10A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 188
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpDiodes IncorporatedEPCInfineon TechnologiesMicro Commercial CoNexperia USA Inc.onsemiPanasonic Electronic ComponentsPanjit International Inc.Renesas Electronics CorporationRohm SemiconductorSTMicroelectronicsTaiwan Semiconductor Corporation
系列
-eGaN®HEXFET®NexFET™OptiMOS™PowerTrench®PowerTrench®, SyncFET™SDMOS™STripFET™ F6STripFET™ H6TrenchFET®U-MOSIV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
8 V12 V20 V30 V33 V40 V60 V80 V100 V150 V200 V250 V450 V500 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V1.8V,4.5V1.8V,8V2.5V,10V2.5V,4.5V2.8V,10V4V,10V4.5V4.5V,10V5V6V,10V7V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5.1 毫欧 @ 7.5A,10V6.5 毫欧 @ 14A,4.5V7.5 毫欧 @ 14A,4.5V7.75 毫欧 @ 14A,4.5V8.25 毫欧 @ 14A,4.5V8.5 毫欧 @ 14A,10V8.5 毫欧 @ 15A,10V8.75 毫欧 @ 14A,4.5V9 毫欧 @ 14A,10V9.1 毫欧 @ 13A,10V10 毫欧 @ 10A,10V10 毫欧 @ 2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
800mV @ 850µA900mV @ 250µA900mV @ 600µA1V @ 1mA1V @ 250µA1V @ 250µA(最小)1.1V @ 250µA1.2V @ 1mA1.2V @ 200µA1.2V @ 250µA1.4V @ 1mA1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
2.2 nC @ 5 V2.5 nC @ 5 V2.8 nC @ 5 V6.9 nC @ 4.5 V7.1 nC @ 4.5 V7.2 nC @ 4.5 V7.5 nC @ 4.5 V7.9 nC @ 10 V8 nC @ 4.5 V8.4 nC @ 10 V8.4 nC @ 4.5 V8.5 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
-8V-6V+6V,-4V+6V,-5V±8V+10V,-20V±10V±12V±16V+20V,-25V20V±20V±25V30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
238 pF @ 40 V300 pF @ 20 V325 pF @ 20 V410 pF @ 10 V420 pF @ 15 V430 pF @ 25 V448 pF @ 15 V478.9 pF @ 15 V493.5 pF @ 15 V520 pF @ 15 V530 pF @ 20 V543 pF @ 10 V
FET 功能
-肖特基二极管(体)
功率耗散(最大值)
550mW(Ta)650mW(Ta)730mW(Ta)810mW(Ta)890mW(Ta)900mW(Ta)1W(Ta)1W(Ta),15W(Tc)1W(Ta),52W(Tc)1.1W(Ta)1.25W(Ta)1.39W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C150°C(TJ)175°C175°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
6-MicroFET(2x2)6-TSOP-F6-UDFNB(2x2)6-WDFN(2x2)8-DFN(3x2)8-ECH8-HSMT(3.2x3)8-PQFN(3.3x3.3),Power338-SO8-SOIC8-SOP Advance(5x5)8-SOP
封装/外壳
6-PowerUDFN6-SMD,扁平引线6-UDFN 裸露焊盘6-WDFN 裸露焊盘8-LSOP(0.130",3.30mm 宽)8-PowerDFN8-PowerSOIC(0.173",4.40mm 宽)8-PowerTDFN8-PowerUDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFN8-SMD,扁平引线
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
188结果
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/ 188
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-HSMT
RQ3E100BNTB
MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
Rohm Semiconductor
83,087
现货
此产品有最大采购数量限制
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.12515
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
10A(Ta)
4.5V,10V
10.4 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 1mA
22 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 15 V
-
2W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HSMT(3.2x3)
8-PowerVDFN
41,975
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.18666
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
10A(Ta)
4V,10V
20 毫欧 @ 4A,10V
2.2V @ 250µA
20.4 nC @ 4.5 V
+20V,-25V
1150 pF @ 15 V
-
1.25W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-UDFNB(2x2)
6-WDFN 裸露焊盘
U-DFN2020-6 Type E
DMN3016LFDE-7
MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN
Diodes Incorporated
17,380
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.96022
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
10A(Ta)
4.5V,10V
12 毫欧 @ 11A,10V
2V @ 250µA
25.1 nC @ 10 V
±20V
1415 pF @ 15 V
-
730mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6(E 类)
6-PowerUDFN
190,561
现货
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.68773
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
10A(Ta)
4.5V,10V
