5A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 239
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpDiodes IncorporatedGeneSiC SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSLittelfuse Inc.Micro Commercial CoMicrochip TechnologyMicrosemi Corporation
系列
-aMOS5™CoolMOS™CoolMOS™ CECoolMOS™ CFD7DeepGATE™, STripFET™EFRFET®G2R™G2R™, LoRing™HEXFET®HiPerFET™, Polar
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
12 V20 V25 V30 V40 V55 V60 V100 V150 V190 V200 V250 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.5V,10V2.5V,4.5V3V,8V4V,10V4.5V4.5V,10V5V5V,10V6V,10V10V13V15V,20V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
18 毫欧 @ 4.2A,10V22 毫欧 @ 5A, 4.5V24 毫欧 @ 4A,8V30 毫欧 @ 3A,10V30 毫欧 @ 4A,8V35 毫欧 @ 2A,10V36 毫欧 @ 5A,4.5V40 毫欧 @ 4A,4.5V42 毫欧 @ 3.8A,10V45 毫欧 @ 5A,10V49 毫欧 @ 3A,4.5V50 毫欧 @ 3.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
450mV @ 250µA(最小)900mV @ 250µA1V @ 250µA1.2V @ 1mA1.5V @ 250µA1.55V @ 250µA1.8V @ 250µA2V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA2.5V @ 50µA2.9V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
2.7 nC @ 4.5 V2.8 nC @ 4.5 V3.4 nC @ 4.5 V4.1 nC @ 10 V4.1 nC @ 4.5 V4.5 nC @ 2.5 V5.5 nC @ 10 V5.7 nC @ 10 V6 nC @ 2.5 V6 nC @ 5 V6.2 nC @ 10 V6.7 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V+10V,-8V±10V±12V±15V±16V+20V,-5V±20V+22V,-6V+25V,-10V±25V30V±30V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
111 pF @ 1000 V139 pF @ 1000 V165 pF @ 600 V175 pF @ 100 V200 pF @ 100 V200 pF @ 1000 V220 pF @ 10 V220 pF @ 100 V222 pF @ 25 V238 pF @ 1000 V242 pF @ 25 V249 pF @ 1000 V
FET 功能
-肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
850mW(Ta),20W(Tc)1W(Ta)1W(Ta),10W(Tc)1.25W(Tc)1.4W(Tc)1.5W(Tc)1.56W(Ta),30W(Tc)1.56W(Tc)1.6W(Tc)1.7W(Tc)1.92W(Ta),31.3W(Tc)2W(Ta),3.3W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)175°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
6-SON6-TSOP6-WSON(2x2)8-SO8-SOIC8-SOPCPT3D2PAKDFN3333DPAKI2PAKIPAK
封装/外壳
6-SMD,扁平引线6-WDFN 裸露焊盘8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-VDFN 裸露焊盘ISOPLUS220™SOT-227-4,miniBLOCSOT-23-6 细型,TSOT-23-6SOT-23-6TO-204AA,TO-3TO-220-3 全封装,成形引线
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
239结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 239
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
SI2347DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 5A SOT23-3
Vishay Siliconix
221,262
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.74207
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V5A(Tc)4.5V,10V42 毫欧 @ 3.8A,10V2.5V @ 250µA22 nC @ 10 V±20V705 pF @ 15 V-1.7W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
CSD-6-SON Pkg
CSD17313Q2
MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Texas Instruments
3,762
现货
1 : ¥3.82000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.29617
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V5A(Tc)3V,8V30 毫欧 @ 4A,8V1.8V @ 250µA2.7 nC @ 4.5 V+10V,-8V340 pF @ 15 V-2.3W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-WSON(2x2)6-WDFN 裸露焊盘
CSD-6-SON Pkg
CSD16301Q2
MOSFET N-CH 25V 5A 6SON
Texas Instruments
13,509
现货
1 : ¥3.98000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.34619
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)25 V5A(Tc)3V,8V24 毫欧 @ 4A,8V1.55V @ 250µA2.8 nC @ 4.5 V+10V,-8V340 pF @ 12.5 V-2.3W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-SON6-SMD,扁平引线
TO252-3
IPD60R1K5CEAUMA1
MOSFET N-CH 600V 5A TO252
Infineon Technologies
19,151
现货
1 : ¥5.12000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.93416
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V5A(Tc)10V1.5 欧姆 @ 1.1A,10V3.5V @ 90µA9.4 nC @ 10 V±20V200 pF @ 100 V-49W(Tc)-40°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PG-TO252-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
