
279
现货
1 : ¥277.89000
管件
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
2000 V
34A(Tc)
15V,18V
98 毫欧 @ 13A,18V
5.5V @ 7.7mA
64 nC @ 18 V
+20V,-7V
-
-
267W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-4-U04
TO-247-4
179
现货
1 : ¥364.74000
管件
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
2000 V
48A(Tc)
15V,18V
64 毫欧 @ 20A,18V
5.5V @ 12.1mA
82 nC @ 18 V
+20V,-7V
-
-
348W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-4-U04
TO-247-4
228
现货
1 : ¥534.43000
管件
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
2000 V
89A(Tc)
15V,18V
33 毫欧 @ 40A,18V
5.5V @ 24mA
137 nC @ 18 V
+20V,-7V
-
-
576W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-4-U04
TO-247-4
C3M0065100K
E3M0016120K
SIC, MOSFET, 16M, 1200V, TO-247-
Wolfspeed, Inc.
300
现货
1 : ¥634.91000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
125A(Tc)
15V
22 毫欧 @ 80.28A,15V
3.6V @ 22.08mA
223 nC @ 15 V
+19V,-8V
6922 pF @ 1000 V
-
483W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
182
现货
1 : ¥996.45000
管件
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
2000 V
123A(Tc)
15V,18V
16.5 毫欧 @ 60A,18V
5.5V @ 48mA
246 nC @ 18 V
+20V,-7V
-
-
552W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-4-U04
TO-247-4
D2PAK-7
NTBG1000N170M1
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
onsemi
593
现货
1 : ¥36.86000
剪切带(CT)
800 : ¥22.27011
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1700 V
4.3A(Tc)
20V
1.43 欧姆 @ 2A,20V
4.3V @ 640µA
14 nC @ 20 V
+25V,-15V
150 pF @ 1000 V
-
51W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
277
现货
1 : ¥54.26000
剪切带(CT)
1,000 : ¥28.04379
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
8.1A(Tc)
15V,18V
233.9 毫欧 @ 3A,18V
5.1V @ 900µA
7.9 nC @ 18 V
+20V,-7V
290 pF @ 800 V
-
80W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-12
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
TO-247-3
NTHL040N120M3S
SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
onsemi
479
现货
1,800
工厂
1 : ¥104.50000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
54A(Tc)
18V
54 毫欧 @ 20A,18V
4.4V @ 10mA
75 nC @ 18 V
+22V,-10V
1700 pF @ 800 V
-
231W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-4
NVH4L040N120M3S
SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
onsemi
383
现货
1 : ¥158.85000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
54A(Tc)
18V
54 毫欧 @ 20A,18V
4.4V @ 10mA
75 nC @ 18 V
+18V,-3V
1700 pF @ 800 V
-
231W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
147
现货
1 : ¥167.80000
管件
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
70A(Tc)
15V,18V
40.9 毫欧 @ 25.6A,18V
5.2V @ 11mA
68 nC @ 18 V
+20V,-7V
2160 pF @ 800 V
-
273W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-4-U02
TO-247-4
180
现货
1 : ¥185.86000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
69A(Tc)
18V,20V
38 毫欧 @ 27A,20V
5.1V @ 8.6mA
57 nC @ 20 V
+23V,-5V
1738 pF @ 800 V
-
326W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
PG-TO247-4-11
TO-247-4
GCMX040B120S1-E1
GCMX040B120S1-E1
SIC 1200V 40M MOSFET SOT-227
SemiQ
107
现货
1 : ¥231.75000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
57A(Tc)
20V
52 毫欧 @ 40A,20V
4V @ 10mA
121 nC @ 20 V
+25V,-10V
3185 pF @ 1000 V
-
242W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227
SOT-227-4,miniBLOC
154
现货
1 : ¥262.95000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
100A(Tc)
18V,20V
25 毫欧 @ 43A,20V
5.1V @ 13.7mA
82 nC @ 20 V
+23V,-5V
2667 pF @ 800 V
-
429W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
