32A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 146
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diotec SemiconductorGoford SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSMicrochip TechnologyMicrosemi CorporationNexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemiRenesas Electronics CorporationSparkFun ElectronicsSTMicroelectronicsTaiwan Semiconductor Corporation
系列
-C3M™CoolMOS™CoolMOS™ CFD7ACoolSiC™DeepGATE™, STripFET™ VIIEE-SeriesEFHEXFET®HiPerFET™HiPerFET™, Polar
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供停产在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
12 V20 V30 V40 V50 V55 V60 V75 V80 V100 V120 V150 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.5V,4.5V4.5V,10V5V5V,10V6V,10V8V,10V10V15V15V,20V20V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.8 毫欧 @ 14A,10V3.9 毫欧 @ 10.3A,10V4 毫欧 @ 20A,10V4.1 毫欧 @ 10.3A,10V4.6 毫欧 @ 20A,10V5 毫欧 @ 20A,10V5 毫欧 @ 5A,4.5V6 毫欧 @ 15A,4.5V8.8 毫欧 @ 16A,10V9.6 毫欧 @ 18A,10V11 毫欧 @ 10.7A,10V11 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 1mA(典型值)1.5V @ 250µA1.95V @ 1mA2V @ 1mA2.1V @ 1mA2.15V @ 1mA2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 1mA(典型值)3V @ 250µA3.5V @ 250µA3.6V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
7.5 nC @ 4.5 V8.3 nC @ 10 V10.7 nC @ 10 V12.4 nC @ 5 V13 nC @ 10 V17.6 nC @ 5 V19 nC @ 10 V20 nC @ 5 V23 nC @ 18 V23.8 nC @ 10 V27 nC @ 10 V27 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
±8V±10V+15V,-4V±15V+19V,-8V±20V+23V,-5V+25V,-10V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
521 pF @ 15 V552 pF @ 15 V779 pF @ 500 V800 pF @ 50 V950 pF @ 75 V1040 pF @ 25 V1120 pF @ 25 V1201 pF @ 50 V1236 pF @ 25 V1270 pF @ 50 V1340 pF @ 25 V1390 pF @ 1000 V
功率耗散(最大值)
1.2W(Ta),66W(Tc)1.6W(Ta),61W(Tc)3.75W(Ta),150W(Tc)3.75W(Ta),79W(Tc)4.8W(Ta),55W(Tc)5W(Ta),69.4W(Tc)5.2W(Ta),64W(Tc)7.1W(Tc)8.3W(Tc)25W(Tc)26W(Tc)28W(Tc)
工作温度
-65°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)175°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
-底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-DFN-EP(3x3)8-QFN(3x3)8-SO8-SOIC8-SOP Advance(5x5)-D2PAKD3PAKDPAKDPAK-3I2PAKIPAK
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)-PowerPAK® SO-8SC-100,SOT-669SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)SOT-227-4,miniBLOCTO-220-3 整包TO-220-3TO-220-3(SMT)标片TO-247-3 变式
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
146结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 146
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPak SO-8L
SQJ479EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
55,852
现货
1 : ¥9.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.01897
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
32A(Tc)
4.5V,10V
33 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
4500 pF @ 25 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerFlat™
STL8N6LF6AG
MOSFET N-CH 60V 32A POWERFLAT
STMicroelectronics
3,273
现货
1 : ¥11.16000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.62334
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
32A(Tc)
4.5V,10V
27 毫欧 @ 9.6A,10V
2.5V @ 250µA
27 nC @ 10 V
±20V
1340 pF @ 25 V
-
4.8W(Ta),55W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerFlat™(5x6)
8-PowerVDFN
PowerPak® SO-8
SQJ402EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
10,599
现货
1 : ¥12.40000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.60425
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
32A(Tc)
4.5V,10V
11 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
51 nC @ 10 V
±20V
2289 pF @ 40 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO252-3
IRFR3411TRPBF
MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
Infineon Technologies
11,073
现货
1 : ¥12.72000
剪切带(CT)
2,000 : ¥5.25825
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
32A(Tc)
10V
44 毫欧 @ 16A,10V
4V @ 250µA
71 nC @ 10 V
±20V
1960 pF @ 25 V
-
130W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PowerPak SO-8L
SQJ412EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
24,798
现货
1 : ¥19.29000
剪切带(CT)
3,000 : ¥8.67983
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
32A(Tc)
4.5V,10V
4.1 毫欧 @ 10.3A,10V
2.5V @ 250µA
120 nC @ 10 V
±20V
5950 pF @ 20 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TSDSON-8
BSZ300N15NS5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 32A TSDSON
Infineon Technologies
2,251
现货
1 : ¥21.26000
剪切带(CT)
5,000 : ¥9.20893
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
32A(Tc)
8V,10V
30 毫欧 @ 16A,10V
4.6V @ 32µA
13 nC @ 10 V
±20V
950 pF @ 75 V
-
62.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
TO-220-3
IXTP32P05T
MOSFET P-CH 50V 32A TO220AB
IXYS
1,277
现货
1 : ¥21.84000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
32A(Tc)
10V
39 毫欧 @ 500mA,10V
4.5V @ 250µA
46 nC @ 10 V
±15V
1975 pF @ 25 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
PowerPak SO-8L
SQJ469EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
8,698
现货
1 : ¥22.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥11.17727
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
32A(Tc)
6V,10V
25 毫欧 @ 10.2A,10V
2.5V @ 250µA
155 nC @ 10 V
±20V
5100 pF @ 40 V
-
100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-220AB
SIHP35N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB
Vishay Siliconix
738
现货
1 : ¥49.67000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
32A(Tc)
10V
97 毫欧 @ 17A,10V
4V @ 250µA
134 nC @ 10 V
±30V
2568 pF @ 100 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-247 Plus X
IXTX32P60P
MOSFET P-CH 600V 32A PLUS247-3
IXYS
506
现货
1 : ¥167.47000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
32A(Tc)
10V
350 毫欧 @ 16A,10V
4V @ 1mA
196 nC @ 10 V
±20V
11100 pF @ 25 V
-
890W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PLUS247™-3
TO-247-3 变式
LFPAK33
BUK9M24-60EX
MOSFET N-CH 60V 32A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
2,746
现货
1 : ¥6.65000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.83622
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
32A(Tc)
5V
21 毫欧 @ 10A,10V
2.1V @ 1mA
12.4 nC @ 5 V
±10V
1469 pF @ 25 V
-
55W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
PowerPak SO-8L
SQJ464EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
11,695
现货
1 : ¥7.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.28669
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
32A(Tc)
4.5V,10V
17 毫欧 @ 7.1A,10V
2.5V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
2086 pF @ 30 V
-
45W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
D2PAK SOT404
PSMN034-100BS,118
MOSFET N-CH 100V 32A D2PAK
Nexperia USA Inc.
