SIS888DN-T1-GE3 | ||
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DigiKey 零件编号 | 742-SIS888DN-T1-GE3TR-ND - 卷带(TR) 742-SIS888DN-T1-GE3CT-ND - 剪切带(CT) 742-SIS888DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
制造商 | ||
制造商产品编号 | SIS888DN-T1-GE3 | |
描述 | MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK | |
原厂标准交货期 | 46 周 | |
客户内部零件编号 | ||
详细描述 | 表面贴装型 N 通道 150 V 20.2A(Tc) 52W(Tc) PowerPAK® 1212-8S | |
规格书 | 规格书 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
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类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压(Vdss) | 150 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 7.5V,10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 58 毫欧 @ 10A,10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4.2V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 14.5 nC @ 10 V | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 420 pF @ 75 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 52W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TA) | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8S | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
剪切带(CT) & Digi-Reel® 得捷定制卷带
数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
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1 | ¥12.89000 | ¥12.89 |
10 | ¥10.58200 | ¥105.82 |
100 | ¥8.22740 | ¥822.74 |
500 | ¥6.97352 | ¥3,486.76 |
1,000 | ¥5.68070 | ¥5,680.70 |
卷带(TR)
数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
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3,000 | ¥5.34768 | ¥16,043.04 |
6,000 | ¥5.09303 | ¥30,558.18 |
9,000 | ¥4.85795 | ¥43,721.55 |
Manufacturers Standard Package
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