7A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 133
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiPanasonic Electronic ComponentsPanjit International Inc.Renesas Electronics CorporationRohm SemiconductorSanken Electric USA Inc.Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-AlphaMOSDTMOSIVHEXFET®OptiMOS™PowerTrench®TrenchFET®TrenchMOS™U-MOSVIU-MOSVII-HU-MOSVIII-Hπ-MOSVIIπ-MOSVIII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
12 V20 V30 V40 V45 V60 V100 V150 V160 V330 V450 V500 V525 V550 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V1.8V,4.5V2.5V,10V2.5V,4.5V4V,10V4.5V,10V4.5V,11.5V5V,10V6V,10V10V15V,18V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
7.6 毫欧 @ 30A,10V11.3 毫欧 @ 10A,10V11.5 毫欧 @ 12A,10V12 毫欧 @ 7A,4.5V13 毫欧 @ 11.2A,10V14 毫欧 @ 7A,4.5V15 毫欧 @ 15.5A,10V15 毫欧 @ 3.5A,4.5V16 毫欧 @ 3.5A,10V16 毫欧 @ 7A,4.5V17 毫欧 @ 7A,10V17.6 毫欧 @ 20.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA1V @ 1mA1V @ 250µA1.2V @ 100µA1.2V @ 250µA1.3V @ 1mA1.4V @ 250µA1.5V @ 1mA1.5V @ 250µA2V @ 100µA2V @ 10µA2V @ 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4.8 nC @ 10 V5.4 nC @ 4.5 V5.8 nC @ 5 V6.4 nC @ 10 V6.5 nC @ 5 V7.1 nC @ 10 V7.6 nC @ 10 V7.9 nC @ 10 V8.1 nC @ 4.5 V8.4 nC @ 4.5 V8.9 nC @ 10 V9.9 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
-8V±8V+10V,-20V±10V±12V±15V+20V,-25V±20V20V+22V,-10V±25V±30V30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
220 pF @ 15 V225 pF @ 1000 V390 pF @ 10 V390 pF @ 25 V410 pF @ 15 V460 pF @ 15 V460 pF @ 30 V470 pF @ 10 V470 pF @ 25 V478.9 pF @ 15 V490 pF @ 300 V500 pF @ 25 V
FET 功能
-肖特基二极管(体)肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
550mW(Ta)600mW(Ta), 6.9W(Tc)610mW(Ta),8.3W(Tc)700mW(Ta)830mW(Ta)860mW(Ta)880mW(Ta),47.2W(Tc)980mW(Ta)1W(Ta)1.1W(Ta)1.12W(Ta),140W(Tc)1.3W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)150°C150°C(TJ)175°C175°C(TJ)-
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)6-HUSON(2x2)6-MCPH6-PQFN(2x2)6-TSOP6-TSOP-F6-WCSPC(1.5x1.0)8-DFN(5x6)8-HSMT(3.2x3)8-SO8-SOIC8-SOP
封装/外壳
6-PowerUFDFN6-PowerWDFN6-SMD,扁平引线6-TSSOP,SC-88,SOT-3636-UDFN 裸露焊盘6-UFBGA,WLCSP6-WFDFN 裸露焊盘8-PowerTDFN8-PowerTDFN,5 引线8-PowerUDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
133结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 133
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-SOIC
RSH070P05TB1
MOSFET P-CH 45V 7A 8SOP
Rohm Semiconductor
7,096
现货
1 : ¥14.94000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.74934
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
45 V
7A(Ta)
4V,10V
27 毫欧 @ 7A,10V
2.5V @ 1mA
47.6 nC @ 5 V
±20V
4100 pF @ 10 V
-
2W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TO-236AB
PMV15UNEAR
MOSFET N-CH 20V 7A TO236AB
Nexperia USA Inc.
