21A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 35
制造商
Infineon TechnologiesonsemiRenesas Electronics CorporationSTMicroelectronicsTexas InstrumentsToshiba Semiconductor and Storage
系列
-HEXFET®NexFET™PowerTrench®PowerTrench®, SyncFET™STripFET™U-MOSV-HU-MOSVII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
漏源电压(Vdss)
20 V25 V30 V40 V150 V600 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.5 毫欧 @ 21A,10V3.6 毫欧 @ 20A,10V3.6 毫欧 @ 21A,10V3.7 毫欧 @ 20A,10V3.7 毫欧 @ 21A,10V3.8 毫欧 @ 16A,10V3.8 毫欧 @ 20A,10V3.9 毫欧 @ 21A,10V3.9 毫欧 @ 35A,10V4 毫欧 @ 21A,10V4.2 毫欧 @ 20A,10V4.2 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250µA1.2V @ 500µA1.5V @ 250µA1.7V @ 250µA2.2V @ 250µA2.3V @ 1mA2.35V @ 100µA2.35V @ 250µA2.35V @ 50µA2.4V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA2.6V @ 1mA3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
7 nC @ 5 V9 nC @ 4.5 V9.5 nC @ 4.5 V14.4 nC @ 10 V16 nC @ 5 V20 nC @ 10 V21 nC @ 10 V26 nC @ 10 V30 nC @ 4.5 V45 nC @ 4.5 V48 nC @ 5 V51 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±12V±16V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
462 pF @ 15 V710 pF @ 10 V715 pF @ 20 V1425 pF @ 25 V1683 pF @ 15 V1860 pF @ 10 V1900 pF @ 10 V2150 pF @ 10 V2600 pF @ 25 V2700 pF @ 25 V3175 pF @ 15 V3230 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
700mW(Ta),30W(Tc)1W(Ta),23W(Tc)1.6W(Ta),30W(Tc)1.9W(Ta),30W(Tc)2.5W(Ta)2.8W(Ta),63W(Tc)3W(Ta)3.1W(Ta),37W(Tc)3.3W(Ta),33W(Tc)3.7W(Ta)3.7W(Ta),127W(Tc)5.2W(Ta)28W(Ta)60W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C150°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型通孔
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)5-DFNW(4.9x5.9)(8-SOFL-WF)8-SO8-SO FLMP8-SOIC8-SOP Advance(5x5)8-TSON Advance(3.1x3.1)8-TSON Advance(3.3x3.3)8-VSONP(3x3.3)8-WDFN(3.3x3.3)IPAK/TPPolarPak®TO-252AATO-3P
封装/外壳
8-PowerTDFN,5 引线8-PowerVDFN8-PowerWDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘8-VDFN 裸露焊盘PolarPak®TO-220-3 整包TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-3P-3,SC-65-3超级 D2-封装
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
35结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 35
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IRF8734TRPBF
MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Infineon Technologies
160,541
现货
1 : ¥6.07000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.25603
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
21A(Ta)
4.5V,10V
3.5 毫欧 @ 21A,10V
2.35V @ 50µA
30 nC @ 4.5 V
±20V
3175 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-VSONP
CSD17581Q3A
MOSFET N-CH 30V 21A 8VSON
Texas Instruments
7,216
现货
1 : ¥6.16000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.33329
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
21A(Ta)
4.5V,10V
3.8 毫欧 @ 16A,10V
1.7V @ 250µA
54 nC @ 10 V
±20V
3640 pF @ 15 V
-
2.8W(Ta),63W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-VSONP(3x3.3)
8-PowerVDFN
IRF7862TRPBF
MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Infineon Technologies
16,234
现货
1 : ¥9.69000
剪切带(CT)
4,000 : ¥4.02010
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
21A(Ta)
4.5V,10V
3.7 毫欧 @ 20A,10V
2.35V @ 100µA
45 nC @ 4.5 V
±20V
4090 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-WDFN
NVTFS4C06NTWG
MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
onsemi
4,934
现货
1 : ¥12.81000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.05313
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
21A(Ta)
4.5V,10V
4.2 毫欧 @ 30A,10V
2.2V @ 250µA
26 nC @ 10 V
±20V
1683 pF @ 15 V
-
3.1W(Ta),37W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
8-WDFN
NVTFS4C06NTAG
MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
onsemi
3,000
现货
1 : ¥12.81000
剪切带(CT)
1,500 : ¥5.63621
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
21A(Ta)
4.5V,10V
4.2 毫欧 @ 30A,10V
2.2V @ 250µA
26 nC @ 10 V
±20V
1683 pF @ 15 V
-
3.1W(Ta),37W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
DPAK_369C
SFT1450-TL-H
MOSFET N-CH 40V 21A TP-FA
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
21A(Ta)
10V
28 毫欧 @ 10.5A,10V
2.6V @ 1mA
14.4 nC @ 10 V
±20V
715 pF @ 20 V
-
1W(Ta),23W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TP-FA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TP
SFT1450-H
MOSFET N-CH 40V 21A TP
onsemi
0
现货
停产
-
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
21A(Ta)
10V
28 毫欧 @ 10.5A,10V
-
14.4 nC @ 10 V
±20V
715 pF @ 20 V
-
1W(Ta),23W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
IPAK/TP
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5832NLWFT3G
MOSFET N-CH 40V 21A 5DFN
onsemi
20,000
现货
5,000 : ¥4.87744
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
21A(Ta)
4.5V,10V
4.2 毫欧 @ 20A,10V
2.4V @ 250µA
