9.5A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 39
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiRohm SemiconductorToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-DTMOSIVHEXFET®PowerTrench®TrenchFET®TrenchMOS™U-MOSV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
12 V20 V24 V30 V45 V60 V800 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.2V,4.5V1.5V,4.5V1.8V,4.5V2.5V,4.5V4V,10V4.5V4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
6.1 毫欧 @ 10A,4.5V8.5 毫欧 @ 13.5A,10V9 毫欧 @ 13.5A,4.5V10 毫欧 @ 13A,10V13 毫欧 @ 10.4A,10V13 毫欧 @ 6A,10V13毫欧 @ 9,5A,4,5V14 毫欧 @ 8.5A,10V14.5 毫欧 @ 10.4A,10V14.5 毫欧 @ 5A,4.5V14.6 毫欧 @ 9.5A,10V14.8 毫欧 @ 4A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
600mV @ 250µA(最小)800mV @ 250µA800mV @ 250µA(最小)900mV @ 250µA1V @ 1mA1V @ 250µA1.1V @ 250µA1.4V @ 250µA1.6V @ 250µA2V @ 250µA2.1V @ 250µA2.2V @ 250µA2.3V @ 250µA2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
6.8 nC @ 4.5 V8.3 nC @ 4.5 V10.5 nC @ 4.5 V13.6 nC @ 10 V14 nC @ 4.5 V15 nC @ 4.5 V18 nC @ 4.5 V19 nC @ 10 V19.3 nC @ 10 V20 nC @ 5 V25 nC @ 10 V26.5 nC @ 5 V30 nC @ 4.5 V30 nC @ 8 V
Vgs(最大值)
±8V±10V±12V20V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
680 pF @ 15 V785 pF @ 30 V1020 pF @ 15 V1080 pF @ 10 V1100 pF @ 10 V1150 pF @ 300 V1310 pF @ 10 V1500 pF @ 6 V1710 pF @ 10 V1761 pF @ 15 V1780 pF @ 6 V1830 pF @ 10 V2300 pF @ 10 V2712 pF @ 10 V
FET 功能
-电流检测肖特基二极管(体)
功率耗散(最大值)
730mW(Ta)860mW(Ta)900mW(Ta)900mW(Ta),11W(Tc)1W(Ta)1.4W(Ta)1.5W(Ta)1.56W(Ta)1.6W(Ta)2W(Ta)2W(Tc)2.4W(Ta)2.5W(Ta)3,8W(Ta),12,5W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C150°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
4-PLLP(6.2x5.2)6-MicroFET(2x2)6-PQFN(2x2)6-UDFN(2.05x2.05)8-ECH8-SO8-SOIC8-SOPDFN2020MD-6POWERDI3333-8TO-220TO-220SISU-DFN2020-6(F 类)UF6
封装/外壳
4-DFN6-PowerWDFN6-SMD,扁平引线6-UDFN 裸露焊盘6-WDFN 裸露焊盘8-PowerVDFN8-SMD,扁平引线8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)TO-220-3 整包TO-220-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
39结果
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/ 39
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
6-WDFN
FDMA410NZT
MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
onsemi
22,733
现货
1 : ¥7.14000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.71160
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
9.5A(Ta)
1.5V,4.5V
23 毫欧 @ 9.5A,4.5V
1V @ 250µA
14 nC @ 4.5 V
±8V
1310 pF @ 10 V
-
2.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-UDFN(2.05x2.05)
6-UDFN 裸露焊盘
6-DFN2020MD_View 2
PMPB10XNX
MOSFET N-CH 30V 9.5A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
11,470
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.18141
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
9.5A(Ta)
1.5V,4.5V
13毫欧 @ 9,5A,4,5V
900mV @ 250µA
30 nC @ 4.5 V
±8V
1761 pF @ 15 V
-
3,8W(Ta),12,5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
8-SOIC
SI4420BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO
Vishay Siliconix
4,865
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.86641
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
9.5A(Ta)
4.5V,10V
8.5 毫欧 @ 13.5A,10V
3V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
6-WDFN Exposed Pad
FDMA410NZ
MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
onsemi
53,410
现货
1 : ¥7.63000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.16446
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
9.5A(Ta)
1.5V,4.5V
23 毫欧 @ 9.5A,4.5V
1V @ 250µA
14 nC @ 4.5 V
±8V
1080 pF @ 10 V
-
2.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-MicroFET(2x2)
6-WDFN 裸露焊盘
U-DFN2020-6 Type F
DMP1022UFDF-7
MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN
Diodes Incorporated
6,315
现货
