13A（Tc）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

IPD78CN10NGATMA1 MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3 Infineon Technologies	13,763 现货	1 : ¥7.55000 剪切带（CT） 2,500 : ¥2.86404 卷带（TR）	OptiMOS™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	13A（Tc）	10V	78 毫欧 @ 13A，10V	4V @ 12µA	11 nC @ 10 V	±20V	716 pF @ 50 V	-	31W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TO252-3	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SQJ454EP-T1_GE3 MOSFET N-CH 200V 13A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	8,480 现货	1 : ¥10.34000 剪切带（CT） 3,000 : ¥4.27247 卷带（TR）	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	13A（Tc）	4.5V，10V	145 毫欧 @ 7.5A，10V	2.5V @ 250µA	85 nC @ 10 V	±20V	2600 pF @ 25 V	-	68W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
BSZ900N15NS3GATMA1 MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON Infineon Technologies	13,667 现货	1 : ¥11.33000 剪切带（CT） 5,000 : ¥4.46677 卷带（TR）	OptiMOS™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	150 V	13A（Tc）	8V，10V	90 毫欧 @ 10A，10V	4V @ 20µA	7 nC @ 10 V	±20V	510 pF @ 75 V	-	38W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TSDSON-8	8-PowerTDFN
IRFR6215TRPBF MOSFET P-CH 150V 13A DPAK Infineon Technologies	12,520 现货	1 : ¥11.49000 剪切带（CT） 2,000 : ¥4.76594 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	150 V	13A（Tc）	10V	295 毫欧 @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	66 nC @ 10 V	±20V	860 pF @ 25 V	-	110W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRFR5410TRPBF MOSFET P-CH 100V 13A DPAK Infineon Technologies	14,295 现货	1 : ¥11.58000 剪切带（CT） 2,000 : ¥4.78063 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	13A（Tc）	10V	205 毫欧 @ 7.8A，10V	4V @ 250µA	58 nC @ 10 V	±20V	760 pF @ 25 V	-	66W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
STL6N3LLH6 MOSFET N-CH 30V POWERFLAT STMicroelectronics	2,386 现货	1 : ¥6.16000 剪切带（CT） 3,000 : ¥2.34298 卷带（TR）	DeepGATE™, STripFET™ VI	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	13A（Tc）	4.5V，10V	25 毫欧 @ 3A，10V	1V @ 250µA（最小）	3.6 nC @ 4.5 V	±20V	283 pF @ 24 V	-	2.4W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PowerFlat™（2x2）	6-PowerWDFN
SI4835DDY-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 13A 8SO Vishay Siliconix	8,686 现货	1 : ¥9.69000 剪切带（CT） 2,500 : ¥4.01102 卷带（TR）	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	13A（Tc）	4.5V，10V	18 毫欧 @ 10A，10V	3V @ 250µA	65 nC @ 10 V	±25V	1960 pF @ 15 V	-	2.5W（Ta），5.6W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-SOIC	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
SI4835DDY-T1-E3 MOSFET P-CH 30V 13A 8SO Vishay Siliconix	5,364 现货	1 : ¥9.69000 剪切带（CT） 2,500 : ¥4.01102 卷带（TR）	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	13A（Tc）	4.5V，10V	18 毫欧 @ 10A，10V	3V @ 250µA	65 nC @ 10 V	±25V	1960 pF @ 15 V	-	2.5W（Ta），5.6W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-SOIC	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
SQJ454EP-T1_BE3 N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE Vishay Siliconix	5,400 现货	1 : ¥10.34000 剪切带（CT） 3,000 : ¥4.27247 卷带（TR）	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	13A（Tc）	4.5V，10V	145 毫欧 @ 7.5A，10V	2.5V @ 250µA	85 nC @ 10 V	±20V	2600 pF @ 25 V	-	68W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
STD10NF10T4 MOSFET N-CH 100V 13A DPAK STMicroelectronics	11,990 现货	1 : ¥10.67000 剪切带（CT） 2,500 : ¥4.42753 卷带（TR）	STripFET™ II	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	13A（Tc）	10V	130 毫欧 @ 5A，10V	4V @ 250µA	21 nC @ 10 V	±20V	460 pF @ 25 V	-	50W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRFR6215TRLPBF MOSFET P-CH 150V 13A DPAK Infineon Technologies	3,728 现货	1 : ¥11.49000 剪切带（CT） 3,000 : ¥4.76594 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	150 V	13A（Tc）	10V	295 毫欧 @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	66 nC @ 10 V	±20V	860 pF @ 25 V	-	110W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IPLK60R360PFD7ATMA1 MOSFET N-CH 600V 13A THIN-PAK Infineon Technologies	8,719 现货	1 : ¥12.31000 剪切带（CT） 5,000 : ¥4.84079 卷带（TR）	CoolMOS™ PFD7	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	13A（Tc）	10V	360 毫欧 @ 2.9A，10V	4.5V @ 140µA	12.7 nC @ 10 V	±20V	534 pF @ 400 V	-	74W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TDSON-8-52	8-PowerTDFN
