9.7A（Tc）单 FET，MOSFET

显示

/ 25

制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

SPD09P06PLGBTMA1 MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3 Infineon Technologies	5,854 现货	1 : ¥7.88000 剪切带（CT） 2,500 : ¥3.26407 卷带（TR）	SIPMOS®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	9.7A（Tc）	4.5V，10V	250 毫欧 @ 6.8A，10V	2V @ 250µA	21 nC @ 10 V	±20V	450 pF @ 25 V	-	42W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装型	PG-TO252-3	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRF9Z20PBF MOSFET P-CH 50V 9.7A TO220AB Vishay Siliconix	604 现货	1 : ¥15.11000 管件	-	管件	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	50 V	9.7A（Tc）	10V	280 毫欧 @ 5.6A，10V	4V @ 250µA	26 nC @ 10 V	±20V	480 pF @ 25 V	-	40W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IRFI530GPBF MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220-3 Vishay Siliconix	139 现货	1 : ¥15.19000 管件	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	9.7A（Tc）	10V	160 毫欧 @ 5.8A，10V	4V @ 250µA	33 nC @ 10 V	±20V	670 pF @ 25 V	-	42W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-220-3	TO-220-3 全封装，隔离接片
TK380P65Y,RQ MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK Toshiba Semiconductor and Storage	1,938 现货	1 : ¥13.63000 剪切带（CT） 2,000 : ¥6.14240 卷带（TR）	DTMOSV	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	9.7A（Tc）	10V	380 毫欧 @ 4.9A，10V	4V @ 360µA	20 nC @ 10 V	±30V	590 pF @ 300 V	-	80W（Tc）	150°C（TJ）	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRF520NPBF MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220AB Infineon Technologies	402 现货	1 : ¥7.55000 管件	HEXFET®	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	9.7A（Tc）	10V	200 毫欧 @ 5.7A，10V	4V @ 250µA	25 nC @ 10 V	±20V	330 pF @ 25 V	-	48W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IRLI530GPBF MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220-3 Vishay Siliconix	42 现货	1 : ¥15.27000 管件	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	9.7A（Tc）	4V，5V	160 毫欧 @ 5.8A，5V	2V @ 250µA	28 nC @ 5 V	±10V	930 pF @ 25 V	-	42W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-220-3	TO-220-3 全封装，隔离接片
TK380A60Y,S4X MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS Toshiba Semiconductor and Storage	49 现货	1 : ¥12.40000 管件	DTMOSV	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	9.7A（Tc）	10V	380 毫欧 @ 4.9A，10V	4V @ 360µA	20 nC @ 10 V	±30V	590 pF @ 300 V	-	30W	150°C（TJ）	通孔	TO-220SIS	TO-220-3 整包
TK380A65Y,S4X X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR Toshiba Semiconductor and Storage	95 现货	1 : ¥14.45000 管件	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	9.7A（Tc）	10V	380 毫欧 @ 4.9A，10V	4V @ 360µA	20 nC @ 10 V	±30V	590 pF @ 300 V	-	30W（Tc）	150°C	通孔	TO-220SIS	TO-220-3 整包
TK380P60Y,RQ MOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK Toshiba Semiconductor and Storage	0 现货查看交期	1 : ¥13.30000 剪切带（CT） 2,000 : ¥5.51180 卷带（TR）	DTMOSV	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	9.7A（Tc）	10V	380 毫欧 @ 4.9A，10V	4V @ 360µA	20 nC @ 10 V	±30V	590 pF @ 300 V	-	30W（Tc）	150°C（TJ）	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SI8481DB-T1-E1 MOSFET P-CH 20V 9.7A 4MICRO FOOT Vishay Siliconix	0 现货查看交期	6,000 : ¥1.09447 卷带（TR）	TrenchFET® Gen III	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	9.7A（Tc）	1.8V，4.5V	21 毫欧 @ 3A，4.5V	900mV @ 250µA	47 nC @ 4.5 V	±8V	2500 pF @ 10 V	-	2.8W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	4-MICRO FOOT®（1.6x1.6）	4-UFBGA