147,000
工厂
1 : ¥4.27000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.44558
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
9.5A(Ta)
1.5V,4.5V
15.3 毫欧 @ 4A,4.5V
800mV @ 250µA
48.3 nC @ 8 V
±8V
2712 pF @ 10 V
-
730mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6(F 类)
6-UDFN 裸露焊盘
PowerDI3333-8
DMS3014SFG-7
MOSFET N-CH 30V 9.5A PWRDI3333-8
Diodes Incorporated
15,880
现货
12,000
工厂
1 : ¥4.43000
剪切带(CT)
2,000 : ¥1.49447
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
9.5A(Ta)
1.8V,4.5V
13 毫欧 @ 10.4A,10V
2.2V @ 250µA
45.7 nC @ 10 V
±12V
4310 pF @ 15 V
肖特基二极管(体)
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
8-SOIC
RS3E135BNGZETB
MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP
Rohm Semiconductor
2,562
现货
1 : ¥8.46000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.50851
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
9.5A(Ta)
10V
14.6 毫欧 @ 9.5A,10V
2.5V @ 1mA
8.3 nC @ 4.5 V
±20V
680 pF @ 15 V
-
2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
PowerDI3333-8
DMS3014SFGQ-7
MOSFET N-CH 30V 9.5A PWRDI3333-8
Diodes Incorporated
11,686
现货
46,000
工厂
1 : ¥5.50000
剪切带(CT)
2,000 : ¥2.09486
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
9.5A(Ta)
4.5V,10V
14.5 毫欧 @ 10.4A,10V
2.2V @ 250µA
19.3 nC @ 10 V
±12V
4310 pF @ 15 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
8-SOIC
RS3E095BNGZETB
MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP
Rohm Semiconductor
2,500
现货
1 : ¥6.90000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.86342
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
9.5A(Ta)
10V
14.6 毫欧 @ 9.5A,10V
2.5V @ 1mA
8.3 nC @ 4.5 V
±20V
680 pF @ 15 V
-
2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
RSS095N05HZGTB
NCH 45V 9.5A POWER MOSFET: RSS09
Rohm Semiconductor
2,250
现货
1 : ¥20.52000
剪切带(CT)
2,500 : ¥9.25216
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
45 V
9.5A(Ta)
4V,10V
16 毫欧 @ 9.5A,10V
2.5V @ 1mA
26.5 nC @ 5 V
±20V
1830 pF @ 10 V
-
1.4W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
U-DFN2020-6 Type F
DMT6012LFDF-7
MOSFET N-CH 60V 9.5A 6UDFN
Diodes Incorporated
2,880
现货
99,000
工厂
1 : ¥5.42000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.07122
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
9.5A(Ta)
4.5V,10V
14 毫欧 @ 8.5A,10V
2.3V @ 250µA
13.6 nC @ 10 V
±20V
785 pF @ 30 V
-
900mW(Ta),11W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6(F 类)
6-UDFN 裸露焊盘
PowerDI3333-8
DMS3014SFGQ-13
MOSFET N-CH 30V 9.5A PWRDI3333-8
Diodes Incorporated
2,990
现货
471,000
工厂
1 : ¥5.50000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.09486
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
9.5A(Ta)
4.5V,10V
14.5 毫欧 @ 10.4A,10V
2.2V @ 250µA
19.3 nC @ 10 V
±12V
4310 pF @ 15 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
6 UDFN EP
FDMA410NZT-F130
PT4 NCH 20/8V ZENER IN
onsemi
12,000
现货
1 : ¥7.14000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.71160
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
9.5A(Ta)
1.5V,4.5V
23 毫欧 @ 9.5A,4.5V
1V @ 250µA
14 nC @ 4.5 V
±8V
1310 pF @ 10 V
-
900mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-UDFN(2.05x2.05)
6-UDFN 裸露焊盘
6-UFDFN Exposed Pad
NTLJS4D9N03HTAG
MOSFET N-CH 30V 9.5A 6PQFN
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥7.47000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.07391
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
9.5A(Ta)
4.5V
6.1 毫欧 @ 10A,4.5V
2.1V @ 250µA
6.8 nC @ 4.5 V
±12V
1020 pF @ 15 V
-
860mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-PQFN(2x2)
6-PowerWDFN
8-SOIC
SI4420BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO
Vishay Siliconix
2,452
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.86641