11,352
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.95120
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
7A(Ta)
1.8V,4.5V
19 毫欧 @ 7A,4.5V
900mV @ 250µA
17 nC @ 4.5 V
±8V
1220 pF @ 10 V
-
610mW(Ta),8.3W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
6-TSOP-F
SSM6J808R,LF
P-CH MOSFET, -40 V, -7 A, 0.035O
Toshiba Semiconductor and Storage
10,941
现货
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.68516
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
7A(Ta)
4V,10V
35 毫欧 @ 2.5A,10V
2V @ 100µA
24.2 nC @ 10 V
+10V,-20V
1020 pF @ 10 V
-
1.5W(Ta)
150°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSOP-F
6-SMD,扁平引线
8,400
现货
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.90239
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
7A(Ta)
4.5V,10V
32 毫欧 @ 7A,10V
2.2V @ 250µA
33 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
6-TSOP-F
SSM6J808R,LXHF
AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOGIC-LEV
Toshiba Semiconductor and Storage
3,982
现货
1 : ¥6.08000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.29302
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
7A(Ta)
4V,10V
35 毫欧 @ 2.5A,10V
2V @ 100µA
24.2 nC @ 10 V
+10V,-20V
1020 pF @ 10 V
-
1.5W(Ta)
150°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSOP-F
6-SMD,扁平引线
7,008
现货
1 : ¥11.41000
剪切带(CT)
2,000 : ¥4.71144
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
7A(Ta)
10V
48 毫欧 @ 3.5A,10V
4V @ 100µA
7.1 nC @ 10 V
±20V
470 pF @ 10 V
-
50W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK+
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
6-DFN2020MD_View 2
PMPB23XNEZ
MOSFET N-CH 20V 7A 6DFN
Nexperia USA Inc.
12,659
现货
1 : ¥2.55000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.77583
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
7A(Ta)
1.8V,4.5V
22 毫欧 @ 7A,4.5V
900mV @ 250µA
17 nC @ 10 V
±12V
1136 pF @ 10 V
-
1.7W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
RF4P025ATTCR
RF4E070GNTR
MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
Rohm Semiconductor
2,350
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.19861
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
7A(Ta)
4.5V,10V
21.4 毫欧 @ 7A,10V
2.5V @ 250µA
4.8 nC @ 10 V
±20V
220 pF @ 15 V
-
2W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
HUML2020L8
8-PowerUDFN
8-HSMT
RQ3E070BNTB
MOSFET N-CH 30V 7A 8HSMT
Rohm Semiconductor
7,341
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.02517
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
7A(Ta)
4.5V,10V
27 毫欧 @ 7A,10V
2.5V @ 1mA
8.9 nC @ 10 V
±20V
410 pF @ 15 V
-
2W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HSMT(3.2x3)
8-PowerVDFN
U-DFN2020-6 Type F
DMN3042LFDF-7
MOSFET N-CH 30V 7A 6UDFN
Diodes Incorporated
5,980
现货
60,000
工厂
1 : ¥4.19000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.12511
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
7A(Ta)
2.5V,10V
28 毫欧 @ 4A,10V
1.4V @ 250µA
13.3 nC @ 10 V
±12V
570 pF @ 15 V
-
2.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6(F 类)
6-UDFN 裸露焊盘
17,259
现货
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.65224
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
7A(Ta)
4.5V,10V
34 毫欧 @ 7A,10V
2.4V @ 250µA
16 nC @ 10 V
±20V
910 pF @ 15 V
-
3.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
846~TSMT8~~8 Top
RQ1A070APTR
MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
Rohm Semiconductor
3,473
现货
1 : ¥6.81000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.58773
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
7A(Ta)
1.5V,4.5V
14 毫欧 @ 7A,4.5V
1V @ 1mA
80 nC @ 4.5 V
-8V
7800 pF @ 6 V
-
550mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TSMT8
8-SMD,扁平引线
2,900
现货
1 : ¥6.81000
剪切带(CT)
2,000 : ¥2.83344
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
7A(Ta)
10V
48 毫欧 @ 3.5A,10V
4V @ 100µA
7.1 nC @ 10 V
±20V
470 pF @ 10 V
-
50W(Tc)
175°C
-
-
表面贴装型
DPAK+
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8-SOIC
RXH070N03TB1
MOSFET N-CH 30V 7A 8SOP
Rohm Semiconductor
1,514
现货
1 : ¥7.64000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.16921
