Name: RQ3E120GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E120GNTBTR-ND
Price: 4.1 CNY
Availability: InStock

RQ3E120GNTB
DigiKey 零件编号	RQ3E120GNTBTR-ND - 卷带（TR） RQ3E120GNTBCT-ND - 剪切带（CT） RQ3E120GNTBDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Rohm Semiconductor
制造商产品编号	RQ3E120GNTB
描述	MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
原厂标准交货期	21 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 30 V 12A（Ta） 2W（Ta），16W（Tc） 8-HSMT（3.2x3）
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	RQ3E120GNTB 型号

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Rohm Semiconductor
系列	-
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	12A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	8.8 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	10 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	590 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2W（Ta），16W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-HSMT（3.2x3）
封装/外壳	8-PowerVDFN
基本产品编号	RQ3E120

RQ3E120GNTB