10 毫欧 @ 10A,10V
3V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
1950 pF @ 20 V
-
1.7W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8,692
现货
1 : ¥7.31000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.76477
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
10A(Ta)
4.5V,10V
15 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
3000 pF @ 20 V
-
1.7W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF7416TRPBF
MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Infineon Technologies
49,025
现货
1 : ¥7.96000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.28670
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
10A(Ta)
4.5V,10V
20 毫欧 @ 5.6A,10V
1V @ 250µA
92 nC @ 10 V
±20V
1700 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SOT-223 (TO-261)
NTF6P02T3G
MOSFET P-CH 20V 10A SOT223
onsemi
36,960
现货
1 : ¥11.00000
剪切带(CT)
4,000 : ¥4.55315
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
10A(Ta)
2.5V,4.5V
50 毫欧 @ 6A,4.5V
1V @ 250µA
20 nC @ 4.5 V
±8V
1200 pF @ 16 V
-
8.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223(TO-261)
TO-261-4,TO-261AA
eGaN Series
EPC2014C
GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
EPC
49,898
现货
1 : ¥13.13000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.43255
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
40 V
10A(Ta)
5V
16 毫欧 @ 10A,5V
2.5V @ 2mA
2.5 nC @ 5 V
+6V,-4V
300 pF @ 20 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
模具
模具
8-SOIC
SI4421DY-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
Vishay Siliconix
5,999
现货
1 : ¥16.58000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.47451
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
10A(Ta)
1.8V,4.5V
8.75 毫欧 @ 14A,4.5V
800mV @ 850µA
125 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
SI4423DY-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
Vishay Siliconix
3,306
现货
1 : ¥21.02000
剪切带(CT)
2,500 : ¥9.48377
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
10A(Ta)
1.8V,4.5V
7.5 毫欧 @ 14A,4.5V
900mV @ 600µA
175 nC @ 5 V
±8V
-
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-HSMT
RQ3G100GNTB
MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT
Rohm Semiconductor
107,528
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.21088
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
10A(Ta)
4.5V,10V
14.3 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 1mA
8.4 nC @ 10 V
±20V
615 pF @ 20 V
-
2W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HSMT(3.2x3)
8-PowerVDFN
8 SO
DMG4496SSS-13
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Diodes Incorporated
18,131
现货
37,500
工厂
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
2,500 : ¥0.98098
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
10A(Ta)
4.5V,10V
21.5 毫欧 @ 10A,10V
2V @ 250µA
10.2 nC @ 10 V
±25V
493.5 pF @ 15 V
-
1.42W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8 SO
DMG4466SSS-13
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Diodes Incorporated
11,896
现货
17,500
工厂
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
2,500 : ¥0.98098
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
10A(Ta)
4.5V,10V
23 毫欧 @ 10A,10V
2.4V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±25V
478.9 pF @ 15 V
-
1.42W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
26,624
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.99467
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
10A(Ta)
1.8V,8V
16.2 毫欧 @ 4A,8V
1V @ 1mA
19.5 nC @ 4.5 V
±10V
1400 pF @ 6 V
-
1.25W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-UDFNB(2x2)
6-WDFN 裸露焊盘
2,846
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.01985
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
10A(Ta)