IPP50R280CEXKSA1 MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3 Infineon Technologies	460 现货	1 : ¥12.40000 管件	CoolMOS™	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	13A（Tc）	13V	280 毫欧 @ 4.2A，13V	3.5V @ 350µA	32.6 nC @ 10 V	±20V	773 pF @ 100 V	-	92W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO220-3-1	TO-220-3
STP18N60M2 MOSFET N-CH 600V 13A TO220 STMicroelectronics	393 现货	1 : ¥17.90000 管件	MDmesh™ II Plus	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	13A（Tc）	10V	280 毫欧 @ 6.5A，10V	4V @ 250µA	21.5 nC @ 10 V	±25V	791 pF @ 100 V	-	110W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220	TO-220-3
STB18N60M2 MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK STMicroelectronics	2,776 现货	1 : ¥19.46000 剪切带（CT） 1,000 : ¥9.22837 卷带（TR）	MDmesh™ II Plus	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	13A（Tc）	10V	280 毫欧 @ 6.5A，10V	4V @ 250µA	21.5 nC @ 10 V	±25V	791 pF @ 100 V	-	110W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
STF18N60M2 N-channel 600 V, 0.255 Ohm typ., STMicroelectronics	167 现货	1 : ¥19.54000 管件	MDmesh™ II Plus	管件	Digi-Key 停止提供	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	13A（Tc）	10V	280 毫欧 @ 6.5A，10V	4V @ 250µA	21.5 nC @ 10 V	±25V	791 pF @ 100 V	-	25W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220FP	TO-220-3 整包
IPD65R190C7ATMA1 MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3 Infineon Technologies	6,131 现货	1 : ¥22.41000 剪切带（CT） 2,500 : ¥10.89489 卷带（TR）	CoolMOS™ C7	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	13A（Tc）	10V	190 毫欧 @ 5.7A，10V	4V @ 290µA	23 nC @ 10 V	±20V	1150 pF @ 400 V	-	72W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PG-TO252-3	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IPP60R180C7XKSA1 MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3 Infineon Technologies	519 现货	1 : ¥23.56000 管件	CoolMOS™ C7	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	13A（Tc）	10V	180 毫欧 @ 5.3A，10V	4V @ 260µA	24 nC @ 10 V	±20V	1080 pF @ 400 V	-	68W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO220-3-1	TO-220-3
IPP65R190C7FKSA1 MOSFET N-CH 650V 13A TO220-3 Infineon Technologies	497 现货	1 : ¥23.56000 管件	CoolMOS™ C7	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	13A（Tc）	10V	190 毫欧 @ 5.7A，10V	4V @ 290µA	23 nC @ 10 V	±20V	1150 pF @ 400 V	-	72W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO220-3	TO-220-3
TP65H150G4LSG-TR 650 V 13 A GAN FET Transphorm	5,887 现货	1 : ¥39.57000 剪切带（CT） 3,000 : ¥19.25273 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	GaNFET（氮化镓）	650 V	13A（Tc）	10V	180 毫欧 @ 8.5A，10V	4.8V @ 500µA	8 nC @ 10 V	±20V	598 pF @ 400 V	-	52W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	3-PQFN（8x8）	3-PowerTDFN
TP65H150G4LSG GAN FET N-CH 650V PQFN Transphorm	2,834 现货	1 : ¥41.54000 剪切带（CT） 3,000 : ¥19.25273 托盘	-	剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带托盘	在售	N 通道	GaNFET（氮化镓）	650 V	13A（Tc）	10V	180 毫欧 @ 8.5A，10V	4.8V @ 500µA	8 nC @ 10 V	±20V	598 pF @ 400 V	-	52W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	3-PQFN（8x8）	3-PowerTDFN
IMW120R220M1HXKSA1 SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3 Infineon Technologies	1,263 现货	1 : ¥54.59000 管件	CoolSiC™	管件	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	1200 V	13A（Tc）	15V，18V	286 毫欧 @ 4A，18V	5.7V @ 1.6mA	8.5 nC @ 18 V	+23V，-7V	289 pF @ 800 V	-	75W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO247-3-41	TO-247-3
IRFU5410PBF MOSFET P-CH 100V 13A IPAK Infineon Technologies	4,372 现货	1 : ¥10.67000 管件	HEXFET®	管件	不适用于新设计	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	13A（Tc）	10V	205 毫欧 @ 7.8A，10V	4V @ 250µA	58 nC @ 10 V	±20V	760 pF @ 25 V	-	66W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	IPAK（TO-251AA）	TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
SIHD14N60E-GE3 MOSFET N-CH 600V 13A DPAK Vishay Siliconix	306 现货	1 : ¥18.14000 管件	E	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	13A（Tc）	10V	309 毫欧 @ 7A，10V	4V @ 250µA	64 nC @ 10 V	±30V	1205 pF @ 100 V	-	147W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
STD18N60M6 MOSFET N-CH 600V 13A DPAK STMicroelectronics	1,637 现货	1 : ¥18.31000 剪切带（CT） 2,500 : ¥8.27072 卷带（TR）	MDmesh™ M6	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	13A（Tc）	10V	280 毫欧 @ 6.5A，10V	4.75V @ 250µA	16.8 nC @ 10 V	±25V	650 pF @ 100 V	-	110W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252（DPAK）	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63