2.9A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 37
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesMicro Commercial CoNexperia USA Inc.onsemiPanjit International Inc.Texas InstrumentsToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-FemtoFET™SIPMOS®TrenchFET®π-MOSVII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
12 V20 V30 V40 V60 V100 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.2V,4.5V1.5V,3.7V1.5V,4.5V1.8V,4.5V1.8V,8V2.5V,4.5V4V,10V4.5V4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
44 毫欧 @ 500mA,4.5V50 毫欧 @ 3.4A,10V56 毫欧 @ 2A,4.5V57 毫欧 @ 3.3A,4.5V68 毫欧 @ 2A,10V70 毫欧 @ 3.5A,4.5V70 毫欧 @ 3.7A,4.5V75 毫欧 @ 2A,10V80 毫欧 @ 1.5A,3.7V80 毫欧 @ 3.1A,4.5V80 毫欧 @ 4A,10V83 毫欧 @ 1.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
450mV @ 250µA(最小)700mV @ 250µA(最小)800mV @ 250µA(最小)900mV @ 250µA1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.25V @ 250µA1.3V @ 250µA2.1V @ 250µA2.5V @ 250µA2.6V @ 1mA3V @ 250µA4V @ 1mA4V @ 20µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.5 nC @ 4.5 V2.6 nC @ 4.5 V3.3 nC @ 4 V3.6 nC @ 4.5 V6.7 nC @ 4.5 V7 nC @ 10 V8 nC @ 4.5 V9.7 nC @ 10 V9.8 nC @ 10 V11 nC @ 4.5 V12 nC @ 10 V12 nC @ 4.5 V13 nC @ 10 V13 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
-12V±8V±10V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
160 pF @ 10 V180 pF @ 10 V215 pF @ 15 V291 pF @ 6 V340 pF @ 25 V369 pF @ 10 V396 pF @ 15 V568 pF @ 15 V608 pF @ 10 V632 pF @ 10 V650 pF @ 6 V715 pF @ 6 V725 pF @ 15 V745 pF @ 10 V
FET 功能
-肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
317mW(Ta),8.33W(Tc)350mW(Ta)470mW(Ta)500mW(Ta)660mW(Ta)700mW(Ta)710mW(Ta)900mW(Ta)1W(Ta)1.1W(Ta)1.13W1.25W(Ta)1.5W(Ta)1.8W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
3-PICOSTAR4-MICRO FOOT®(0.8x0.8)6-覆晶(1x1.5)8-DFN3020B(3x2)8-DFN3020(3x2)DFN1010D-3PG-SOT223-4PG-SOT223-4-21SC-70-6SOT-223-3SOT-23SOT-23-3SOT-23-3(TO-236)SOT-23-6L
封装/外壳
3-SMD,SOT-23-3 变式3-XDFN 裸露焊盘3-XFDFN4-XFBGA6-PowerUDFN6-TSSOP,SC-88,SOT-3636-UFBGA,FCBGA8-VDFN 裸露焊盘SC-70,SOT-323SOT-23-6TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-261-4,TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
37结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 37
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
ZXMN3B14FTA
MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Diodes Incorporated
49,458
现货
1 : ¥5.06000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.92353
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.9A(Ta)
2.5V,4.5V
80 毫欧 @ 3.1A,4.5V
700mV @ 250µA(最小)
6.7 nC @ 4.5 V
±12V
568 pF @ 15 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2316DS-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Vishay Siliconix
11,731
现货
1 : ¥6.49000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.46822
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.9A(Ta)
4.5V,10V
50 毫欧 @ 3.4A,10V
800mV @ 250µA(最小)
7 nC @ 10 V
±20V
215 pF @ 15 V
-
700mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-223-4
BSP613PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4
Infineon Technologies
6,044
现货
1 : ¥10.02000
剪切带(CT)
1,000 : ¥4.40390
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2.9A(Ta)
10V
130 毫欧 @ 2.9A,10V
4V @ 1mA
33 nC @ 10 V
±20V
875 pF @ 25 V
-
1.8W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4,TO-261AA
3-Picostar
CSD13383F4
MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR
Texas Instruments
1,009,850
现货
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.61556
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
2.9A(Ta)
2.5V,4.5V
44 毫欧 @ 500mA,4.5V
1.25V @ 250µA
2.6 nC @ 4.5 V
±10V
291 pF @ 6 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-XFDFN
SOT-23-3
AO3435
MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
354,863
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.69755
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.9A(Ta)
1.5V,4.5V
70 毫欧 @ 3.5A,4.5V
1V @ 250µA
11 nC @ 4.5 V
±8V
745 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD,SOT-23-3 变式
SOT 23
SI2321-TP
MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT23
Micro Commercial Co
24,160
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.71241
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.9A(Ta)
4.5V
110 毫欧 @ 2.2A,10V
900mV @ 250µA
13 nC @ 4.5 V
±12V
715 pF @ 6 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
3-XFDFN Exposed Pad
PMXB75UPEZ
MOSFET P-CH 20V 2.9A DFN1010D-3
Nexperia USA Inc.
