DMN10H170SFDE-13 可以购买了，但通常没有现货。
可用替代品:

参数等效

DMN10H170SFDE-7
Diodes Incorporated
现货: 2,853
单价: ¥4.19000
规格书
查看所有替代品并进行比较

DMN10H170SFDE-13

DigiKey 零件编号
DMN10H170SFDE-13DI-ND - 卷带（TR）
制造商
Diodes Incorporated
制造商产品编号
DMN10H170SFDE-13
描述
MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
原厂标准交货期
28 周
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 100 V 2.9A（Ta） 660mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
160 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9.7 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1167 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
660mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
U-DFN2020-6（E 类）
封装/外壳
6-PowerUDFN
基本产品编号
DMN10
数量
所有价格均以 CNY 计算
卷带（TR）
数量 单价
(含13%增值税)
总价
(含13%增值税)
10,000¥1.24496¥12,449.60
30,000¥1.21623¥36,486.90
50,000¥1.18522¥59,261.00
制造商标准包装