10,152
现货
1 : ¥11.82000
剪切带(CT)
800 : ¥6.36543
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
32A(Tc)
10V
34.5 毫欧 @ 15A,10V
4V @ 1mA
23.8 nC @ 10 V
±20V
1201 pF @ 50 V
-
86W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
PowerPAK 8 x 8
SIHH080N60E-T1-GE3
E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8
Vishay Siliconix
3,107
现货
1 : ¥40.47000
剪切带(CT)
3,000 : ¥19.69127
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
32A(Tc)
10V
80 毫欧 @ 17A,10V
5V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±30V
2557 pF @ 100 V
-
184W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 8 x 8
8-PowerTDFN
TO-247-3 HiP
STW40N65M2
MOSFET N-CH 650V 32A TO247
STMicroelectronics
282
现货
1 : ¥47.61000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
32A(Tc)
10V
99 毫欧 @ 16A,10V
4V @ 250µA
56.5 nC @ 10 V
±25V
2355 pF @ 100 V
-
250W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
PG-TO247-3
SPW32N50C3FKSA1
MOSFET N-CH 560V 32A TO247-3
Infineon Technologies
196
现货
1 : ¥70.44000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
560 V
32A(Tc)
10V
110 毫欧 @ 20A,10V
3.9V @ 1.8mA
170 nC @ 10 V
±20V
4200 pF @ 25 V
-
284W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3-1
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP32N50KPBF
MOSFET N-CH 500V 32A TO247-3
Vishay Siliconix
476
现货
1 : ¥71.91000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
32A(Tc)
10V
160 毫欧 @ 32A,10V
5V @ 250µA
190 nC @ 10 V
±30V
5280 pF @ 25 V
-
460W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
C2D10120D
E3M0075120D
1200V AUTOMOTIVE SIC 75MOHM FET
Wolfspeed, Inc.
382
现货
1 : ¥170.84000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
32A(Tc)
15V
97.5 毫欧 @ 17.9A,15V
3.6V @ 5mA
57 nC @ 15 V
+19V,-8V
1480 pF @ 1000 V
-
145W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
C3M0065100K
E3M0075120K
1200V AUTOMOTIVE SIC 75MOHM FET
Wolfspeed, Inc.
275
现货
1 : ¥170.84000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
32A(Tc)
15V
97.5 毫欧 @ 17.9A,15V
3.6V @ 5mA
55 nC @ 15 V
+19V,-8V
1480 pF @ 1000 V
-
145W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247 Plus X
IXFX32N100Q3
MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247-3
IXYS
241
现货
1 : ¥266.06000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1000 V
32A(Tc)
10V
320 毫欧 @ 16A,10V
6.5V @ 8mA
195 nC @ 10 V
±30V
9940 pF @ 25 V
-
1250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PLUS247™-3
TO-247-3 变式
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN013-30YLC,115
MOSFET N-CH 30V 32A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
4,431
现货
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
1,500 : ¥1.85624
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
32A(Tc)
10V
13.6 毫欧 @ 10A,10V
1.95V @ 1mA
8.3 nC @ 10 V
±20V
521 pF @ 15 V
-
26W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
PowerPAK-SO-8-Single
SQJ464EP-T1_BE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Vishay Siliconix
3,000
现货
1 : ¥7.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.28669
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
32A(Tc)
4.5V,10V
17 毫欧 @ 7.1A,10V
2.5V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
2086 pF @ 30 V
-
45W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK-SO-8-Single
SQJ479EP-T1_BE3
P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Vishay Siliconix
8,141
现货
1 : ¥9.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.01897
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
32A(Tc)
4.5V,10V
33 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
4500 pF @ 25 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SQJ460AEP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
2,127
现货
1 : ¥11.90000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.93004
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
32A(Tc)
4.5V,10V
9.6 毫欧 @ 18A,10V
2.5V @ 250µA
106 nC @ 10 V
±20V
4795 pF @ 25 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK-SO-8-Single
SQJ402EP-T1_BE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Vishay Siliconix
6,949
现货
1 : ¥12.40000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.60425
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
32A(Tc)
4.5V,10V
11 毫欧 @ 10.7A,10V
2.5V @ 250µA
51 nC @ 10 V
±20V
2286 pF @ 25 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
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32A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。