SOT223-3L
IRLL024ZTRPBF
MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
Infineon Technologies
15,621
现货
1 : ¥5.93000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.25242
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)55 V5A(Tc)4.5V,10V60 毫欧 @ 3A,10V3V @ 250µA11 nC @ 5 V±16V380 pF @ 25 V-1W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-223TO-261-4,TO-261AA
TO252-3
IRFR220NTRPBF
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Infineon Technologies
13,258
现货
1 : ¥7.64000
剪切带(CT)
2,000 : ¥2.90532
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)200 V5A(Tc)10V600 毫欧 @ 2.9A,10V4V @ 250µA23 nC @ 10 V±20V300 pF @ 25 V-43W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型TO-252AA (DPAK)TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD5N25S3430ATMA1
MOSFET N-CH 250V 5A TO252-3
Infineon Technologies
575
现货
1 : ¥11.22000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.64916
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)250 V5A(Tc)10V430 毫欧 @ 5A,10V4V @ 13µA6.2 nC @ 10 V±20V422 pF @ 25 V-41W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型PG-TO252-3-313TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-247-3
G2R1000MT17D
SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
8,469
现货
1 : ¥44.23000
管件
管件
在售N 通道SiCFET(碳化硅)1700 V5A(Tc)20V1.2 欧姆 @ 2A,20V5.5V @ 500µA11 nC @ 20 V+25V,-10V111 pF @ 1000 V-44W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--通孔TO-247-3TO-247-3
SOT-23-3
SQ2315ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Vishay Siliconix
18,375
现货
1 : ¥4.72000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.58296
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)12 V5A(Tc)1.8V,4.5V50 毫欧 @ 3.5A,10V1V @ 250µA13 nC @ 4.5 V±8V870 pF @ 4 V-2W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
MFG_DPAK(TO252-3)
STD5N20LT4
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
STMicroelectronics
17,446
现货
1 : ¥8.70000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.58328
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)200 V5A(Tc)5V700 毫欧 @ 2.5A,5V2.5V @ 50µA6 nC @ 5 V±20V242 pF @ 25 V-33W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8-SOIC
STS5NF60L
MOSFET N-CH 60V 5A 8SO
STMicroelectronics
4,835
现货
1 : ¥10.81000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.46536
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V5A(Tc)4.5V,10V55 毫欧 @ 2.5A,10V2.5V @ 250µA17 nC @ 5 V±20V1250 pF @ 25 V-2.5W(Tc)150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-Power TDFN
BSZ42DN25NS3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
Infineon Technologies
22,581
现货
1 : ¥11.46000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.52491
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)250 V5A(Tc)10V425 毫欧 @ 2.5A,10V4V @ 13µA5.5 nC @ 10 V±20V430 pF @ 100 V-33.8W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PG-TSDSON-8-28-PowerTDFN
TO-220-3
STP7N60M2
MOSFET N-CH 600V 5A TO220
STMicroelectronics
954
现货
1 : ¥11.46000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V5A(Tc)10V950 毫欧 @ 2.5A,10V4V @ 250µA8.8 nC @ 10 V±25V271 pF @ 100 V-60W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--通孔TO-220TO-220-3
MFG_DPAK(TO252-3)
STD7N60M2
MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
STMicroelectronics
12,836
现货
1 : ¥11.95000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.93722
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V5A(Tc)10V950 毫欧 @ 2.5A,10V4V @ 250µA8.8 nC @ 10 V±25V271 pF @ 100 V-60W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220AB
IRF830APBF
MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Vishay Siliconix
5,468
现货
1 : ¥12.28000
管件
-
