12A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 154
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpDiodes IncorporatedEPCInfineon TechnologiesMicro Commercial CoNexperia USA Inc.onsemiPanasonic Electronic ComponentsPanjit International Inc.Renesas Electronics CorporationRohm SemiconductorSanken Electric USA Inc.Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-AlphaSGT™DTMOSIIeGaN®HEXFET®OptiMOS™PowerTrench®SuperFET® IITrenchFET®TrenchMOS™U-MOSIX-HU-MOSV-HU-MOSVIUMW
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
5.5 V12 V20 V25 V30 V33 V40 V60 V100 V150 V200 V250 V450 V500 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.2V,4.5V1.5V,4.5V1.8V,4.5V2.5V,10V2.5V,4.5V2.8V,10V3.5V,4.5V4V,10V4.5V,10V4.5V,20V5V5V,20V6V,10V6V,20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.4 毫欧 @ 12A,4.5V6.4 毫欧 @ 16A,10V6.5 毫欧 @ 12A,10V6.5 毫欧 @ 21A,10V6.6 毫欧 @ 16.5A,10V6.8 毫欧 @ 15A,10V7 毫欧 @ 16A,10V7 毫欧 @ 19A,10V7 毫欧 @ 6A,10V7.5 毫欧 @ 19A,10V7.7 毫欧 @ 19A,4.5V8 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
800mV @ 250µA900mV @ 250µA1V @ 1mA1V @ 250mA1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.4V @ 250µA1.6V @ 250µA2V @ 1mA2V @ 250µA2V @ 45µA2V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
6 nC @ 3.5 V6 nC @ 4.5 V7.5 nC @ 4.5 V7.5 nC @ 5 V8.1 nC @ 4.5 V9.4 nC @ 10 V10 nC @ 10 V10.2 nC @ 4.5 V12.2 nC @ 10 V14 nC @ 10 V14.7 nC @ 10 V14.9 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±5.5V+6V,-4V+6V,-5V±6V±8V±10V±12V±15V20V±20V±25V30V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
440 pF @ 25 V450 pF @ 25 V500 pF @ 25 V540 pF @ 100 V542 pF @ 15 V550 pF @ 25 V570 pF @ 20 V590 pF @ 15 V600 pF @ 15 V700 pF @ 25 V720 pF @ 10 V750 pF @ 25 V
FET 功能
-肖特基二极管(体)
功率耗散(最大值)
800mW(Ta)890mW(Ta)910mW(Ta)1W(Ta)1W(Ta),15W(Tc)1.25W(Ta)1.28W(Ta),56.6W(Tc)1.4W(Ta)1.5W(Ta)1.5W(Ta),48W(Tj)1.56W(Ta)1.6W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 125°C(TJ)150°C150°C(TJ)175°C-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
6-MicroFET(2x2)6-PQFN(2x2)6-TSOP-F6-UDFNB(2x2)6-WLCSP(1.47x1.47)8-DFN(5x6)8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道-非对称)8-ECH8-HSMT(3.2x3)8-HSOP8-PQFN(3.3x3.3),Power338-SO
封装/外壳
4-PowerTSFN6-PowerWDFN6-PowerXDFN6-SMD,扁平引线6-SMD,无引线6-UDFN 裸露焊盘6-WDFN 裸露焊盘8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-SMD,扁平引线8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
154结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 154
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
HSOP8
RS1G120MNTB
MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
Rohm Semiconductor
19,498
现货
1 : ¥4.55000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.53816
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)40 V12A(Ta)4.5V,10V16.2 毫欧 @ 12A,10V2.5V @ 1mA9.4 nC @ 10 V±20V570 pF @ 20 V-3W(Ta),25W(Tc)150°C(TJ)--表面贴装型8-HSOP8-PowerTDFN
24,246
现货
1 : ¥5.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.10617
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V12A(Ta)6V,20V11 毫欧 @ 12A,20V3V @ 250µA39 nC @ 10 V±25V2600 pF @ 15 V-3.1W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
6-WFDFN Exposed Pad
FDMA908PZ
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
onsemi
35,891
现货
1 : ¥6.83000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.60578
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖P 通道MOSFET(金属氧化物)12 V12A(Ta)1.8V,4.5V12.5 毫欧 @ 12A,4.5V1V @ 250µA34 nC @ 4.5 V±8V3957 pF @ 6 V-2.4W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-MicroFET(2x2)6-WDFN 裸露焊盘
IRF7855TRPBF
MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Infineon Technologies
14,685
现货
1 : ¥14.23000
剪切带(CT)
4,000 : ¥6.40506
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V12A(Ta)10V9.4 毫欧 @ 12A,10V4.9V @ 100µA39 nC @ 10 V±20V1560 pF @ 25 V-2.5W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SO8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