IRF520N MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220AB Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	9.7A（Tc）	10V	200 毫欧 @ 5.7A，10V	4V @ 250µA	25 nC @ 10 V	±20V	330 pF @ 25 V	-	48W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IRF520NS MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	9.7A（Tc）	10V	200 毫欧 @ 5.7A，10V	4V @ 250µA	25 nC @ 10 V	±20V	330 pF @ 25 V	-	3.8W（Ta），48W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRF9Z20 MOSFET P-CH 50V 9.7A TO220AB Vishay Siliconix	0 现货	在售	-	管件	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	50 V	9.7A（Tc）	10V	280 毫欧 @ 5.6A，10V	4V @ 250µA	26 nC @ 10 V	±20V	480 pF @ 25 V	-	40W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IRFI530G MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220-3 Vishay Siliconix	0 现货	停产	-	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	9.7A（Tc）	10V	160 毫欧 @ 5.8A，10V	4V @ 250µA	33 nC @ 10 V	±20V	670 pF @ 25 V	-	42W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-220-3	TO-220-3 全封装，隔离接片
IRLI530G MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220-3 Vishay Siliconix	0 现货	停产	-	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	9.7A（Tc）	4V，5V	160 毫欧 @ 5.8A，5V	2V @ 250µA	28 nC @ 5 V	±10V	930 pF @ 25 V	-	42W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-220-3	TO-220-3 全封装，隔离接片
IRF520NL MOSFET N-CH 100V 9.7A TO262 Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	9.7A（Tc）	10V	200 毫欧 @ 5.7A，10V	4V @ 250µA	25 nC @ 10 V	±20V	330 pF @ 25 V	-	3.8W（Ta），48W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-262	TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
IRF520NSTRL MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	9.7A（Tc）	10V	200 毫欧 @ 5.7A，10V	4V @ 250µA	25 nC @ 10 V	±20V	330 pF @ 25 V	-	3.8W（Ta），48W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRF520NSTRR MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	9.7A（Tc）	10V	200 毫欧 @ 5.7A，10V	4V @ 250µA	25 nC @ 10 V	±20V	330 pF @ 25 V	-	3.8W（Ta），48W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
SPU09P06PL MOSFET P-CH 60V 9.7A TO251-3 Infineon Technologies	0 现货	停产	SIPMOS®	管件	停产	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	9.7A（Tc）	4.5V，10V	250 毫欧 @ 6.8A，10V	2V @ 250µA	21 nC @ 10 V	±20V	450 pF @ 25 V	-	42W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	P-TO251-3-1	TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
SPD09P06PL MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3 Infineon Technologies	0 现货	Digi-Key 停止提供	SIPMOS®	卷带（TR）	Digi-Key 停止提供	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	9.7A（Tc）	4.5V，10V	250 毫欧 @ 6.8A，10V	2V @ 250µA	21 nC @ 10 V	±20V	450 pF @ 25 V	-	42W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装型	PG-TO252-3	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRF520NSPBF MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	Digi-Key 停止提供	HEXFET®	管件	Digi-Key 停止提供	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	9.7A（Tc）	10V	200 毫欧 @ 5.7A，10V	4V @ 250µA	25 nC @ 10 V	±20V	330 pF @ 25 V	-	3.8W（Ta），48W（Tc）	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRF520NLPBF MOSFET N-CH 100V 9.7A TO262 Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	9.7A（Tc）	10V	200 毫欧 @ 5.7A，10V	4V @ 250µA	25 nC @ 10 V	±20V	330 pF @ 25 V	-	3.8W（Ta），48W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-262	TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
IRF520NSTRRPBF MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	9.7A（Tc）	10V	200 毫欧 @ 5.7A，10V	4V @ 250µA	25 nC @ 10 V	±20V	330 pF @ 25 V	-	3.8W（Ta），48W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRF520NSTRLPBF MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	9.7A（Tc）	10V	200 毫欧 @ 5.7A，10V	4V @ 250µA	25 nC @ 10 V	±20V	330 pF @ 25 V	-	3.8W（Ta），48W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
SFP9Z24 MOSFET P-CH 60V 9.7A TO220-3 onsemi	0 现货	停产	-	管件	停产	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	9.7A（Tc）	10V	280 毫欧 @ 4.9A，10V	4V @ 250µA	19 nC @ 10 V	±30V	600 pF @ 25 V	-	49W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-220-3	TO-220-3