1.5V,4.5V
15.3 毫欧 @ 4A,4.5V
1V @ 1mA
29.9 nC @ 4.5 V
±8V
2600 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-UDFNB(2x2)
6-WDFN 裸露焊盘
TO-252-2
DMG4800LK3-13
MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3
Diodes Incorporated
2,706
现货
7,500
工厂
1 : ¥4.76000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.60578
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
10A(Ta)
4.5V,10V
17 毫欧 @ 9A,10V
1.6V @ 250µA
8.7 nC @ 5 V
±25V
798 pF @ 10 V
-
1.71W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
6-TSOP-F
SSM6K819R,LF
N-CH MOSFET, 100 V, 10 A, 0.0258
Toshiba Semiconductor and Storage
9,153
现货
1 : ¥5.17000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.97186
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
10A(Ta)
4.5V,10V
25.8 毫欧 @ 4A,10V
2.5V @ 100µA
8.5 nC @ 4.5 V
±20V
1110 pF @ 15 V
-
1.5W(Ta)
175°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSOP-F
6-SMD,扁平引线
5,774
现货
1 : ¥5.58000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.13236
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
10A(Ta)
4.5V,10V
13 毫欧 @ 5A,10V
2V @ 500µA
64 nC @ 10 V
+20V,-25V
2580 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8 SO
DMP2022LSS-13
MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP
Diodes Incorporated
36,143
现货
317,500
工厂
1 : ¥5.91000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.23311
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
10A(Ta)
2.5V,10V
13 毫欧 @ 10A,10V
1.1V @ 250µA
56.9 nC @ 10 V
±12V
2444 pF @ 10 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
6-TSOP-F
SSM6K819R,LXHF
AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Toshiba Semiconductor and Storage
6,595
现货
1 : ¥7.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.29449
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
10A(Ta)
4.5V,10V
25.8 毫欧 @ 4A,10V
2.5V @ 100µA
8.5 nC @ 4.5 V
±20V
1110 pF @ 15 V
-
1.5W(Ta)
175°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSOP-F
6-SMD,扁平引线
RB098BM-40FNSTL
RD3L01BATTL1
PCH -60V -10A POWER MOSFET - RD3
Rohm Semiconductor
4,105
现货
1 : ¥9.11000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.78014
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
10A(Ta)
4.5V,10V
84 毫欧 @ 10A, 10V
2.5V @ 1mA
15.2 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 30 V
-
26W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
718
现货
1 : ¥9.77000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
10A(Ta)
10V
750 毫欧 @ 5A,10V
4V @ 1mA
30 nC @ 10 V
±30V
1130 pF @ 300 V
-
40W(Tc)
150°C
-
-
通孔
TO-220SIS
TO-220-3 整包
SOT-223 (TO-261)
NVF6P02T3G
MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
onsemi
6,162
现货
120,000
工厂
1 : ¥10.02000
剪切带(CT)
4,000 : ¥4.15703
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
10A(Ta)
2.5V,4.5V
50 毫欧 @ 6A,4.5V
1V @ 250µA
20 nC @ 4.5 V
±8V
1200 pF @ 16 V
-
8.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223(TO-261)
TO-261-4,TO-261AA
6-WDFN Exposed Pad
FDMA905P
MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET
onsemi
13,677
现货
1 : ¥10.75000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.45809
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
10A(Ta)
1.8V,4.5V
16 毫欧 @ 10A,4.5V
1V @ 250µA
29 nC @ 6 V
±8V
3405 pF @ 6 V
-
2.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-MicroFET(2x2)
6-WDFN 裸露焊盘
8-SOIC
FDS6575
MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
onsemi
6,581
现货
1 : ¥11.25000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.65276
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
10A(Ta)
2.5V,4.5V
13 毫欧 @ 10A,4.5V
1.5V @ 250µA
74 nC @ 4.5 V
±8V
4951 pF @ 10 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
显示
/ 188

10A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。