92A（Tc）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

TPH3R704PL,L1Q MOSFET N-CH 40V 92A 8SOP Toshiba Semiconductor and Storage	122,445 现货	1 : ¥7.22000 剪切带（CT） 5,000 : ¥2.59576 卷带（TR）	U-MOSIX-H	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	92A（Tc）	4.5V，10V	3.7 毫欧 @ 46A，10V	2.4V @ 200µA	27 nC @ 10 V	±20V	2500 pF @ 20 V	-	960mW（Ta），81W（Tc）	175°C	-	-	表面贴装型	8-SOP Advance（5x5）	8-PowerVDFN
TPW4R50ANH,L1Q MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP Toshiba Semiconductor and Storage	8,751 现货	1 : ¥21.43000 剪切带（CT） 5,000 : ¥9.28861 卷带（TR）	U-MOSVIII-H	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	92A（Tc）	10V	4.5 毫欧 @ 46A，10V	4V @ 1mA	58 nC @ 10 V	±20V	5200 pF @ 50 V	-	800mW（Ta），142W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-DSOP Advance	8-PowerVDFN
IRLB8748PBF MOSFET N-CH 30V 92A TO220AB Infineon Technologies	4,176 现货	1 : ¥8.62000 管件	HEXFET®	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	92A（Tc）	4.5V，10V	4.8 毫欧 @ 40A，10V	2.35V @ 50µA	23 nC @ 4.5 V	±20V	2139 pF @ 15 V	-	75W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220AB	TO-220-3
TPH4R50ANH1,LQ MOSFET 100V 4.5MOHM SOP-ADV(N) Toshiba Semiconductor and Storage	6,995 现货	1 : ¥11.82000 剪切带（CT） 5,000 : ¥4.64367 卷带（TR）	U-MOSVIII-H	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	92A（Tc）	10V	4.5 毫欧 @ 46A，10V	4V @ 1mA	58 nC @ 10 V	±20V	5200 pF @ 50 V	-	800mW（Ta）	150°C	-	-	表面贴装型	8-SOP Advance（5x5.75）	8-PowerTDFN
PSMN7R6-60BS,118 MOSFET N-CH 60V 92A D2PAK Nexperia USA Inc.	7,811 现货	1 : ¥13.22000 剪切带（CT） 800 : ¥7.37805 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	92A（Tc）	10V	7.8 毫欧 @ 25A，10V	4V @ 1mA	38.7 nC @ 10 V	±20V	2651 pF @ 30 V	-	149W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
FDB110N15A MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK onsemi	3,238 现货	1 : ¥42.44000 剪切带（CT） 800 : ¥25.63584 卷带（TR）	PowerTrench®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	150 V	92A（Tc）	10V	11 毫欧 @ 92A，10V	4V @ 250µA	61 nC @ 10 V	±20V	4510 pF @ 75 V	-	234W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-263（D2PAK）	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
PSMN4R1-30YLC,115 MOSFET N-CH 30V 92A LFPAK56 Nexperia USA Inc.	1,250 现货	1 : ¥4.68000 剪切带（CT） 1,500 : ¥2.36407 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	92A（Tc）	4.5V，10V	4.35 毫欧 @ 20A，10V	1.95V @ 1mA	23 nC @ 10 V	±20V	1502 pF @ 15 V	-	67W（Tc）	-	-	-	表面贴装型	LFPAK56，Power-SO8	SC-100，SOT-669
TK3R2A08QM,S4X UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2MOHM Toshiba Semiconductor and Storage	0 现货查看交期	1 : ¥16.58000 管件	U-MOSX-H	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	80 V	92A（Tc）	6V，10V	3.2 毫欧 @ 46A，10V	3.5V @ 1.3mA	102 nC @ 10 V	±20V	7670 pF @ 40 V	-	45W（Tc）	175°C	-	-	通孔	TO-220SIS	TO-220-3 整包
DMTH8008SPS-13 MOSFET N-CH 80V 92A PWRDI5060-8 Diodes Incorporated	0 现货 202,500 工厂查看交期	2,500 : ¥3.11128 卷带（TR）	-	卷带（TR）	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	80 V	92A（Tc）	6V，10V	7.8mOhm @ 14A，10V	4V @ 1mA	34 nC @ 10 V	±20V	1950 pF @ 40 V	-	1.6W（Ta），100W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PowerDI5060-8	8-PowerTDFN
DMTH8008SPSWQ-13 MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50 Diodes Incorporated	0 现货查看交期	2,500 : ¥3.98505 卷带（TR）	-	卷带（TR）	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	80 V	92A（Tc）	6V，10V	7.8mOhm @ 14A，10V	4V @ 1mA	34 nC @ 10 V	±20V	1950 pF @ 40 V	-	1.6W（Ta），100W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装，可润湿侧翼	PowerDI5060-8（UX 类）	8-PowerTDFN