76,217
现货
1 : ¥3.58000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.21113
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V12A(Ta)4.5V,10V11 毫欧 @ 12A,10V2.3V @ 250µA15 nC @ 10 V±20V542 pF @ 15 V-2.5W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
18,440
现货
1 : ¥3.74000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.24747
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)40 V12A(Ta)4.5V,10V11.6 毫欧 @ 4A,10V2.4V @ 100µA7.5 nC @ 4.5 V±20V1110 pF @ 20 V-2.5W(Ta)150°C--表面贴装型6-UDFNB(2x2)6-WDFN 裸露焊盘
2,599
现货
1 : ¥3.98000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.33226
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)12 V12A(Ta)1.2V,4.5V12 毫欧 @ 4A,4.5V1V @ 1mA37.6 nC @ 4.5 V±6V2700 pF @ 10 V-1.25W(Ta)150°C(TJ)--表面贴装型6-UDFNB(2x2)6-WDFN 裸露焊盘
8-HSMT
RQ3E120GNTB
MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
Rohm Semiconductor
13,560
现货
1 : ¥4.06000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.38069
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V12A(Ta)4.5V,10V8.8 毫欧 @ 12A,10V2.5V @ 1mA10 nC @ 10 V±20V590 pF @ 15 V-2W(Ta),16W(Tc)150°C(TJ)--表面贴装型8-HSMT(3.2x3)8-PowerVDFN
PowerPAK 1212-8
SI7121ADN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
9,392
现货
1 : ¥4.88000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.84873
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V12A(Ta)4.5V,10V15 毫欧 @ 7A,10V2.5V @ 250µA50 nC @ 10 V±25V1870 pF @ 15 V-3.5W(Ta),27.8W(Tc)-50°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8
8-SOP
PJL9415_R2_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
1,739
现货
1 : ¥5.12000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.93767
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V12A(Ta)4.5V,10V9.5 毫欧 @ 12A,10V2.5V @ 250µA26 nC @ 4.5 V±20V3168 pF @ 15 V-1.7W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOP8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
ESD2V8P8U-TP
MCQ4407B-TP
MOSFET P-CH 30V 12A 8SOP
Micro Commercial Co
18,158
现货
1 : ¥5.28000
剪切带(CT)
4,000 : ¥1.77676
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V12A(Ta)4.5V,20V10.5 毫欧 @ 12A,20V2.8V @ 250µA29.8 nC @ 10 V±25V2050 pF @ 15 V-3.2W(Tj)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOP8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8 SO
DMN2009LSS-13
MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP
Diodes Incorporated
1,451
现货
1 : ¥5.85000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.21148
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V12A(Ta)2.5V,10V8 毫欧 @ 12A,10V1.2V @ 250µA58.3 nC @ 10 V±12V2555 pF @ 10 V-2W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SO8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-HSMT
RQ3E120ATTB
MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT
Rohm Semiconductor
20,943
现货
1 : ¥6.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.28167
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V12A(Ta)4.5V,10V8 毫欧 @ 12A,10V2.5V @ 1mA62 nC @ 10 V±20V3200 pF @ 15 V-2W(Ta)150°C(TJ)--表面贴装型8-HSMT(3.2x3)8-PowerVDFN
8 SO
DMP3020LSS-13
MOSFET P-CH 30V 12A 8SOP
Diodes Incorporated
6,348
现货
255,000
工厂
1 : ¥6.18000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.33434
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V12A(Ta)4.5V,10V14 毫欧 @ 8A,10V2V @ 250µA30.7 nC @ 10 V±25V1802 pF @ 15 V-2.5W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SO8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF9388TRPBF
MOSFET P-CH 30V 12A 8SO
Infineon Technologies
35,652
现货
1 : ¥6.91000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.62919
