Name: NVF6P02T3G
Brand: onsemi
SKU: NVF6P02T3GOSTR-ND
Price: 10.02 CNY
Availability: InStock

NVF6P02T3G
DigiKey 零件编号	NVF6P02T3GOSTR-ND - 卷带（TR） NVF6P02T3GOSCT-ND - 剪切带（CT） NVF6P02T3GOSDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	onsemi
制造商产品编号	NVF6P02T3G
描述	MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 P 通道 20 V 10A（Ta） 8.3W（Ta） SOT-223（TO-261）
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	NVF6P02T3G 型号

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	onsemi
系列	-
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	不适用于新设计
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	10A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	50 毫欧 @ 6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	20 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1200 pF @ 16 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	8.3W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
等级	汽车级
资质	AEC-Q101
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	SOT-223（TO-261）
封装/外壳	TO-261-4，TO-261AA
基本产品编号	NVF6P02