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
9.5A(Ta)
4.5V,10V
8.5 毫欧 @ 13.5A,10V
3V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SMD, Flat Lead
ECH8320-TL-H
MOSFET P-CH 20V 9.5A 8ECH
onsemi
0
现货
3,000 : ¥3.00035
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
9.5A(Ta)
1.8V,4.5V
14.5 毫欧 @ 5A,4.5V
-
25 nC @ 10 V
±10V
2300 pF @ 10 V
-
1.6W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-ECH
8-SMD,扁平引线
8-SMD, Flat Lead
ECH8309-TL-H
MOSFET P-CH 12V 9.5A 8ECH
onsemi
2,746
现货
1 : ¥6.65000
剪切带(CT)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
9.5A(Ta)
1.8V,4.5V
16 毫欧 @ 4.5A,4.5V
-
18 nC @ 4.5 V
±10V
1780 pF @ 6 V
-
1.5W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-ECH
8-SMD,扁平引线
MOSFET N-CH 24V 9.5A 4PLLP
NILMS4501NR2
MOSFET N-CH 24V 9.5A 4PLLP
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
24 V
9.5A(Ta)
10V
13 毫欧 @ 6A,10V
2V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±10V
1500 pF @ 6 V
电流检测
1.4W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
4-PLLP(6.2x5.2)
4-DFN
8-SOIC
RSS095N05FRATB
MOSFET N-CH 45V 9.5A 8SOP
Rohm Semiconductor
1,770
现货
1 : ¥16.42000
剪切带(CT)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
45 V
9.5A(Ta)
4V,10V
16 毫欧 @ 9.5A,10V
2.5V @ 1mA
26.5 nC @ 5 V
±20V
1830 pF @ 10 V
-
1.4W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TO-220SIS
TK10A80W,S4X
MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220SIS
Toshiba Semiconductor and Storage
49
现货
1 : ¥21.75000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
9.5A(Ta)
10V
550 毫欧 @ 4.8A,10V
4V @ 450µA
19 nC @ 10 V
±20V
1150 pF @ 300 V
-
40W(Tc)
150°C
-
-
通孔
TO-220SIS
TO-220-3 整包
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
TK10E80W,S1X
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Toshiba Semiconductor and Storage
50
现货
1 : ¥27.67000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
9.5A(Ta)
10V
550 毫欧 @ 4.8A,10V
4V @ 450µA
19 nC @ 10 V
±20V
1150 pF @ 300 V
-
130W(Tc)
150°C
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
U-DFN2020-6 Type F
DMP2016UFDF-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
1 : ¥4.27000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.43212
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
9.5A(Ta)
1.5V,4.5V
15 毫欧 @ 7A,4.5V
1.1V @ 250µA
30 nC @ 8 V
±8V
1710 pF @ 10 V
-
900mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6(F 类)
6-UDFN 裸露焊盘
U-DFN2020-6 Type F
DMP2016UFDF-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Diodes Incorporated
0
现货
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10,000 : ¥1.26220
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
9.5A(Ta)
1.5V,4.5V
15 毫欧 @ 7A,4.5V
1.1V @ 250µA
30 nC @ 8 V
±8V
1710 pF @ 10 V
-
900mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6(F 类)
6-UDFN 裸露焊盘
U-DFN2020-6 Type F
DMP1022UFDF-13
MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN
Diodes Incorporated
0
现货
130,000
工厂
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10,000 : ¥1.38401
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
9.5A(Ta)
1.2V,4.5V
14.8 毫欧 @ 4A,4.5V
800mV @ 250µA
48.3 nC @ 4.5 V
±8V
2712 pF @ 10 V
-
730mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6(F 类)
6-UDFN 裸露焊盘
U-DFN2020-6 Type F
DMT6012LFDF-13
MOSFET N-CH 60V 9.5A 6UDFN
Diodes Incorporated
0
现货
130,000
工厂
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10,000 : ¥1.65932
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
9.5A(Ta)
4.5V,10V
14 毫欧 @ 8.5A,10V
2.3V @ 250µA
13.6 nC @ 10 V
±20V
785 pF @ 30 V
-
900mW(Ta),11W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6(F 类)
6-UDFN 裸露焊盘
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9.5A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。