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V12A(Ta)10V,20V8.5 毫欧 @ 12A,20V2.4V @ 25µA52 nC @ 10 V±25V1680 pF @ 25 V-2.5W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SO8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
9,931
现货
1 : ¥7.56000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.11587
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V12A(Ta)4.5V,10V11 毫欧 @ 12A,10V2.6V @ 250µA35 nC @ 10 V±20V1725 pF @ 50 V-3.1W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
DPAK_369C
NTD3055-094T4G
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
onsemi
1,588
现货
1 : ¥7.64000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.89130
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V12A(Ta)10V94 毫欧 @ 6A,10V4V @ 250µA20 nC @ 10 V±20V450 pF @ 25 V-1.5W(Ta),48W(Tj)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
DPAK_369C
NTD3055L104T4G
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
onsemi
830
现货
1 : ¥8.37000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.44988
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V12A(Ta)5V104 毫欧 @ 6A,5V2V @ 250µA20 nC @ 5 V±15V440 pF @ 25 V-1.5W(Ta),48W(Tj)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
BSO201SPHXUMA1
MOSFET P-CH 20V 12A 8DSO
Infineon Technologies
8,186
现货
1 : ¥12.85000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.80224
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V12A(Ta)2.5V,4.5V8 毫欧 @ 14.9A,4.5V1.2V @ 250µA88 nC @ 4.5 V±12V9600 pF @ 15 V-1.6W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PG-DSO-88-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
U-DFN2020-6 Type F
DMN3016LFDF-7
MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN
Diodes Incorporated
22,550
现货
138,000
工厂
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.27680
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V12A(Ta)4.5V,10V12 毫欧 @ 11A,10V2V @ 250µA25.1 nC @ 10 V±20V1415 pF @ 15 V-2.02W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型U-DFN2020-6(F 类)6-UDFN 裸露焊盘
6-DFN2020MD_View 2
PMPB08R4VPX
MOSFET P-CH 12V 12A DFN2020M-6
Nexperia USA Inc.
3,640
现货
1 : ¥4.15000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.39887
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)12 V12A(Ta)-9.6 毫欧 @ 12A,4.5V900mV @ 250µA40 nC @ 4.5 V±8V2200 pF @ 6 V-1.9W(Ta),12.5W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型DFN2020MD-66-UDFN 裸露焊盘
6-DFN2020MD_View 2
PMPB07R3ENX
PMPB07R3EN/SOT1220-2/DFN2020M-
Nexperia USA Inc.
3,181
现货
1 : ¥4.31000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.44974
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V12A(Ta)4.5V,10V8.6 毫欧 @ 12A,10V2.2V @ 250µA19 nC @ 10 V±20V914 pF @ 15 V-1.9W(Ta),12.5W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型DFN2020M-66-UDFN 裸露焊盘
PowerPAK SO-8
SI7386DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
32,706
现货
1 : ¥8.94000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.76512
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V12A(Ta)4.5V,10V7 毫欧 @ 19A,10V2.5V @ 250µA18 nC @ 4.5 V±20V--1.8W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PowerPAK® SO-8PowerPAK® SO-8
DPAK_369C
SVD2955T4G
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
onsemi
2,465
现货
1 : ¥8.94000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.70318
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)60 V12A(Ta)10V180 毫欧 @ 6A,10V4V @ 250µA30 nC @ 10 V±20V750 pF @ 25 V-55W(Tj)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8-SOIC
SI4874BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Vishay Siliconix
7,189
现货
1 : ¥10.89000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.51580
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V12A(Ta)4.5V,10V7 毫欧 @ 16A,10V3V @ 250µA25 nC @ 4.5 V±20V3230 pF @ 15 V-1.6W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
显示
/ 154

12A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。