30A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 507
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedDiotec SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesInfineon Technologies Canada Inc.IXYSLittelfuse Inc.Micro Commercial CoMicrochip TechnologyMicrosemi Corporation
系列
-AlphaMOSaMOS5™C3M™CoolMOS™CoolMOS™ C6CoolMOS™ P6CoolMOS™ S7DeepGATE™, STripFET™ VIDeepGATE™, STripFET™ VIIEEF
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
20 V24 V25 V30 V40 V50 V55 V60 V75 V80 V100 V120 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.5V,10V4V,10V4V,5V4.5V4.5V,10V4.5V,20V5V5V,10V6V6V,10V8V,10V10V12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.4 毫欧 @ 15A,10V2.9 毫欧 @ 15A,10V3.2 毫欧 @ 15A,10V3.2 毫欧 @ 20A,10V3.3 毫欧 @ 15A,10V3.5 毫欧 @ 15A,10V3.7 毫欧 @ 10A,10V4.2 毫欧 @ 12A,10V4.8 毫欧 @ 30A,10V5 毫欧 @ 10A,10V5.4 毫欧 @ 13A,4.5V5.5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA1V @ 250µA1V @ 250µA(最小)1.2V @ 1mA1.2V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 10µA2V @ 20µA2V @ 23µA2V @ 250µA2V @ 25µA2V @ 26µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
5.8 nC @ 6 V6.1 nC @ 6 V6.7 nC @ 6 V7.7 nC @ 5 V8.3 nC @ 5 V9 nC @ 10 V10 nC @ 10 V10 nC @ 4.5 V10 nC @ 5 V11 nC @ 10 V11 nC @ 5 V12 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
4.2V @ 1mA+7V, -10V±8V±10V±12V+15V,-4V±15V±16V+18V,-5V±18V+19V,-8V+20V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
235 pF @ 400 V242 pF @ 400 V260 pF @ 400 V447 pF @ 15 V530 pF @ 25 V571 pF @ 500 V611 pF @ 50 V621 pF @ 25 V660 pF @ 25 V680 pF @ 400 V690 pF @ 25 V695 pF @ 25 V
FET 功能
-电流检测
功率耗散(最大值)
1W(Ta),25W(Tc)1.5W(Ta)1.5W(Ta),52W(Tc)1.5W(Ta),56W(Tc)1.56W(Ta),40W(Tc)2.23W(Ta),40W(Tc)2.7W(Tc)3W(Ta),125W(Tc)3W(Ta),6W(Tc)3.2W(Ta),50W(Tc)3.6W(Ta),39W(Tc)3.7W(Ta),39W(Tc)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-65°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 200°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)175°C175°C(TJ)-
等级
-军用汽车级
资质
-AEC-Q101MIL-PRF-19500/543
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
4-PQFN(8x8)4-TDFN(8x8)8-DFN(3.15x3.05)8-DFN(5.1x6.3)8-DFN(5x6)8-HPSOF8-HSMT(3.2x3)8-HVSON(3.3x3.3)8-HWSON(3.3x3.3)8-PDFN (8x8)8-PPAK(3.1x3.05)8-PPAK(3x3)
封装/外壳
4-PowerTSFN8-PowerBSFN8-PowerSFN8-PowerSMD,扁平引线8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-VDFN 裸露焊盘22-PowerBSOP 模块24-PowerSMD,21 引线PLUS-220SMD
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
507结果
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/ 507
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IPD220N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
Infineon Technologies
17,701
现货
1 : ¥6.65000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.52612
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
30A(Tc)
4.5V,10V
22 毫欧 @ 30A,10V
2.2V @ 11µA
10 nC @ 4.5 V
±20V
1600 pF @ 30 V
-
36W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-311
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PowerPAK SO-8
SIR426DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
51,194
现货
1 : ¥8.21000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.39533
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
30A(Tc)
4.5V,10V
10.5 毫欧 @ 15A,10V
2.5V @ 250µA
31 nC @ 10 V
±20V
1160 pF @ 20 V
-
4.8W(Ta),41.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TDSON833
IAUZ30N10S5L240ATMA1
MOSFET N-CH 100V 30A 8TSDSON-32
Infineon Technologies
9,110
现货
1 : ¥10.02000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.94561
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
30A(Tc)
4.5V,10V
24 毫欧 @ 15A,10V
2.2V @ 15µA
14 nC @ 10 V
±20V
832 pF @ 50 V
-
45.5W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TSDSON-8-32
8-PowerTDFN
PowerPAK 1212-8
SIS890DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
32,703
现货
1 : ¥11.08000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.58372
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
30A(Tc)
4.5V,10V
23.5 毫欧 @ 10A,10V
3V @ 250µA
29 nC @ 10 V
±20V
802 pF @ 50 V
-
3.7W(Ta),52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPak SO-8L
SQJ461EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 30A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
9,170
现货
1 : ¥22.99000
剪切带(CT)
3,000 : ¥11.17727
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
30A(Tc)
4.5V,10V
16 毫欧 @ 14.4A,10V
2.5V @ 250µA
140 nC @ 10 V
±20V
4710 pF @ 30 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-247-3 AC EP
IRFP250NPBF
MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Infineon Technologies
8,163
现货
1 : ¥23.73000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
30A(Tc)
10V
75 毫欧 @ 18A,10V
4V @ 250µA
123 nC @ 10 V
±20V
2159 pF @ 25 V
-
214W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
PowerPak SO-8L
SQJ463EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
5,767
现货
1 : ¥25.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥12.35384
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
30A(Tc)
4.5V,10V
10 毫欧 @ 18A,10V
2.5V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
5875 pF @ 20 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
C3M0065090J
C3M0075120J
SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Wolfspeed, Inc.