DMTH8008SPSQ-13 MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50 Diodes Incorporated	0 现货查看交期	2,500 : ¥4.00199 卷带（TR）	-	卷带（TR）	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	80 V	92A（Tc）	6V，10V	7.8mOhm @ 14A，10V	4V @ 1mA	34 nC @ 10 V	±20V	1950 pF @ 40 V	-	1.6W（Ta），100W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	PowerDI5060-8	8-PowerTDFN
STL23NS3LLH7 MOSFET N-CH 30V 92A POWERFLAT STMicroelectronics	0 现货	1 : ¥6.98000 剪切带（CT） 3,000 : ¥2.65843 卷带（TR）	STripFET™ H7	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	92A（Tc）	4.5V，10V	3.7 毫欧 @ 11.5A，10V	2.3V @ 1mA	13.7 nC @ 4.5 V	±20V	2100 pF @ 15 V	-	2.9W（Ta），50W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PowerFlat™（3.3x3.3）	8-PowerVDFN
PSMN7R6-60PS,127 MOSFET N-CH 60V 92A TO220AB Nexperia USA Inc.	0 现货	5,000 : ¥7.91202 管件	-	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	92A（Tc）	10V	7.8 毫欧 @ 25A，10V	4V @ 1mA	38.7 nC @ 10 V	±20V	2651 pF @ 30 V	-	149W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IRF3711ZPBF MOSFET N-CH 20V 92A TO220AB Infineon Technologies	0 现货	600 : ¥9.67238 管件	HEXFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	92A（Tc）	4.5V，10V	6 毫欧 @ 15A，10V	2.45V @ 250µA	24 nC @ 4.5 V	±20V	2150 pF @ 10 V	-	79W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IRF3711ZCSTRL MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	800 : ¥10.15116 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	92A（Tc）	4.5V，10V	6 毫欧 @ 15A，10V	2.45V @ 250µA	24 nC @ 4.5 V	±20V	2150 pF @ 10 V	-	79W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRF3711ZCLPBF MOSFET N-CH 20V 92A TO262 Infineon Technologies	0 现货	400 : ¥10.23993 管件	HEXFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	92A（Tc）	4.5V，10V	6 毫欧 @ 15A，10V	2.45V @ 250µA	24 nC @ 4.5 V	±20V	2150 pF @ 10 V	-	79W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-262	TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
IRF3711ZSTRR MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	800 : ¥11.27308 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	92A（Tc）	4.5V，10V	6 毫欧 @ 15A，10V	2.45V @ 250µA	24 nC @ 4.5 V	±20V	2150 pF @ 10 V	-	79W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRF3711ZCSTRR MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	800 : ¥13.41223 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	92A（Tc）	4.5V，10V	6 毫欧 @ 15A，10V	2.45V @ 250µA	24 nC @ 4.5 V	±20V	2150 pF @ 10 V	-	79W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRF3711ZSTRL MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	800 : ¥13.41223 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	92A（Tc）	4.5V，10V	6 毫欧 @ 15A，10V	2.45V @ 250µA	24 nC @ 4.5 V	±20V	2150 pF @ 10 V	-	79W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRF3711ZCS MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	300 : ¥13.67430 管件	HEXFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	92A（Tc）	4.5V，10V	6 毫欧 @ 15A，10V	2.45V @ 250µA	24 nC @ 4.5 V	±20V	2150 pF @ 10 V	-	79W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRF3711ZS MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	250 : ¥14.25044 管件	HEXFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	92A（Tc）	4.5V，10V	6 毫欧 @ 15A，10V	2.45V @ 250µA	24 nC @ 4.5 V	±20V	2150 pF @ 10 V	-	79W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRF3711Z MOSFET N-CH 20V 92A TO220AB Infineon Technologies	0 现货	50 : ¥17.37100 管件	HEXFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	92A（Tc）	4.5V，10V	6 毫欧 @ 15A，10V	2.45V @ 250µA	24 nC @ 4.5 V	±20V	2150 pF @ 10 V	-	79W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220AB	TO-220-3