FDD6630A onsemi | 分立半导体产品

FDD6630A 已经过时且不再制造。

可用替代品:

类似

STMicroelectronics

现货: 4,309

单价: ¥6.32000

类似

STMicroelectronics

现货: 7,167

单价: ¥7.06000

FDD6630A
DigiKey 零件编号	FDD6630ATR-ND - 卷带（TR） FDD6630ACT-ND - 剪切带（CT） FDD6630ADKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	onsemi
制造商产品编号	FDD6630A
描述	MOSFET N-CH 30V 21A TO252
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 30 V 21A（Ta） 28W（Ta） TO-252AA
规格书	规格书

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	onsemi
系列	PowerTrench®
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	停产
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	21A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	35 毫欧 @ 7.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	7 nC @ 5 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	462 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	28W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TO-252AA
封装/外壳	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
基本产品编号	FDD6630