5,562
现货
1 : ¥161.56000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
30A(Tc)
15V
90 毫欧 @ 20A,15V
4V @ 5mA
51 nC @ 15 V
+19V,-8V
1350 pF @ 1000 V
-
113.6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
C2D10120D
C3M0075120D
SICFET N-CH 1200V 30A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
984
现货
1 : ¥161.56000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
30A(Tc)
15V
90 毫欧 @ 20A,15V
4V @ 5mA
54 nC @ 15 V
+19V,-8V
1350 pF @ 1000 V
-
113.6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
C3M0065100K
C3M0075120K
SICFET N-CH 1200V 30A TO247-4L
Wolfspeed, Inc.
921
现货
1 : ¥172.15000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
30A(Tc)
15V
90 毫欧 @ 20A,15V
4V @ 5mA
51 nC @ 15 V
+19V,-8V
1350 pF @ 1000 V
-
113.6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
MBRD6100CT-TP
MCU30N02-TP
MOSFET N-CH 20V 30A DPAK
Micro Commercial Co
4,295
现货
1 : ¥4.10000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.39175
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
30A(Tc)
1.8V,4.5V
7 毫欧 @ 15A,4.5V
1V @ 250µA
29 nC @ 4.5 V
±10V
1700 pF @ 10 V
-
30W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD30N03S4L09ATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Infineon Technologies
30,472
现货
1 : ¥5.09000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.73575
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
30A(Tc)
4.5V,10V
9 毫欧 @ 30A,10V
2.2V @ 13µA
20 nC @ 10 V
±16V
1520 pF @ 15 V
-
42W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
19,191
现货
1 : ¥5.91000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.24726
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
30A(Tc)
4.5V,10V
34 毫欧 @ 15A,10V
2.5V @ 250µA
16.6 nC @ 10 V
±20V
1180 pF @ 30 V
-
66W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
10,371
现货
1 : ¥5.91000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
30A(Tc)
4.5V,10V
34 毫欧 @ 15A,10V
2.5V @ 250µA
16.6 nC @ 10 V
±20V
1180 pF @ 30 V
-
66W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-251(IPAK)
TO-251-3 短引线,IPAK
PowerPAK 1212-8
SIS435DNT-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
7,339
现货
1 : ¥6.24000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.36306
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
30A(Tc)
1.8V,4.5V
5.4 毫欧 @ 13A,4.5V
900mV @ 250µA
180 nC @ 8 V
±8V
5700 pF @ 10 V
-
3.7W(Ta),39W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
TO252-3
IPD135N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Infineon Technologies
31,627
现货
1 : ¥6.90000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.62062
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
30A(Tc)
4.5V,10V
13.5 毫欧 @ 30A,10V
2.2V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
1000 pF @ 15 V
-
31W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PowerPak® SO-8
SQJA37EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
4,952
现货
1 : ¥7.06000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.91659
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
30A(Tc)
4.5V,10V
9.2 毫欧 @ 6A,10V
2.5V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
4900 pF @ 25 V
-
45W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y38-100E,115
MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
2,960
现货
1 : ¥7.22000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.17034
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
30A(Tc)
5V,10V
38 毫欧 @ 5A,5V
2.1V @ 1mA
21.6 nC @ 5 V
±10V
2541 pF @ 25 V
-
94.9W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
TO252-3
IPD30N03S4L14ATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Infineon Technologies
18,935
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.86404
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
30A(Tc)
4.5V,10V
13.6 毫欧 @ 30A,10V
2.2V @ 10µA
14 nC @ 10 V
±16V
980 pF @ 25 V
-
31W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD30N06S2L23ATMA3
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Infineon Technologies
14,064
现货
1 : ¥7.63000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.08405
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
30A(Tc)
4.5V,10V
23 毫欧 @ 22A,10V
2V @ 50µA
42 nC @ 10 V
±20V
1091 pF @ 25 V
-
100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRLZ34NSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
Infineon Technologies
29,814
现货
1 : ¥7.88000
剪切带(CT)
800 : ¥4.27143
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
30A(Tc)
4V,10V
35 毫欧 @ 16A,10V
2V @ 250µA
25 nC @ 5 V
±16V
880 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
PowerPak® SO-8
SQJ415EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
9,768
现货
1 : ¥7.88000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.27085
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
30A(Tc)
4.5V,10V
14 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
95 nC @ 10 V
±20V
6000 pF @ 25 V
-
45W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK 1212-8
SISA10DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
8,932
现货
1 : ¥8.21000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.07851
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
30A(Tc)
4.5V,10V
3.7 毫欧 @ 10A,10V
2.2V @ 250µA
51 nC @ 10 V
+20V,-16V
2425 pF @ 15 V
-
3.6W(Ta),39W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
TO252-3
IPD30N06S4L23ATMA2
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-31
Infineon Technologies
1,110
现货
1 : ¥8.87000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.66019
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
30A(Tc)
4.5V,10V
23 毫欧 @ 30A,10V
2.2V @ 10µA
21 nC @ 10 V
±16V
1560 pF @ 25 V
-
36W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PowerPAK SO-8
SIR462DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
36,122
现货
1 : ¥9.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.84805
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
30A(Tc)
4.5V,10V
7.9 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
1155 pF @ 15 V
-
4.8W(Ta),41.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
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30A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。