单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedRohm Semiconductor
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）460mA（Ta）8.9A（Ta）11.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V1.5V，4.5V1.8V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.5 毫欧 @ 7A，4.5V16 毫欧 @ 10A，10V700 毫欧 @ 350mA，4.5V3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 100µA1V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.622 nC @ 4.5 V17 nC @ 10 V56 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±6V±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
7.1 pF @ 10 V59.76 pF @ 16 V864 pF @ 30 V2248 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）270mW（Ta）610mW（Ta）820mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
EMT3F（SOT-416FL）SOT-523U-DFN2020-6（E 类）U-DFN2020-6（F 类）
封装/外壳
6-PowerUDFN6-UDFN 裸露焊盘SC-89，SOT-490SOT-523
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-523
DMG1013T-7
MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Diodes Incorporated
391,677
现货
2,787,000
工厂
1 : ¥2.54000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.42327
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
460mA（Ta）
1.8V，4.5V
700 毫欧 @ 350mA，4.5V
1V @ 250µA
0.622 nC @ 4.5 V
±6V
59.76 pF @ 16 V
-
270mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
U-DFN2020-6 Type F
DMT6016LFDF-7
MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN
Diodes Incorporated
9,965
现货
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.66937
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
8.9A（Ta）
4.5V，10V
16 毫欧 @ 10A，10V
3V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
864 pF @ 30 V
-
820mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
U-DFN2020-6（F 类）
6-UDFN 裸露焊盘
U-DFN2020-6 Type E
DMN2011UFDE-7
MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
Diodes Incorporated
41,560
现货
87,000
工厂
1 : ¥5.17000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.95426
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
11.7A（Ta）
1.5V，4.5V
9.5 毫欧 @ 7A，4.5V
1V @ 250µA
56 nC @ 10 V
±12V
2248 pF @ 10 V
-
610mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
U-DFN2020-6（E 类）
6-PowerUDFN
EMT3F
RE1C001UNTCL
MOSFET N-CH 20V 100MA EMT3F
Rohm Semiconductor
22,065
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.53139
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
100mA（Ta）
1.2V，4.5V
3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V
1V @ 100µA
-
±8V
7.1 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
EMT3F（SOT-416FL）
SC-89，SOT-490
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。