单 FET,MOSFET

结果 : 2
系列
U-MOSIX-Hπ-MOSV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A(Ta)60A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
3.3V,10V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5.6 毫欧 @ 30A,10V300 毫欧 @ 1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA2.5V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
6 nC @ 10 V52 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
150 pF @ 10 V4300 pF @ 50 V
功率耗散(最大值)
800mW(Ta)960mW(Ta),132W(Tc)
工作温度
150°C175°C
供应商器件封装
8-SOP Advance(5x5)UFM
封装/外壳
3-SMD,扁平引线8-PowerVDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
14,419
现货
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.07020
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2A(Ta)
3.3V,10V
300 毫欧 @ 1A,10V
2V @ 1mA
6 nC @ 10 V
±20V
150 pF @ 10 V
-
800mW(Ta)
150°C
表面贴装型
UFM
3-SMD,扁平引线
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR N-C
TPH5R60APL,L1Q
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR N-C
Toshiba Semiconductor and Storage
3,194
现货
1 : ¥10.43000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.09981
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
60A(Tc)
4.5V,10V
5.6 毫欧 @ 30A,10V
2.5V @ 500µA
52 nC @ 10 V
±20V
4300 pF @ 50 V
-
960mW(Ta),132W(Tc)
175°C
表面贴装型
8-SOP Advance(5x5)
8-PowerVDFN
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。