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
7A(Ta)
4V,10V
28 毫欧 @ 7A,10V
2.5V @ 1mA
5.8 nC @ 5 V
±20V
390 pF @ 10 V
-
1.4W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
6-UFDFN Exposed Pad
NTLJS17D0P03P8ZTAG
MOSFET P-CH 30V 7A 6PQFN
onsemi
2,252
现货
1 : ¥8.54000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.52119
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
7A(Ta)
4.5V,10V
11.3 毫欧 @ 10A,10V
3V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±25V
1600 pF @ 15 V
-
860mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-PQFN(2x2)
6-PowerWDFN
846~TSMT8~~8 Top
RQ1E070RPTR
MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8
Rohm Semiconductor
6,862
现货
1 : ¥9.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.09730
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
7A(Ta)
4V,10V
17 毫欧 @ 7A,10V
2.5V @ 1mA
26 nC @ 5 V
±20V
2700 pF @ 10 V
-
550mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TSMT8
8-SMD,扁平引线
8-SOIC
RSH070N05TB1
MOSFET N-CH 45V 7A 8SOP
Rohm Semiconductor
4,973
现货
1 : ¥10.34000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.28972
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
45 V
7A(Ta)
4V,10V
25 毫欧 @ 7A,10V
2.5V @ 1mA
16.8 nC @ 5 V
±20V
1000 pF @ 10 V
-
2W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
RSS070P05HZGTB
PCH -45V -7A POWER MOSFET. RSS07
Rohm Semiconductor
4,563
现货
1 : ¥12.64000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.69062
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
45 V
7A(Ta)
4V,10V
27 毫欧 @ 7A,10V
2.5V @ 1mA
47.6 nC @ 5 V
±20V
4100 pF @ 10 V
-
2W(Ta)
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
RSH070P05GZETB
MOSFET P-CH 45V 7A 8SOP
Rohm Semiconductor
7,447
现货
1 : ¥17.16000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.73084
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
45 V
7A(Ta)
4V,10V
27 毫欧 @ 7A,10V
2.5V @ 1mA
47.6 nC @ 5 V
±20V
4100 pF @ 10 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
FDS86141
MOSFET N-CH 100V 7A 8SOIC
onsemi
7,420
现货
1 : ¥18.31000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.24035
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
7A(Ta)
6V,10V
23 毫欧 @ 7A,10V
4V @ 250µA
16.5 nC @ 10 V
±20V
934 pF @ 50 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
6-DFN2020MD_View 2
PMPB16R5XNEX
PMPB16R5XNE - 30 V, N-CHANNEL TR
Nexperia USA Inc.
8,450
现货
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.06282
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
7A(Ta)
1.5V,4.5V
19 毫欧 @ 4.5A,4.5V
900mV @ 250µA
18 nC @ 4.5 V
±12V
1150 pF @ 15 V
-
1.7W(Ta),12.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN2020M-6
6-UDFN 裸露焊盘
RF4P025ATTCR
RF4L070BGTCR
NCH 60V 7A, HUML2020L8, POWER MO
Rohm Semiconductor
2,468
现货
1 : ¥5.99000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.19159
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
7A(Ta)
4.5V,10V
27 毫欧 @ 7A,10V
2.5V @ 1mA
7.6 nC @ 10 V
±20V
460 pF @ 30 V
-
2W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN2020-8S
8-PowerUDFN
1,203
现货
1 : ¥12.23000
剪切带(CT)
2,000 : ¥5.51088
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
7A(Ta)
10V
670 毫欧 @ 3.5A,10V
4.5V @ 350µA
16 nC @ 10 V
±30V
490 pF @ 300 V
-
60W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8-SOIC
RSS070N05HZGTB
AUTOMOTIVE NCH 45V 7A POWER MOSF
Rohm Semiconductor
2,148
现货
1 : ¥15.76000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.10223
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
45 V
7A(Ta)
4V,10V
25 毫欧 @ 7A,10V
2.5V @ 1mA
16.8 nC @ 5 V
±20V
1000 pF @ 10 V
-
1.4W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
R6004KNXC7G
R6507KNXC7G
650V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Rohm Semiconductor
979
现货
1 : ¥18.55000
剪切带(CT)
1,000 : ¥8.79943
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
7A(Ta)
10V
665 毫欧 @ 2.4A,10V
5V @ 200µA
14.5 nC @ 10 V
±20V
470 pF @ 25 V
-
46W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220FM
TO-220-3 整包
显示
/ 133

7A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。