51 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 25 V
-
3.7W(Ta),127W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
IRF7831TRPBF
MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Infineon Technologies
17,143
现货
1 : ¥10.10000
剪切带(CT)
4,000 : ¥4.17515
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
21A(Ta)
4.5V,10V
3.6 毫欧 @ 20A,10V
2.35V @ 250µA
60 nC @ 4.5 V
±12V
6240 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
PolarPak
STK820
MOSFET N-CH 25V 21A POLARPAK
STMicroelectronics
8,263
现货
3,000 : ¥10.42111
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
21A(Ta)
4.5V,10V
7.3 毫欧 @ 10.5A,10V
2.5V @ 250µA
9.5 nC @ 4.5 V
±16V
1425 pF @ 25 V
-
5.2W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PolarPak®
PolarPak®
8-SOIC
FDS6699S
MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
21A(Ta)
4.5V,10V
3.6 毫欧 @ 21A,10V
3V @ 1mA
91 nC @ 10 V
±20V
3610 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TO-252AA
FDD6630A
MOSFET N-CH 30V 21A TO252
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
21A(Ta)
4.5V,10V
35 毫欧 @ 7.6A,10V
3V @ 250µA
7 nC @ 5 V
±20V
462 pF @ 15 V
-
28W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
21A(Ta)
4.5V,10V
9.9 毫欧 @ 10.5A,10V
2.3V @ 1mA
20 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 10 V
-
700mW(Ta),30W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-TSON Advance(3.3x3.3)
8-VDFN 裸露焊盘
IRF7832ZTR
MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Infineon Technologies
0
现货
4,000 : ¥9.71533
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
21A(Ta)
4.5V,10V
3.8 毫欧 @ 20A,10V
2.35V @ 250µA
45 nC @ 4.5 V
±20V
3860 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
FDS8670
MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
21A(Ta)
4.5V,10V
3.7 毫欧 @ 21A,10V
3V @ 250µA
82 nC @ 10 V
±20V
4040 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF7831TR
MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Infineon Technologies
0
现货
4,000 : ¥12.81377
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
21A(Ta)
4.5V,10V
3.6 毫欧 @ 20A,10V
2.35V @ 250µA
60 nC @ 4.5 V
±12V
6240 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-WDFN
NVTFS4C06NWFTAG
MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
onsemi
0
现货
1 : ¥13.55000
剪切带(CT)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
21A(Ta)
4.5V,10V
4.2 毫欧 @ 30A,10V
2.2V @ 250µA
26 nC @ 10 V
±20V
1683 pF @ 15 V
-
3.1W(Ta),37W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
8-WDFN
NVTFS4C06NWFTWG
MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
onsemi
0
现货
1 : ¥13.55000
剪切带(CT)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
21A(Ta)
4.5V,10V
4.2 毫欧 @ 30A,10V
2.2V @ 250µA
26 nC @ 10 V
±20V
1683 pF @ 15 V
-
3.1W(Ta),37W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
8-SOIC
FDS6162N3
MOSFET N-CH 20V 21A 8SO
onsemi
0
现货
1 : ¥14.94000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.72684
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
21A(Ta)
2.5V,4.5V
4.5 毫欧 @ 21A,4.5V
1.5V @ 250µA
73 nC @ 4.5 V
±12V
5521 pF @ 10 V
-
3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO FLMP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘
IRF7832Z
MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Infineon Technologies
0
现货
95 : ¥17.25263
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
21A(Ta)
4.5V,10V
3.8 毫欧 @ 20A,10V
2.35V @ 250µA
45 nC @ 4.5 V
±20V
3860 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
Super D2-Pak
IRFBL3315
MOSFET N-CH 150V 21A SUPER D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
50 : ¥37.08820
管件
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
21A(Ta)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装型
超级 D2-封装
超级 D2-封装
IRF7831PBF
MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Infineon Technologies
0
现货
Digi-Key 停止提供
管件
Digi-Key 停止提供
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
21A(Ta)
4.5V,10V
3.6 毫欧 @ 20A,10V
2.35V @ 250µA
60 nC @ 4.5 V
±12V
6240 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
FDS7088N3
MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
21A(Ta)
4.5V,10V
4 毫欧 @ 21A,10V
3V @ 250µA
48 nC @ 5 V
±20V
3845 pF @ 15 V
-
3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO FLMP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘
8-SOIC
FDS6299S
MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
21A(Ta)
4.5V,10V
3.9 毫欧 @ 21A,10V
3V @ 1mA
81 nC @ 10 V
±20V
3880 pF @ 15 V
-
3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TO-252AA
FDD6530A
MOSFET N-CH 20V 21A TO252
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
21A(Ta)
2.5V,4.5V
32 毫欧 @ 8A,4.5V
1.2V @ 250µA
9 nC @ 4.5 V
±8V
710 pF @ 10 V
-
3.3W(Ta),33W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
/ 35

21A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。