单 FET,MOSFET

结果 : 13
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesRohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-CoolMOS™ C7CoolMOS™ P6CoolMOS™ P7CoolMOS™PFD7OptiMOS™ThunderFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V150 V200 V600 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
820mA(Ta)7A(Tc)11.3A(Tc)13A(Tc)20A(Tc)20.2A(Tc)24A(Tc)25A(Tc)31A(Tc)32A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V7.5V,10V8V,10V10V15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
30 毫欧 @ 16A,10V50mOhm @ 22A,10V58 毫欧 @ 10A,10V95 毫欧 @ 11.8A,10V99 毫欧 @ 10.5A,10V125 毫欧 @ 5.7A,10V125 毫欧 @ 7.8A,10V160毫欧 @ 6.3A,10V180 毫欧 @ 5.3A,10V190 毫欧 @ 7.6A,10V750 毫欧 @ 430mA,4.5V780 毫欧 @ 3.5A,15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA4V @ 25µA4V @ 260µA4V @ 350µA4V @ 530µA4V @ 590µA4V @ 60µA4.2V @ 250µA4.5V @ 390µA4.5V @ 630µ4.6V @ 32µA7V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.622 nC @ 4.5 V8.7 nC @ 10 V13 nC @ 10 V14.5 nC @ 10 V15 nC @ 10 V17.5 nC @ 15 V24 nC @ 10 V31 nC @ 10 V36 nC @ 10 V37 nC @ 10 V45 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±6V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
59.76 pF @ 16 V420 pF @ 75 V475 pF @ 100 V680 pF @ 100 V950 pF @ 75 V1080 pF @ 400 V1317 pF @ 400 V1503 pF @ 400 V1580 pF @ 100 V1750 pF @ 100 V1952 pF @ 400 V2140 pF @ 400 V
功率耗散(最大值)
310mW(Ta)32W(Tc)34W(Tc)46W(Tc)50W(Tc)52W(Tc)62.5W(Tc)68W(Tc)81W(Tc)96W(Tc)117W(Tc)128W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TDSON-8-1PG-TDSON-8-5PG-TO220-3PG-TO220-3-1PG-TO220-FPPG-TO247-3PG-TSDSON-8-FLPowerPAK® 1212-8SSOT-323TO-220FM
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® 1212-8SSC-70,SOT-323TO-220-3TO-220-3 整包TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
13结果

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/ 13
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
DMG1013UW-7
MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Diodes Incorporated
249,164
现货
1,569,000
工厂
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.48192
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
820mA(Ta)
1.8V,4.5V
750 毫欧 @ 430mA,4.5V
1V @ 250µA
0.622 nC @ 4.5 V
±6V
59.76 pF @ 16 V
-
310mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
TSDSON-8
BSZ300N15NS5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 32A TSDSON
Infineon Technologies
12,211
现货
1 : ¥21.26000
剪切带(CT)
5,000 : ¥9.20893
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
32A(Tc)
8V,10V
30 毫欧 @ 16A,10V
4.6V @ 32µA
13 nC @ 10 V
±20V
950 pF @ 75 V
-
62.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC12DN20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
Infineon Technologies
11,535
现货
1 : ¥12.31000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.85481
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
11.3A(Tc)
10V
125 毫欧 @ 5.7A,10V
4V @ 25µA
8.7 nC @ 10 V
±20V
680 pF @ 100 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
PowerPAK 1212-8S
SIS888DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK
Vishay Siliconix
5,305
现货
1 : ¥12.89000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.34768
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
20.2A(Tc)
7.5V,10V
58 毫欧 @ 10A,10V
4.2V @ 250µA
14.5 nC @ 10 V
±20V
420 pF @ 75 V
-
52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TA)
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
PG-TDSON-8-1
BSC500N20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8
Infineon Technologies
5,507
现货
1 : ¥17.65000
剪切带(CT)
5,000 : ¥7.67111
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
24A(Tc)
10V
50mOhm @ 22A,10V
4V @ 60µA
15 nC @ 10 V
±20V
1580 pF @ 100 V
-
96W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
300
现货
1 : ¥21.59000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
25A(Tc)
10V
125 毫欧 @ 7.8A,10V
4.5V @ 390µA
36 nC @ 10 V
±20V
1503 pF @ 400 V
-
32W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220-FP
TO-220-3 整包
PG-TO-220-FP
IPA60R190P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
Infineon Technologies
164
现货
1 : ¥22.66000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
20.2A(Tc)
10V
190 毫欧 @ 7.6A,10V
4.5V @ 630µ
37 nC @ 10 V
±20V
1750 pF @ 100 V
-
34W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220-FP
TO-220-3 整包
TO-220-3
IPP60R180C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3
Infineon Technologies
519
现货
1 : ¥23.56000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
13A(Tc)
10V
180 毫欧 @ 5.3A,10V
4V @ 260µA
24 nC @ 10 V
±20V
1080 pF @ 400 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220-3-1
TO-220-3
TO-220-3
IPP60R099P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 31A TO220-3
Infineon Technologies
505
现货
1 : ¥34.07000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
31A(Tc)
10V
99 毫欧 @ 10.5A,10V
4V @ 530µA
45 nC @ 10 V
±20V
1952 pF @ 400 V
-
117W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
TO-220-3
IPP65R095C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Infineon Technologies
327
现货
1 : ¥48.60000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
24A(Tc)
10V
95 毫欧 @ 11.8A,10V
4V @ 590µA
45 nC @ 10 V
±20V
2140 pF @ 400 V
-
128W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
R6004KNXC7G
R6007JNXC7G
MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
Rohm Semiconductor
2,017
现货
1 : ¥23.07000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
7A(Tc)
15V
780 毫欧 @ 3.5A,15V
7V @ 1mA
17.5 nC @ 15 V
±30V
475 pF @ 100 V
-
46W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220FM
TO-220-3 整包
PG-TO247-3
IPW60R099P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3
Infineon Technologies
70
现货
1 : ¥41.29000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
31A(Tc)
10V
99 毫欧 @ 10.5A,10V
4V @ 530µA
45 nC @ 10 V
±20V
1952 pF @ 400 V
-
117W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
TO-220AB Pkg
IPP60R160P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3-1
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥23.48000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
20A(Tc)
10V
160毫欧 @ 6.3A,10V
4V @ 350µA
31 nC @ 10 V
±20V
1317 pF @ 400 V
-
81W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220-3-1
TO-220-3
显示
/ 13

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。