36,643
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
5,000 : ¥0.70809
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.9A(Ta)
1.2V,4.5V
85 毫欧 @ 2.9A,4.5V
1V @ 250µA
12 nC @ 4.5 V
±8V
608 pF @ 10 V
-
317mW(Ta),8.33W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN1010D-3
3-XDFN 裸露焊盘
SOT-223-3
ZXMN10A25GTA
MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
Diodes Incorporated
17,325
现货
1 : ¥9.85000
剪切带(CT)
1,000 : ¥4.34258
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
2.9A(Ta)
10V
125 毫欧 @ 2.9A,10V
4V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
859 pF @ 50 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4,TO-261AA
1,024
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.61576
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.9A(Ta)
4.5V,10V
110 毫欧 @ 2.9A,10V
2.1V @ 250µA
9.8 nC @ 10 V
±20V
396 pF @ 15 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-323
DMN2053UW-7
MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT323
Diodes Incorporated
76,604
现货
6,000
工厂
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.46355
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.9A(Ta)
1.5V,4.5V
56 毫欧 @ 2A,4.5V
1V @ 250µA
3.6 nC @ 4.5 V
±12V
369 pF @ 10 V
-
470mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
93,621
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.48722
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.9A(Ta)
4.5V,10V
110 毫欧 @ 2.9A,10V
2.1V @ 250µA
9.8 nC @ 10 V
±20V
396 pF @ 15 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 26
ZXMP4A57E6TA
MOSFET P-CH 40V 2.9A SOT26
Diodes Incorporated
4,826
现货
33,000
工厂
1 : ¥5.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.77210
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
2.9A(Ta)
4.5V,10V
80 毫欧 @ 4A,10V
3V @ 250µA
15.8 nC @ 10 V
±20V
833 pF @ 20 V
-
1.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-26
SOT-23-6
CSDxxxxF4T
CSD13383F4T
MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR
Texas Instruments
4,230
现货
1 : ¥7.14000
剪切带(CT)
250 : ¥4.48396
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
2.9A(Ta)
2.5V,4.5V
44 毫欧 @ 500mA,4.5V
1.25V @ 250µA
2.6 nC @ 4.5 V
±10V
291 pF @ 6 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-XFDFN
MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT
SI8819EDB-T2-E1
MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT
Vishay Siliconix
5,820
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.92259
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
2.9A(Ta)
1.5V,3.7V
80 毫欧 @ 1.5A,3.7V
900mV @ 250µA
17 nC @ 8 V
±8V
650 pF @ 6 V
-
900mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
4-MICRO FOOT®(0.8x0.8)
4-XFBGA
SOT 26
ZXMP4A57E6QTA
MOSFET BVDSS: 31V~40V SOT26 T&R
Diodes Incorporated
15,000
现货
294,000
工厂
3,000 : ¥2.25790
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
2.9A(Ta)
4.5V,10V
80 毫欧 @ 4A,10V
3V @ 250µA
15.8 nC @ 10 V
±20V
833 pF @ 20 V
-
1.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-26
SOT-23-6
U-DFN2020-6 Type E
DMN10H170SFDE-7
MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
Diodes Incorporated
2,853
现货
117,000
工厂
1 : ¥4.19000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.41256
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
2.9A(Ta)
4.5V,10V
160 毫欧 @ 5A,10V
3V @ 250µA
9.7 nC @ 10 V
±20V
1167 pF @ 25 V
-
660mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6(E 类)
6-PowerUDFN
BAS40-05
GSFC0403
MOSFET, P-CH, SINGLE, -2.90A, -4
Good-Ark Semiconductor
5,868
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.51341
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
2.9A(Ta)
4.5V,10V
68 毫欧 @ 2A,10V
2.5V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SSFT04N15
SSF6912
MOSFET, N-CHANNEL, 60V, 5A, SOT-
Good-Ark Semiconductor
5,983
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.77608
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2.9A(Ta)
4.5V,10V
75 毫欧 @ 2A,10V
2.5V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
725 pF @ 15 V
-
1W(Ta)
-50°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6L
SOT-23-6
SOT-223-4
BSP320SL6327HTSA1
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2.9A(Ta)
10V
120 毫欧 @ 2.9A,10V
4V @ 20µA
12 nC @ 10 V
±20V
340 pF @ 25 V
-
1.8W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223-4-21
TO-261-4,TO-261AA
SOT-323
DMN2053UWQ-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
10,000 : ¥0.52667
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.9A(Ta)
1.5V,4.5V
56 毫欧 @ 2A,4.5V
1V @ 250µA
3.6 nC @ 4.5 V
±12V
369 pF @ 10 V
-
470mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
0
现货
40,000
工厂
查看交期
10,000 : ¥0.54525
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.9A(Ta)
1.5V,4.5V
56 毫欧 @ 2A,4.5V
1V @ 250µA
3.6 nC @ 4.5 V
±12V
369 pF @ 10 V
-
470mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT-323
DMN2053UWQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
3,000 : ¥0.63694
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.9A(Ta)
1.5V,4.5V
56 毫欧 @ 2A,4.5V
1V @ 250µA
3.6 nC @ 4.5 V
±12V
369 pF @ 10 V
-
470mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
U-DFN2020-6 Type E
DMN10H170SFDE-13
MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
Diodes Incorporated
0
现货
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10,000 : ¥1.24496
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
2.9A(Ta)
4.5V,10V
160 毫欧 @ 5A,10V
3V @ 250µA
9.7 nC @ 10 V
±20V
1167 pF @ 25 V
-
660mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6(E 类)
6-PowerUDFN
8-VDFN
DMS2120LFWB-7
MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN
Diodes Incorporated
0
现货
78,000
工厂
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3,000 : ¥1.34896
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.9A(Ta)
1.8V,4.5V
95 毫欧 @ 2.8A,4.5V
1.3V @ 250µA
-
±12V
632 pF @ 10 V
肖特基二极管(隔离式)
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-DFN3020B(3x2)
8-VDFN 裸露焊盘
SOT-23-3
SI2316DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Vishay Siliconix
0
现货
3,000 : ¥2.12677
卷带(TR)
卷带(TR)
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.9A(Ta)
4.5V,10V
50 毫欧 @ 3.4A,10V
800mV @ 250µA(最小)
7 nC @ 10 V
±20V
215 pF @ 15 V
-
700mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
显示
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2.9A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。