单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedGeneSiC SemiconductorInfineon Technologies
系列
-AlphaMOSG3R™OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
30 V60 V100 V1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.5A（Ta）21A（Tc）25A（Ta），28A（Tc）180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.5 毫欧 @ 100A，10V5.1 毫欧 @ 20A，10V208 毫欧 @ 12A，15V350 毫欧 @ 900mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA2.7V @ 5mA3V @ 250µA3.5V @ 275µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.1 nC @ 10 V25 nC @ 10 V51 nC @ 15 V200 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±15V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
206 pF @ 30 V1128 pF @ 15 V1272 pF @ 1000 V14600 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
720mW（Ta）5W（Ta），24W（Tc）175W（Tc）300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-DFN（5x6）PG-TO263-7-3SOT-23-3TO-247-3
封装/外壳
8-PowerSMD，扁平引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-247-3TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-DFN
AON6558
MOSFET N-CH 30V 25A/28A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
57,297
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.39419
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
25A（Ta），28A（Tc）
4.5V，10V
5.1 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1128 pF @ 15 V
-
5W（Ta），24W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-DFN（5x6）
8-PowerSMD，扁平引线
TO-263-7, D2Pak
IPB180N10S402ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Infineon Technologies
2,169
现货
1 : ¥49.83000
剪切带（CT）
1,000 : ¥28.27242
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
180A（Tc）
10V
2.5 毫欧 @ 100A，10V
3.5V @ 275µA
200 nC @ 10 V
±20V
14600 pF @ 25 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-7-3
TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
TO-247-3
G3R160MT17D
SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
1,027
现货
1 : ¥100.48000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1700 V
21A（Tc）
15V
208 毫欧 @ 12A，15V
2.7V @ 5mA
51 nC @ 15 V
±15V
1272 pF @ 1000 V
-
175W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
SOT-23-3
DMP6350S-7
MOSFET P-CH 60V 1.5A SOT23
Diodes Incorporated
61,709
现货
906,000
工厂
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.20464
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.5A（Ta）
4.5V，10V
350 毫欧 @ 900mA，10V
3V @ 250µA
4.1 nC @ 10 V
±20V
206 pF @ 30 V
-
720mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。