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V5A(Tc)10V1.4 欧姆 @ 3A,10V4.5V @ 250µA24 nC @ 10 V±30V620 pF @ 25 V-74W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--通孔TO-220ABTO-220-3
MFG_DPAK(TO252-3)
STD7ANM60N
MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
STMicroelectronics
5,844
现货
1 : ¥13.25000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.46849
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V5A(Tc)10V900 毫欧 @ 2.5A,10V4V @ 250µA14 nC @ 10 V±25V363 pF @ 50 V-45W(Tc)150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD7LN80K5
MOSFET N-CH 800V 5A DPAK
STMicroelectronics
4,941
现货
1 : ¥16.91000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.62491
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)800 V5A(Tc)10V1.15 欧姆 @ 2.5A,10V5V @ 100µA12 nC @ 10 V±30V270 pF @ 100 V-85W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD8NM50N
MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
STMicroelectronics
3,712
现货
1 : ¥17.56000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.92851
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V5A(Tc)10V790 毫欧 @ 2.5A,10V4V @ 250µA14 nC @ 10 V±25V364 pF @ 50 V-45W(Tc)150°C(TJ)--表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263AB
IRF830ASTRLPBF
MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Vishay Siliconix
9,354
现货
1 : ¥18.62000
剪切带(CT)
800 : ¥10.41870
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V5A(Tc)10V1.4 欧姆 @ 3A,10V4.5V @ 250µA24 nC @ 10 V±30V620 pF @ 25 V-74W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-263(D2PAK)TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
MFG_DPAK(TO252-3)
STD5NM60T4
MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
STMicroelectronics
5,622
现货
1 : ¥20.00000
剪切带(CT)
2,500 : ¥9.02604
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V5A(Tc)10V1 欧姆 @ 2.5A,10V5V @ 250µA18 nC @ 10 V±30V400 pF @ 25 V-96W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-264
IXTK5N250
MOSFET N-CH 2500V 5A TO264
IXYS
548
现货
825
工厂
1 : ¥540.63000
管件
-
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)2500 V5A(Tc)10V8.8 欧姆 @ 2.5A,10V5V @ 1mA200 nC @ 10 V±30V8560 pF @ 25 V-960W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--通孔TO-264(IXTK)TO-264-3,TO-264AA
SOT-23-3
SQ2315ES-T1_BE3
MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Vishay Siliconix
8,539
现货
1 : ¥4.72000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.58296
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)12 V5A(Tc)1.8V,4.5V50 毫欧 @ 3.5A,4.5V1V @ 250µA13 nC @ 4.5 V±8V870 pF @ 6 V-2W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
PG-SOT223-3
IPN60R1K5CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 5A SOT223
Infineon Technologies
5,873
现货
1 : ¥5.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.74648
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V5A(Tc)10V1.5 欧姆 @ 1.1A,10V3.5V @ 90µA9.4 nC @ 10 V±20V200 pF @ 100 V-5W(Tc)-40°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PG-SOT223-3TO-261-4,TO-261AA
IPAK (TO-251)
IRFU220NPBF
MOSFET N-CH 200V 5A IPAK
Infineon Technologies
2,127
现货
1 : ¥8.37000
管件
管件
不适用于新设计N 通道MOSFET(金属氧化物)200 V5A(Tc)10V600 毫欧 @ 2.9A,10V4V @ 250µA23 nC @ 10 V±20V300 pF @ 25 V-43W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--通孔IPAK(TO-251AA)TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
LM7812TP
SIHA6N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 5A TO220
Vishay Siliconix
836
现货
1 : ¥9.43000
剪切带(CT)
1 : ¥12.85000
管件
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)800 V5A(Tc)10V950 毫欧 @ 2A,10V4V @ 250µA22.5 nC @ 10 V±30V422 pF @ 100 V-30W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--通孔TO-220 整包TO-220-3 整包
显示
/ 239

5A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。