PG-TO247-4-11
TO-247-4
240
现货
1 : ¥36.45000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
6.3A(Tc)
15V
675 毫欧 @ 1.2A,15V
3.5V @ 1.2mA
12 nC @ 15 V
+15V,-5V
206 pF @ 800 V
-
44W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247
TO-247-3
TO-247AD
S2M0160120D
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
SMC Diode Solutions
286
现货
1 : ¥43.67000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
17A(Tc)
20V
196 毫欧 @ 10A,20V
4V @ 2.5mA
26.5 nC @ 20 V
+20V,-5V
513 pF @ 1000 V
-
130W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AD
TO-247-3
G3R160MT12J-TR
G3R350MT12J-TR
1200V 350M TO-263-7 G3R SIC MOSF
GeneSiC Semiconductor
744
现货
1 : ¥45.23000
剪切带(CT)
800 : ¥33.24806
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
10A(Tc)
15V,18V
395 毫欧 @ 4A,18V
2.7V @ 2mA
10 nC @ 15 V
+22V,-10V
331 pF @ 800 V
-
64W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
TO-247-4
S2M0160120K
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
SMC Diode Solutions
300
现货
1 : ¥49.64000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
17A(Tc)
20V
196 毫欧 @ 10A,20V
4V @ 2.5mA
26.5 nC @ 20 V
+20V,-5V
513 pF @ 1000 V
-
130W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
750
现货
1 : ¥49.34000
剪切带(CT)
750 : ¥30.91619
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
750 V
17A(Tc)
15V,20V
129 毫欧 @ 4.7A,20V
5.6V @ 1.7mA
12 nC @ 18 V
+23V,-5V
351 pF @ 500 V
-
100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-22-1
22-PowerBSOP 模块
D2PAK-7
NVBG1000N170M1
SIC 1700V MOS 1O IN TO263-7L
onsemi
779
现货
4,800
工厂
1 : ¥49.67000
剪切带(CT)
800 : ¥32.36320
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1700 V
4.3A(Tc)
20V
1.43 欧姆 @ 2A,20V
4.3V @ 640µA
14 nC @ 20 V
+25V,-15V
150 pF @ 1000 V
-
51W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
TO-247-4
S2M0120120K
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
SMC Diode Solutions
300
现货
1 : ¥51.94000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
21A(Tc)
20V
150 毫欧 @ 13.3A,20V
4V @ 3.3mA
29.6 nC @ 20 V
+20V,-5V
652 pF @ 1000 V
-
156W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-263-7
S2M0160120J
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
SMC Diode Solutions
300
现货
1 : ¥52.53000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
16A(Tc)
20V
196 毫欧 @ 10A,20V
4V @ 2.5mA
26.5 nC @ 20 V
+20V,-5V
513 pF @ 1000 V
-
122W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
TO-247AD
S2M0120120D
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
SMC Diode Solutions
284
现货
1 : ¥53.38000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
21A(Tc)
20V
150 毫欧 @ 13.3A,20V
4V @ 3.3mA
29.6 nC @ 20 V
+20V,-5V
652 pF @ 1000 V
-
156W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AD
TO-247-3
G2R1000MT17J-TR
G2R1000MT17J-TR
1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
GeneSiC Semiconductor
740
现货
1 : ¥52.87000
剪切带(CT)
800 : ¥39.32298
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1700 V
5A(Tc)
20V
1.2 欧姆 @ 2A,20V
4V @ 2mA
11 nC @ 20 V
+20V,-5V
139 pF @ 1000 V
-
44W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
234
现货
1 : ¥54.76000
管件
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
750 V
16A(Tj)
15V,20V
129 毫欧 @ 4.7A,20V
5.6V @ 1.7mA
13 nC @ 18 V
+23V,-5V
351 pF @ 500 V
-
86W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
PG-TO247-4
TO-247-4
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SiC(碳化硅结晶体管) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。