IRFI530G 已经过时且不再制造。
可用替代品:

参数等效


Vishay Siliconix
现货: 139
单价: ¥15.19000
规格书

直接


Infineon Technologies
现货: 0
单价: ¥13.05000
规格书

IRFI530G

DigiKey 零件编号
IRFI530G-ND
制造商
制造商产品编号
IRFI530G
描述
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220-3
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 100 V 9.7A(Tc) 42W(Tc) TO-220-3
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
-
包装
管件
零件状态
停产
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
160 毫欧 @ 5.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
33 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
670 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
42W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
基本产品编号